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公开(公告)号:DE102017130764A1
公开(公告)日:2019-06-27
申请号:DE102017130764
申请日:2017-12-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BÖSL FLORIAN , SABATHIL MATTHIAS
IPC: H01L25/075 , F21K9/65 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/58
Abstract: Es wird eine Vorrichtung (1) mit einem Primärträger (3), einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet und auf dem Primärträger angeordnet sind, angegeben, wobei- auf den Halbleiterchips und dem Primärträger zumindest stellenweise ein Strahlungskonversionsmaterial (6) angeordnet ist, das von den Halbleiterchips im Betrieb erzeugte Primärstrahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung umwandelt;- der Primärträger zumindest im Bereich der Halbleiterchips für die Primärstrahlung reflektierend ausgebildet ist;- die Vorrichtung einen Sekundärträger (4) aufweist, an dem der Primärträger befestigt ist;- auf einer dem Primärträger zugewandten Vorderseite (40) des Sekundärträgers ein Streukörper (5) angeordnet ist, wobei der Streukörper die Halbleiterchips überdeckt; und- im Betrieb der Vorrichtung zumindest die Sekundärstrahlung durch eine dem Sekundärträger abgewandte Vorderseite (50) des Streukörpers und durch eine dem Primärträger abgewandte Rückseite (41) des Sekundärträgers austritt.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung angegeben.
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2.
公开(公告)号:DE102017122410A1
公开(公告)日:2019-03-28
申请号:DE102017122410
申请日:2017-09-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: WINDISCH REINER , BÖSL FLORIAN , DOBNER ANDREAS , SPERL MATTHIAS
IPC: H01L25/075 , F21K9/60 , H01L33/58 , H01L33/62
Abstract: Es wird eine Vorrichtung (1) mit einem Leiterrahmen (3), einem Formkörper (4) und einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet sind, angegeben, wobei- der Leiterrahmen zwei Anschlussteile (31) zur externen elektrischen Kontaktierung der Vorrichtung aufweist;- der Formkörper an den Leiterrahmen angeformt ist;- der Formkörper für die im Betrieb der Vorrichtung erzeugte Strahlung durchlässig ist; und- die Halbleiterchips auf einer Vorderseite (41) des Formkörpers angeordnet sind und jeweils in Draufsicht auf die Vorrichtung mit dem Formkörper überlappen.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Vorrichtungen angegeben.
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公开(公告)号:DE102018118822A1
公开(公告)日:2020-02-06
申请号:DE102018118822
申请日:2018-08-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BÖSL FLORIAN
IPC: H01L25/075 , F21K9/64 , F21S4/20 , F21Y109/00 , H01L33/50 , H01L33/60
Abstract: Eine Leuchtfadenvorrichtung (20) umfasst einen Träger (21), der sich in einer Längsrichtung (25) erstreckt und der eine erste Hauptoberfläche (31), eine der ersten Hauptoberfläche (31) gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche (32) und zwei die beiden Hauptoberflächen (31, 32) miteinander verbindende Seitenflächen (33, 34) aufweist, optoelektronische Bauelemente (22), die auf der ersten Hauptoberfläche (31) des Trägers (21) angeordnet sind, eine erste Konverterschicht (23), die auf der ersten Hauptoberfläche (31) des Trägers (21) angeordnet ist und die optoelektronischen Bauelemente (22) bedeckt, und eine zweite Konverterschicht (24), die auf der zweiten Hauptoberfläche (32) des Trägers (21) angeordnet ist, wobei der Träger (21) an mindestens einer Stelle (26) entlang der Längsrichtung (25) derart ausgestaltet ist, dass mindestens eine der zwei Seitenflächen (33, 34) einen Winkel mit der ersten Hauptoberfläche (31) von mehr als 90° einschließt.
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公开(公告)号:DE102018100766A1
公开(公告)日:2019-07-18
申请号:DE102018100766
申请日:2018-01-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BÖSL FLORIAN , SABATHIL MATTHIAS
IPC: F21S4/20 , F21K9/23 , F21K9/90 , F21Y103/10 , F21Y115/10 , H01L25/075
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Leuchtmodul (100) einen Träger (1) mit zwei einander gegenüberliegenden Hauptseiten (10) und einer die Hauptseiten (10) verbindenden Oberseite (11). Ferner umfasst das Leuchtmodul eine Mehrzahl von Halbleiterchips (2) auf der Oberseite des Trägers. Die Halbleiterchips sind dazu eingerichtet, im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren. Die Halbleiterchips sind auf der Oberseite entlang einer Linie aufgereiht. Der Träger ist durchlässig für sichtbares Licht. Der Träger ist selbsttragend und trägt die Halbleiterchips. Die Flächen der Hauptseiten sind jeweils größer als die Fläche der Oberseite.
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5.
公开(公告)号:DE102017127621A1
公开(公告)日:2019-05-23
申请号:DE102017127621
申请日:2017-11-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: WINDISCH REINER , BÖSL FLORIAN , DOBNER ANDREAS , SPERL MATTHIAS
IPC: H01L25/075 , H01L33/52 , H01L33/62
Abstract: Es wird eine Vorrichtung (1) mit einem Träger (3) und einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet sind, angegeben, wobei- der Träger einen Leiterrahmen (30) aufweist und der Leiterrahmen zwei Anschlussteile (31) zur externen elektrischen Kontaktierung der Vorrichtung aufweist;- die Halbleiterchips auf dem Träger angeordnet sind;- der Träger zumindest stellenweise entlang seines gesamten Umfangs von einer Umhüllung umgeben ist;- die Umhüllung zumindest stellenweise eine Seitenfläche der Vorrichtung bildet und- die Seitenfläche Spuren (12) eines Materialabtrags aufweist.
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公开(公告)号:DE102017127721A1
公开(公告)日:2019-05-23
申请号:DE102017127721
申请日:2017-11-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: WINDISCH REINER , BÖSL FLORIAN , DOBNER ANDREAS , SPERL MATTHIAS
IPC: H01L25/075 , F21K9/64 , F21S4/24 , F21Y103/10 , F21Y109/00 , H01L33/50
Abstract: LED-Filament mit strahlungsemittierenden Halbleiterchips, wobei die Halbleiterchips auf einer Oberseite eines strahlungsdurchlässigen Trägers angeordnet sind, wobei die Halbleiterchips und eine Oberseite des Trägers wenigstens teilweise mit einer strahlungsdurchlässigen ersten Schicht bedeckt sind, wobei die erste Schicht und eine Unterseite des Trägers mit einer zweiten Schicht bedeckt sind, wobei in der zweiten Schicht Leuchtstoff vorgesehen ist, wobei der Leuchtstoff ausgebildet ist, um eine Wellenlänge der Strahlung des Halbleiterchips zu verschieben, wobei in der ersten Schicht kein Leuchtstoff oder Leuchtstoff mit weniger als 50 % der Konzentration des Leuchtstoffes der zweiten Schicht vorgesehen ist.
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