公开(公告)号：DE112017005931T5

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：DE112017005931

申请日：2017-11-22

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： DIX GREGORY ,  SHUMATE JINA ,  PETERSON ERIC ,  NAYAK RAJESH

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: Eine integrierte Schaltung (IC) -Struktur kann eine oder mehrere auf Graben basierte Halbleitervorrichtungen, z. B. Feldeffekttransistoren (Trench-FETs), mit einem vorderseitigen Drain-Kontakt enthalten. Jede Halbleiteranordnung kann eine Epitaxieschicht, einen dotierten Source-Bereich in der Epitaxieschicht, einen mit dem Source-Bereich gekoppelten vorderseitigen Source-Kontakt, ein in einem Graben in der Epitaxieschicht ausgebildetes Poly-Gate und einen sich durch den Poly-Gate-Graben erstreckenden und vom Poly-Gate isolierten vorderseitigen Drain-Kontakt umfassen. Die Anordnung kann einen Driftbereich vom Schnittpunkt der Oberfläche des Poly-Gates / des unteren Source-Bereichs zum vorderseitigen Drain-Kontakt definieren. Der Driftbereich kann sich innerhalb der Epitaxieschicht befinden, ohne sich in ein darunter liegendes Grundsubstrat oder eine Übergangsschicht zu erstrecken. Die Tiefe des vorderseitigen Drain-Kontakts kann gewählt werden, um die Durchbruchspannung der jeweiligen Anordnung zu beeinflussen. Zusätzlich können die vorderseitigen Drain-Kontakte ermöglichen, dass die IC-Struktur flip-chipmontiert oder gepackt wird.