公开(公告)号：KR20180019679A

公开(公告)日：2018-02-26

申请号：KR20187001603

申请日：2016-06-17

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN ,  SATO JUSTIN HIROKI

IPC: H01L21/768 ,  H01C7/00 ,  H01C17/075 ,  H01C17/28 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L23/5228 ,  H01C7/006 ,  H01C17/075 ,  H01C17/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L28/24

Abstract: 구리공정모듈에서구리화학기계적폴리싱(CMP) 공정을완료한후 박막레지스터를제조하는방법은, 적어도 2개의구조물들(90a, 90b)을가로질러유전체배리어층(100)을침착하는단계; 상기유전체배리어위에하드마스크로서제2 유전체층(110)을침착하는단계; 포토리소그래피를사용하여트렌치를패터닝하는단계; 상기하드마스크를통해상기트렌치를에칭하고상기유전체배리어내에서또는유전체배리어상에서정지하는단계; 포토리소그래피공정으로부터임의의잔여포토레지스트(120a, 120b)를제거하는단계; 상기유전체장벽을통해상기트렌치를에칭하여상기적어도 2개의구리구조물들각각의구리표면을노출시키는단계; 및상기트렌치에박막레지스터재료(120)를침착시키고그 결과로얻어진상기적어도 2개의노출된구리표면들을가로질러가교시키는단계를포함하는것이개시된다.

Abstract translation: 一种在铜工艺模块中完成铜化学机械抛光（CMP）工艺之后制造薄膜电阻器的方法包括横跨至少两个结构（90a，90b）沉积电介质阻挡层（100）; 在介质阻挡层上沉积第二介电层（110）作为硬掩模; 使用光刻法图案化沟槽; 通过硬掩模蚀刻沟槽并停止在电介质屏障或电介质屏障上; 从光刻工艺中去除剩余的光刻胶120a，120b; 蚀刻穿过介质阻挡层的沟槽以暴露至少两个铜结构中的每一个的铜表面; 并且在沟槽上沉积薄膜电阻材料（120）并桥接所得到的至少两个暴露的铜表面。

公开(公告)号：DE112023002552T5

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE112023002552

申请日：2023-06-06

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H10N10/17 ,  G01K7/02 ,  H01L23/532 ,  H01L25/16 ,  H10N19/00

Abstract: Ein System beinhaltet eine in einer integrierten Schaltung (IC) ausgebildete Metallwannenstruktur, eine erste Metallkomponente und eine zweite Metallkomponente. Die erste Metallkomponente ist aus einem ersten Metall ausgebildet. Die erste Metallkomponente ist in einer durch die Wannenstruktur definierten Öffnung ausgebildet und beinhaltet ein erstes Anschlusselement aus erstem Metall, ein zweites Anschlusselement aus erstem Metall und eine erste Metallbrücke, die elektrisch mit dem ersten Anschlusselement aus erstem Metall und dem zweiten Anschlusselement aus erstem Metall verbunden ist. Die zweite Metallkomponente ist aus einem zweiten Metall ausgebildet, das sich von dem ersten Metall unterscheidet, und beinhaltet ein erstes Anschlusselement aus zweitem Metall, das elektrisch mit dem ersten Anschlusselement aus erstem Metall verbunden ist, um eine erste Thermoelementverbindung zu definieren, und ein zweites Anschlusselement aus zweitem Metall, das elektrisch mit dem zweiten Anschlusselement aus erstem Metall verbunden ist, um eine zweite Thermoelementverbindung zu definieren.

公开(公告)号：DE112021007796B4

公开(公告)日：2025-04-10

申请号：DE112021007796

申请日：2021-12-07

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H10B63/00 ,  H10D1/00 ,  H10D64/01 ,  H10N70/20

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer integrierten Schaltungsstruktur, die ein Kohlenstoffnanoröhren-Speicherzellenelement (202) aufweist, wobei das Verfahren aufweist:Ausbilden einer Wannenöffnung (213) in einem dielektrischen Bereich (208);Ausbilden einer becherförmigen Bodenelektrode (220) in der Wannenöffnung (213);Ausbilden einer becherförmigen Kohlenstoffnanoröhrenschicht (222) in einer inneren Öffnung (236), die durch die becherförmige Bodenelektrode (220) definiert wird;Ausbilden einer oberen Elektrode (224) in einem Innenvolumen, das durch die becherförmige Kohlenstoffnanoröhrenschicht (222) definiert wird; undAusbilden einer oberen Metallschicht (Mx+1) über dem dielektrischen Bereich (208), wobei die obere Metallschicht (Mx+1) einen oberen Elektrodenkontakt (258) in elektrischem Kontakt mit der oberen Elektrode (224) aufweist;wobei die becherförmige Bodenelektrode (220), die becherförmige Kohlenstoffnanoröhrenschicht (222) und die obere Elektrode (224) das Kohlenstoffnanoröhren-Speicherzellenelement (202) bilden, wobei die Wannenöffnung (213) und eine Durchkontaktierungsöffnung (215) im dielektrischen Bereich (208) gleichzeitig ausgebildet werden; undAbscheiden eines konformen Metalls (312), um gleichzeitig die becherförmige Bodenelektrode (220) in der Wannenöffnung (213) und eine Durchkontaktierung (214) in der Durchkontaktierungsöffnung (215) auszubilden.

