公开(公告)号：DE102021200897A1

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102021200897

申请日：2021-02-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR TERESA ,  KLEMP CHRISTOPH

IPC: H01L33/62 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird ein Waferverbund (1) umfassend eine Vielzahl an Halbleiterchips (2) angegeben, wobei jeder Halbleiterchip (2) eine erste Hauptfläche (3) und eine zweite Hauptfläche (4) aufweist, die der ersten Hauptfläche (3) gegenüberliegt, und wobei auf der zweiten Hauptfläche (4) ein erster elektrischer Kontakt (5) angeordnet ist. Außerdem weist der Waferverbund (1) eine Vielzahl elektrisch leitender Pfosten (14) auf, wobei jeder erste elektrische Kontakt (5) mit einem elektrisch leitenden Pfosten (14) in direktem Kontakt steht, Schließlich umfasst der Waferverbund (1) eine elektrisch isolierende Opferschicht (12) mit Durchbrüchen (13), in denen die elektrisch leitenden Pfosten (14) angeordnet sind.Schließlich wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Halbleiterchips (2) angegeben.

公开(公告)号：DE112020001468A5

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE112020001468

申请日：2020-03-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RUDOLPH ANDREAS ,  BAUR TERESA ,  KLEMP CHRISTOPH

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L33/62