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公开(公告)号:CN102411168B
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201110319912.1
申请日:2006-03-28
Applicant: OFS菲特尔有限责任公司
CPC classification number: G02B6/03683 , C03B37/01211 , C03B37/01228 , C03B37/014 , C03B37/018 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22
Abstract: 本公开涉及低损耗光纤的设计及其制造方法。说明了一种借助混合VAD/MCVD处理过程生产的改进的光纤。光纤的纤芯用VAD生产,而内包层有凹陷的折射率并用MCVD生产。在优选的实施例中,光功率包络基本上全部包含在VAD生产的纤芯材料和MCVD生产的凹陷折射率包层材料中。借助把绝大部分光功率限制在低OH的VAD纤芯,以及借助使无掺杂石英区中的光功率最大化,使光损耗达到最小。MCVD衬底管材料中基本上没有光功率。
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公开(公告)号:CN102411168A
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:CN201110319912.1
申请日:2006-03-28
Applicant: OFS菲特尔有限责任公司
CPC classification number: G02B6/03683 , C03B37/01211 , C03B37/01228 , C03B37/014 , C03B37/018 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22
Abstract: 本公开涉及低损耗光纤的设计及其制造方法。说明了一种借助混合VAD/MCVD处理过程生产的改进的光纤。光纤的纤芯用VAD生产,而内包层有凹陷的折射率并用MCVD生产。在优选的实施例中,光功率包络基本上全部包含在VAD生产的纤芯材料和MCVD生产的凹陷折射率包层材料中。借助把绝大部分光功率限制在低OH的VAD纤芯,以及借助使无掺杂石英区中的光功率最大化,使光损耗达到最小。MCVD衬底管材料中基本上没有光功率。
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