公开(公告)号：WO1981000487A1

公开(公告)日：1981-02-19

申请号：PCT/US1980001020

申请日：1980-08-07

Applicant: NCR CORP

Inventor： NCR CORP ,  DHAM V ,  TRUDEL M

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L27/11517 ,  H01L21/3003

Abstract: In a method for manufacturing a semiconductor non-volatile SNOS or SONOS memory device having a gate structure which includes a gate oxide layer (11) provided on a semiconductor substrate (16), a nitride layer (12) provided on the gate oxide layer (11) and a polysilicon gate electrode (14) overlying the nitride layer (12), the device is annealed in hydrogen, in an annealing vessel (40), typically for 15-60 minutes at 600-1100`C.

Abstract translation: 在具有栅极结构的半导体非易失性SNOS或SONOS存储器件的制造方法中，所述栅极结构包括设置在半导体衬底（16）上的栅极氧化物层（11），设置在所述栅极氧化物层上的氮化物层（12） 11）和覆盖氮化物层（12）的多晶硅栅电极（14），该装置在退火容器（40）中在氢气中退火，通常在600-1100℃下15-60分钟。

公开(公告)号：WO1981000790A1

公开(公告)日：1981-03-19

申请号：PCT/US1980001179

申请日：1980-09-11

Applicant: NCR CORP

Inventor： NCR CORP ,  TRUDEL M ,  DHAM V

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: A non-volatile memory device includes a semiconductor substrate (16), a thin, 10-15 Angstroms thick, memory oxide layer (11), a silicon nitride layer (12), a 70-100 Angstroms thick interfacial oxide layer (13), and a polysilicon gate electrode (14). The interfacial oxide layer (13) is formed by chemical vapor deposition at a temperature in the range of about 600-625`C.

Abstract translation: 非易失性存储器件包括半导体衬底（16），薄的10-15埃厚的存储氧化层（11），氮化硅层（12），70-100埃厚的界面氧化物层（13） ，和多晶硅栅电极（14）。 界面氧化物层（13）通过化学气相沉积在约600-625℃范围内的温度下形成。

公开(公告)号：WO1980001122A1

公开(公告)日：1980-05-29

申请号：PCT/US1979001025

申请日：1979-11-26

Applicant: NCR CORP

Inventor： NCR CORP ,  EVANS G ,  LOCKWOOD G ,  TRUDEL M

IPC: H01L29/78

CPC classification number: G11C16/0466 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/792

Abstract: A low voltage write non-volatile MNOSFET memory device preferably of n-channel type has a first relatively highly doped p+ channel region (27) and a second underlying less highly doped p- region (28). The device is written to a "1" state by applying a low voltage (+12V) to the gate (21) and simultaneously applying a suitable voltage to the source (12) and/or the drain (13) to induce avalanche breakdown in the channel.

Abstract translation: 优选地，n沟道型的低电压写入非易失性MNOSFET存储器件具有第一相对高掺杂的p +沟道区（27）和第二下面较低掺杂的p-区（28）。 通过向栅极（21）施加低电压（+ 12V）并且同时向源极（12）和/或漏极（13）施加合适的电压以将雪崩击穿，将器件写入“1”状态 这个频道。