公开(公告)号：DE112022006703T5

公开(公告)日：2024-12-05

申请号：DE112022006703

申请日：2022-06-29

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/64 ,  H01L23/535

Abstract: Ein Metall-Isolator-Metall (MIM)-Kondensatormodul beinhaltet eine äußere Elektrode, einen Isolator, eine innere Elektrode, eine äußere Elektrodenerweiterungsstruktur, ein inneres Elektrodenkontaktelement und ein äußeres Elektrodenkontaktelement. Die äußere Elektrode beinhaltet eine Vielzahl von sich vertikal erstreckenden äußeren Elektrodenseitenwänden. Der Isolator ist in einer Öffnung ausgebildet, die durch die sich vertikal erstreckenden äußeren Elektrodenseitenwände definiert wird, und beinhaltet eine Vielzahl von sich vertikal erstreckenden Isolatorseitenwänden. Die innere Elektrode ist in einer inneren Öffnung ausgebildet, die durch den Isolator definiert ist. Die äußere Elektrodenerweiterungsstruktur erstreckt sich lateral von einer bestimmten, vertikal verlaufenden äußeren Elektrodenseitenwand. Das Kontaktelement der inneren Elektrode und das Kontaktelement der äußeren Elektrode sind in einer Metallschicht ausgebildet. Das Kontaktelement der inneren Elektrode ist elektrisch mit der inneren Elektrode verbunden, und das Kontaktelement der äußeren Elektrode ist elektrisch mit der Erweiterungsstruktur der äußeren Elektrode verbunden.

公开(公告)号：DE112020000375T5

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：DE112020000375

申请日：2020-01-10

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H01L21/66 ,  G01N17/04 ,  H01L23/52

Abstract: Systeme und Verfahren zur Überwachung der Kupferkorrosion in einer integrierten Schaltungs- (IC-) Vorrichtung werden offenbart. Eine in der IC-Vorrichtung ausgebildete korrosionsempfindliche Struktur kann einen aktiven p-Typ-Bereich benachbart zu einem aktiven n-Typ-Bereich aufweisen, um einen p-n-Übergangsraumladungsbereich festzulegen. Ein über dem Silizium ausgebildeter Kupferbereich kann durch entsprechende Kontakte sowohl mit dem p-Bereich als auch mit dem n-Bereich verbunden sein, um dadurch einen Kurzschluss festzulegen. Auf den p-n-Übergangsraumladungsbereich einfallendes Licht, z. B. während eines CMP-Prozesses, erzeugt über den Kurzschluss einen Stromfluss durch den Metallbereich, der chemische Reaktionen vorantreibt, die im Kupferbereich Korrosion verursachen. Aufgrund der Kurzschlusskonfiguration ist der Kupferbereich sehr korrosionsempfindlich. Die korrosionsempfindliche Struktur kann mit weniger korrosionsempfindlichen Kupferstrukturen in der IC-Vorrichtung angeordnet sein, wobei die korrosionsempfindliche Struktur als Proxy zur Überwachung auf Kupferkorrosion in der IC-Vorrichtung verwendet wird.

公开(公告)号：DE112022007442T5

公开(公告)日：2025-04-10

申请号：DE112022007442

申请日：2022-12-22

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H10D1/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Ein Multi-Kondensator-Modul beinhaltet eine gestapelte Metall-Isolator-Metall (MIM)-Struktur mit einer becherförmigen ersten Elektrode, einem über der becherförmigen ersten Elektrode ausgebildeten becherförmigen ersten Isolator, einer über dem becherförmigen ersten Isolator ausgebildeten becherförmigen zweiten Elektrode, einem über der becherförmigen zweiten Elektrode ausgebildeten becherförmigen zweiten Isolator und einer über dem becherförmigen zweiten Isolator ausgebildeten dritten Elektrode. Die gestapelte MIM-Struktur beinhaltet auch einen ersten Seitenwandabstandshalter, der zwischen der becherförmigen ersten Elektrode und der becherförmigen zweiten Elektrode angeordnet ist, und einen zweiten Seitenwandabstandshalter, der zwischen der becherförmigen zweiten Elektrode und der dritten Elektrode angeordnet ist. Die becherförmige erste Elektrode, die becherförmige zweite Elektrode und der becherförmige erste Isolator definieren einen ersten Kondensator, und die becherförmige zweite Elektrode, die dritte Elektrode und der becherförmige zweite Isolator definieren einen zweiten Kondensator.

