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公开(公告)号:DE102013205179A1
公开(公告)日:2014-09-25
申请号:DE102013205179
申请日:2013-03-25
Applicant: OSRAM GMBH , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MOOSBURGER JÜRGEN , KALTENBACHER AXEL , WOLF MATTHIAS , DIRSCHERL GEORG
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , H01L51/52
Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe bereitgestellt. Dabei wird ein Bauelementverbund (10) bereitgestellt, der elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelemente (12) aufweist, die im Bauelementverbund (10) körperlich miteinander gekoppelt sind. Zu den Bauelementen (12) wird jeweils mindestens eine bauelement-individuelle Eigenschaft ermittelt. Abhängig von den ermittelten Eigenschaften der Bauelemente (12) wird eine Strukturmaske (22) zum Bedecken der Bauelemente (12) im Bauelementverbund (10) ausgebildet, wobei die Strukturmaske (22) korrespondierend zu den Bauelementen (12) Strukturmaskenausnehmungen (24) aufweist, die abhängig von den Eigenschaften der entsprechenden Bauelemente (12) bauelement-individuell ausgebildet sind. Die Strukturmaskenausnehmungen (24) geben Leuchtstoffbereiche (26), die in den Strukturmaskenausnehmungen (24) freigelegt sind, auf den Bauelementen (12) vor. Auf die Leuchtstoffbereiche (26) der Bauelemente (12) werden Leuchtstoffschichten (28) ausgebildet. Die Strukturmaske (22) wird von dem Bauelementverbund (10) entfernt. Die Bauelemente (12) werden aus dem Bauelementverbund (10) vereinzelt, wobei eine Baugruppe von mindestens einem der vereinzelten Bauelemente (12) mit der entsprechenden darauf ausgebildeten Leuchtstoffschicht (28) gebildet ist.
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公开(公告)号:DE102013224600A1
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:DE102013224600
申请日:2013-11-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: WOLF MATTHIAS , BLASZCZAK STEPHAN , BECKER DIRK
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf einer Oberseite eines Substrats und zum Anordnen eines Konvertermaterials auf der Oberseite des Substrats mittels eines Druckverfahrens oder eines Formverfahrens derart, dass der optoelektronische Halbleiterchip durch das Konvertermaterial bedeckt wird.
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