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公开(公告)号：WO1997042662A1
公开(公告)日：1997-11-13
申请号：PCT/US1997007322
申请日：1997-04-30
Applicant: MOTOROLA INC.
Inventor： MOTOROLA INC. , CORNETT, Kenneth, D. , RAMAKRISHNAN, E., S. , SHAPIRO, Gary, H. , HOWNG, Wei-Yean
IPC: H01L29/12
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: An integrable circuit inductor (220) is formed from a patterned conductive material (110) that has a major portion completely encapsulated by a material (221, 223) that is substantially electrically non-conductive, and that has a magnetic response at the operating frequency of the inductor (220). Preferably, an amorphous ferrite material is used for encapsulation, which provides a closed magnetic flux path for the inductor (220) when processing a signal at its operating frequency.
Abstract translation: 可集成电路电感器（220）由图案化的导电材料（110）形成，该导电材料具有完全由基本上不导电的材料（221,223）封装的主要部分，并且在工作频率处具有磁响应 的电感器（220）。 优选地，非晶铁氧体材料用于封装，当在其工作频率处理信号时，其提供用于电感器（220）的闭合磁通路径。
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公开(公告)号：WO1993008610A1
公开(公告)日：1993-04-29
申请号：PCT/US1992008809
申请日：1992-10-15
Applicant: MOTOROLA, INC.
Inventor： MOTOROLA, INC. , RAMAKRISHNAN, E., S. , CORNETT, Kenneth, D. , HOWNG, Wei-Yean
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L29/94
Abstract: A semiconductor device (10), comprising a semiconductor substrate (12) having a layer of semiconductor material (14) deposited, coated or grown epitaxially as a single crystal or polysilicon on the surface of the substrate. The layer of material is also a semiconductor material, having a higher resistivity than the substrate it is deposited on. A dielectric layer (16) of a metal oxide is formed on the high resistivity layer (14), which is then covered with an amorphous layer (18) of a metal oxide dielectric. Zirconium titanate may be used as a metal oxide dielectric layer. A metal electrode (20) is formed on the amorphous layer (18) to form a Metal Insulator Semiconductor device. In an alternative configuration, the amorphous layer (18) may instead be placed between the high resistivity layer (14) and the dielectric layer (16), or a second amorphous layer (22) may be added between the high resistivity layer and the dielectric layer. When the device is electrically energized, a depletion region is formed in the high resistivity layer, creating a voltage variable capacitor.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：EP0562101B1
公开(公告)日：2000-05-03
申请号：EP92922713.0
申请日：1992-10-15
Applicant: MOTOROLA, INC.
Inventor： RAMAKRISHNAN, E., S. , CORNETT, Kenneth, D. , HOWNG, Wei-Yean
CPC classification number: H01L29/94
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公开(公告)号：EP0608376B1
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：EP92923202.3
申请日：1992-10-15
Applicant: MOTOROLA, INC.
Inventor： CORNETT, Kenneth, D. , RAMAKRISHNAN, E., S. , SHAPIRO, Gary, H. , CALDWELL, Raymond, M. , HOWNG, Wei-Yean
IPC: H01G7/00
CPC classification number: H01L29/66181 , H01L29/94
Abstract: A voltage variable capacitor (10) has as the base substrate a silicon wafer with a layer of high resistivity semiconductor material on top of the substrate. An insulating layer (16) of a metal oxide having a dielectric constant greater than the dielectric constant of the semiconductors (12), such as zirconium titanate, is formed on top of the high resistivity layer, and a metal electrode (18) is formed on the insulating layer (16). When the electrode is energized, a depletion layer (20) is formed in the high resistivity layer. By varying the voltage applied to the electrode, the capacitance of the device is altered.
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公开(公告)号：WO1993008578A1
公开(公告)日：1993-04-29
申请号：PCT/US1992008781
申请日：1992-10-15
Applicant: MOTOROLA, INC.
Inventor： MOTOROLA, INC. , CORNETT, Kenneth, D. , RAMAKRISHNAN, E., S. , SHAPIRO, Gary, H. , CALDWELL, Raymond, M. , HOWNG, Wei-Yean
IPC: H01G07/00
CPC classification number: H01L29/66181 , H01L29/94
Abstract: A voltage variable capacitor (10) has as the base substrate a silicon wafer with a layer of high resistivity semiconductor material on top of the substrate. An insulating layer (16) of a metal oxide having a dielectric constant greater than the dielectric constant of the semiconductors (12), such as zirconium titanate, is formed on top of the high resistivity layer, and a metal electrode (18) is formed on the insulating layer (16). When the electrode is energized, a depletion layer (20) is formed in the high resistivity layer. By varying the voltage applied to the electrode, the capacitance of the device is altered.
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公开(公告)号：EP0608376A1
公开(公告)日：1994-08-03
申请号：EP92923202.0
申请日：1992-10-15
Applicant: MOTOROLA, INC.
Inventor： CORNETT, Kenneth, D. , RAMAKRISHNAN, E., S. , SHAPIRO, Gary, H. , CALDWELL, Raymond, M. , HOWNG, Wei-Yean
CPC classification number: H01L29/66181 , H01L29/94
Abstract: Un condensateur à capacité variable (10) comprend, comme substrat de base, une tranche de silicium sur laquelle est appliquée une couche d'un matériau semi-conducteur à résistivité élevée. Une couche isolante (16) composée d'un oxyde métallique présentant une constante diélectrique supérieure à celle des semi-conducteurs (12), tel que le titanate de zirconium, est formée au-dessus de la couche à résistivité élevée, et une électrode métallique (18) est appliquée sur la couche isolante (16). Lorsque l'électrode est excitée, une zone de déplétion (20) est produite dans la couche à résistivité élevée. On modifie la capacitance du dispositif en variant la tension appliquée à l'électrode.
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公开(公告)号：EP0562101A1
公开(公告)日：1993-09-29
申请号：EP92922713.0
申请日：1992-10-15
Applicant: MOTOROLA, INC.
Inventor： RAMAKRISHNAN, E., S. , CORNETT, Kenneth, D. , HOWNG, Wei-Yean
CPC classification number: H01L29/94
Abstract: Dispositif à semiconducteur (10) comprenant un substrat à semiconducteur (12) sur lequel une couche de matière semiconductrice (14) est déposée, appliquée sous forme de revêtement ou développée épitaxialement sous la forme d'un monocristal ou de polysilicium sur la surface du substrat. La couche de matière est également un matériau semiconducteur ayant une résistivité plus élevée que le substrat sur lequel il est déposé. Une couche diélectrique (16) d'un oxyde métallique est formée sur la couche de haute résistivité (14) qui est ensuite recouverte d'une couche amorphe (18) d'un diélectrique d'oxyde métallique. Du titanate de zirconium peut être utilisé comme couche diélectrique d'oxyde métallique. Une électrode métallique (20) est formée sur la couche amorphe (18) afin d'obtenir un dispositif semiconducteur isolateur métallique. Dans une variante, la couche amorphe (18) peut être placée entre la couche de haute résistivité (14) et la couche diélectrique (16), ou bien une seconde couche amorphe (22) peut être ajoutée entre la couche de haute résistivité et la couche diélectrique. Lorsque le dispositif est excité électriquement, une région d'appauvrissement se forme dans la couche de haute résistivité, créant ainsi un condensateur à tension variable.
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