公开(公告)号：DE112022007104T5

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE112022007104

申请日：2022-11-02

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H10D1/47 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H10N97/00

Abstract: Ein Dünnschichtwiderstands- (TFR-) Modul beinhaltet eine Metallbecherstruktur, einen dielektrischen Bereich, ein TFR-Element und ein Paar von TFR-Köpfen, die elektrisch mit dem TFR-Element verbunden sind. Die Metallbecherstruktur beinhaltet einen sich lateral erstreckenden Metallbecherboden und mehrere Metallbecherseitenwände, die sich von dem sich lateral erstreckenden Metallbecherboden nach oben erstrecken. Der Bereich des dielektrischen Liners ist in einer Öffnung ausgebildet, die durch die Metallbecherstruktur definiert ist. Das TFR-Element ist in einer Öffnung ausgebildet, die durch den dielektrischen Liner-Bereich definiert ist, wobei das TFR-Element durch den dielektrischen Liner-Bereich von der Metallbecherstruktur isoliert ist.

公开(公告)号：DE112022007337T5

公开(公告)日：2025-03-20

申请号：DE112022007337

申请日：2022-07-12

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H10D1/60 ,  H01L23/522

Abstract: Ein Metall-Isolator-Metall (MIM)-Kondensator beinhaltet eine Bodenelektrode, einen auf der Bodenelektrode ausgebildeten Isolatorbecher, eine in einer durch den Isolatorbecher definierten Öffnung ausgebildete Top-Elektrode, ein elektrisch mit der Top-Elektrode verbundenes Top-Elektroden-Verbindungselement, einen elektrisch mit der Bodenelektrode verbundenen, sich vertikal erstreckenden Bodenelektrodenkontakt und ein elektrisch mit dem sich vertikal erstreckenden Bodenelektrodenkontakt verbundenes Bodenelektroden-Verbindungselement. Die Bodenelektrode ist in einer unteren Metallschicht ausgebildet. Der Isolatorbecher ist in einer Wannenöffnung in einem dielektrischen Bereich ausgebildet und beinhaltet eine sich lateral erstreckende Isolatorbecherbasis, die auf der Bodenelektrode ausgebildet ist, und eine sich vertikal erstreckende Isolatorbecher-Seitenwand, die sich von der sich lateral erstreckenden Isolatorbecherbasis nach oben erstreckt. Das Top-Elektroden-Verbindungselement und das Bodenelektroden-Verbindungselement sind in einer oberen Metallschicht ausgebildet.

公开(公告)号：DE112020006801T5

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE112020006801

申请日：2020-08-24

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden eines Metall-Isolator-Metall- (MIM-) Kondensators mit oberen und unteren Kupferplatten kann mit einer Kupferverbindungsschicht (z. B. Cu-MTOP) beginnen, die eine Kupferstruktur aufweist, die die untere Kondensatorplatte definiert. Ein Passivierungsbereich wird über der Bodenplatte ausgebildet, und eine breite Öffnung der oberen Platte wird in den Passivierungsbereich geätzt, um die Bodenplatte freizulegen. Eine dielektrische Schicht wird in die Öffnung der oberen Platte und auf die freigelegte untere Platte aufgebracht. Dann werden schmale Durchkontaktierungsöffnungen in den Passivierungsbereich geätzt. Die breite obere Plattenöffnung und schmale Durchkontaktierungsöffnung(en) werden gleichzeitig mit Kupfer gefüllt, um eine obere Kupferplatte und Kupferdurchkontaktierungen in Kontakt mit der unteren Platte zu definieren. Auf der oberen Kupferplatte wird ein erstes Aluminium-Bondpad ausgebildet, und ein zweites Aluminium-Bondpad wird in Kontakt mit der/den Kupfer-Durchkontaktierung(en) ausgebildet, um eine leitende Kopplung mit der unteren Platte bereitzustellen.

公开(公告)号：DE112020006535T5

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE112020006535

申请日：2020-04-01

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H01L27/08 ,  H01L23/535 ,  H03B5/12

Abstract: Ein System-on-Chip kann einen Induktor-Kondensator-Oszillator einschließen, der monolithisch in das System-on-Chip integriert ist Der Induktor-Kondensator-Oszillator kann dazu konfiguriert sein, im Vergleich zu einem Widerstand-Kondensator-Oszillator die Frequenzstabilität zu verbessern und Rauschen zu reduzieren. Verfahren zum Herstellen integrierter Oszillatoren können das Bilden eines Induktors zumindest teilweise während des Bildens einer BEOL-Struktur auf einem Substrat beinhalten. Ein Kondensator, der auf dem Halbleitermaterial des Substrats gelagert und/oder darin eingebettet ist, kann vor oder während der Bildung der BEOL-Struktur gebildet werden. Der Induktor kann zumindest teilweise unter Verwendung der BEOL-Struktur parallel mit dem Kondensator verbunden werden, um einen integrierten Induktor-Kondensator-Oszillator zu bilden.