公开(公告)号：WO2018149666A1

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：PCT/EP2018/052666

申请日：2018-02-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGLHARD, Marco

IPC: H01L33/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen (100) mit den Schritten : A) Bereitstellen eines Substrats (1), B) epitaktisches Aufbringen einer Opferschicht (2) mit einer Schichtdicke von größer als 300 nm auf das Substrats (1), wobei die Opferschicht (2) Al x Ga (1-x) As mit 0 x Ga (1-x) As mit 0

公开(公告)号：WO2016146584A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：PCT/EP2016/055454

申请日：2016-03-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KLEMP, Christoph ,  ENGLHARD, Marco

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/7813 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/7806 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68381

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats (10) von einer Schichtenfolge (11) angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes (1) umfassend das Aufwachssubstrat (10), die auf dem Aufwachssubstrat (10) aufgebrachte Schichtenfolge (11) und einen an einer dem Aufwachssubstrat (10) abgewandten Deckfläche (11a) der Schichtenfolge (11) angebrachten Träger (13), wobei - die Schichtenfolge (11) in eine Vielzahl Bereiche (15) strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben (14) voneinander getrennt sind, und - die Trenngräben (14) miteinander verbunden sind, B) Einbringen des zumindest einen Waferverbundes (1) in ein Ätzbad (40) mit einer Ätzlösung (44) derart, dass sich die Ätzlösung (44) zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben (14) befindet, C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad (40) vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung (31, 34, 351, 352) und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (10).

Abstract translation: 本发明提供了一种用于一个层序列（11）的在生长衬底（10）的分离，包括以下步骤：a。提供至少一个晶片复合体（1），包括在生长衬底（10）（在生长衬底10）上）施加的层序列（ 11）和从背对（层序列的生长衬底10）（11a）中的顶面11附着到载体（13），其中，（） - 的层序列（11）（在多个区域15的）被构造在横向上间隔开，并 由多个隔离沟槽（14）是分开的，以及 - 分离沟槽（14）相互连接，b）将所述至少一个晶片复合体（1）中的蚀刻浴（40）用蚀刻溶液（44），使得所述 蚀刻液（44）至少部分地位于隔离沟槽（14），C）使用至少一个Druckv重复一次的压力变化（在蚀刻浴40）通行基础压力 ariationseinrichtung（31，34，351，352）和D）分离所述生长衬底（10）。

公开(公告)号：WO2016071086A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/EP2015/073794

申请日：2015-10-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGLHARD, Marco

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0265 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02664

Abstract: Es wird ein Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: - Ausbilden oder Bereitstellen eines Epitaxie-Wafers, der ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete Trennschicht aufweist, wobei die Trennschicht eine Mehrzahl von säulenartigen Strukturen aus einem Halbleitermaterial aufweist, - Ausbilden einer Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht auf dem Epitaxie-Wafer; und - Entfernen des Substrats von der Schichtenfolge an der Trennschicht, indem die säulenartigen Strukturen zumindest teilweise zerstört werden. Des Weiteren wird ein Epitaxie-Wafer angegeben, der für die Herstellung des Bauelements besonders geeignet ist.

Abstract translation: 公开了一种装置和用于制造器件的方法，所述方法包括以下步骤： - 形成或提供外延晶片，其包括基片，设置在所述基板分离层上，所述分离层由多个柱状结构体的 包括半导体材料， - 形成层包括外延晶片上的有源层的序列; 以及 - 在由柱状结构的分离层去除从所述层序列的基板至少部分地被破坏。 此外，提供了一种外延晶片，其特别适合于生产的组分。

公开(公告)号：WO2016066645A2

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/EP2015/074875

申请日：2015-10-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SUNDGREN, Petrus ,  ENGLHARD, Marco ,  BEHRINGER, Martin, Rudolf ,  KLEMP, Christoph

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L33/0079 ,  C23F1/20 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67092 ,  H01L24/95

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Substrats (11) von einer Schichtenfolge (13) angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines Verbundes (1, 2), aufweisend - einen Wafer (1) mit dem Substrat (11), der Schichtenfolge (13) und einer zwischen dem Substrat (11) und der Schichtenfolge (13) angeordneten Opferschicht (12), - einen Träger (2) an einer dem Substrat (11) abgewandten Deckfläche (13a) der Schichtenfolge (13), und - zumindest zwei Trenngräben (14), die sich in vertikaler Richtung (Z) durch die Schichtenfolge (13) erstrecken, b) Anbringen einer Pumpvorrichtung (3) an dem Verbund (1, 2), c) Einbringen des Verbundes (1, 2) in ein Ätzbad (4) mit einer Ätzlösung (41), und anschließend d) Erzeugen eines Druckgradienten (5) zwischen den Trenngräben (14) und der Ätzlösung (41) mit der Pumpvorrichtung (3) derart, dass die Ätzlösung (41) durch die Trenngräben (14) stellenweise entlang der Opferschicht (12) fließt und stellenweise in direktem Kontakt mit der Opferschicht (12) steht, e) Ablösen des Substrats (11).

Abstract translation: 本发明提供了一种用于一个层序列（13）的衬底（11）的分离，包括以下步骤：a）提供一个复合物（1,2），包括： - 一个晶片（1）与基板（11） 在背离（11）远的层序列（13）的基板顶面（13a）的支撑件（2），以及 - 布置一系列的层（13）和所述基板（11）和所述层序列（13）之间的牺牲层（12）的， - 在通过该层序列（13）的垂直方向（Z）延伸的至少两个隔离沟槽（14），b）将泵送装置（3）向复合物（1，2），c）将复合材料（1，2） 在蚀刻浴（4）产生一个压力梯度的蚀刻液（41），然后D）（5）以这样的方式隔离沟槽（14）和所述蚀刻溶液（41）到所述泵送装置（3）之间，所述蚀刻液（41）由 隔离沟槽（14）的地方，沿所述牺牲层（12），并且在直接接触的地方流 与基板（11）的所述牺牲层（12）中，e）分离连通。