公开(公告)号：DE112019002477T5

公开(公告)日：2021-01-28

申请号：DE112019002477

申请日：2019-04-25

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： YEOM HYUNSOO ,  XU CHENG

IPC: G01K7/01 ,  G05F3/30

Abstract: Verfahren, Systeme und Vorrichtungen der vorliegenden Offenbarung beinhalten Techniken zum Unterdrücken eines Basiswiderstandsfehlers, der ansonsten in Ferntemperaturfühlern wie Fern-Diodentemperaturfühlern vorhanden ist. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Messlogik, die konfiguriert ist, um eine Temperatur eines oder eine Temperatur in der Nähe eines Ferntemperaturfühlers zu bestimmen, konfiguriert sein, um einen Fehlerlöschungskoeffizienten zu bestimmen und einen Temperaturwert mindestens teilweise als Reaktion auf den Fehlerlöschungskoeffizienten zu berechnen. In einigen Fällen können Fehlerlöschungskoeffizienten unter Verwendung einer oder mehrerer Kalibrierungstechniken bestimmt werden.

公开(公告)号：DE112019004815T5

公开(公告)日：2021-06-02

申请号：DE112019004815

申请日：2019-09-18

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： KUMAR AJAY ,  YEOM HYUNSOO

IPC: G01K7/01

Abstract: Systeme, Verfahren und Vorrichtungen werden in Bezug auf die Ferntemperaturerfassung beschrieben. In einer Ausführungsform werden fraktionale Ströme verwendet, um eine Ferntemperaturdiode vorzuspannen. Solche fraktionalen Ströme können ausgewählt werden, um mindestens einige Temperaturberechnungen, die unter Verwendung digitaler Logik durchgeführt werden, zu vereinfachen.

公开(公告)号：DE112019003153T5

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：DE112019003153

申请日：2019-05-24

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： YEOM HYUNSOO ,  KUMAR AJAY ,  HOUSE JOHN

IPC: H01L23/31 ,  H03K3/02

Abstract: Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungsgehäusen können das Anordnen eines Metallmaterials mindestens teilweise um eine Region einer integrierten Schaltung, die in einer aktiven Oberfläche eines Halbleiterchips eingebettet ist, einschließen, wobei sich das Metallmaterial auf der aktiven Oberfläche befindet. Mindestens ein Abschnitt des Metallmaterials kann von der Region der integrierten Schaltung elektrisch getrennt bleiben. Der Halbleiterchip und das Metallmaterial können in einem Kapselungsmaterial gekapselt sein, wobei sich das Kapselungsmaterial bis zu einer Höhe über der aktiven Oberfläche erstreckt, die höher als eine maximale Höhe des Metallmaterials über der aktiven Oberfläche ist.