公开(公告)号：WO2018224483A1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：PCT/EP2018/064739

申请日：2018-06-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS, Peter

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der kantenemittierende Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). An der Halbleiterschichtenfolge (2) ist eine Facette (3) zur Auskopplung und/oder Reflexion der Laserstrahlung (L) gebildet. Direkt an der Facette (3) befindet sich eine Schutzschichtenfolge (4) zum Schutz der Facette (3) vor Beschädigungen. Die Schutzschichtenfolge (4) weist in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge (2) eine monokristalline Startschicht (41), eine Zwischenschicht (42) mit mindestens einem Gruppe 14-Material sowie mindestens eine Abschlussschicht (43) aus einem Nitrid, Oxid oder Oxynitrid auf. Die Startschicht (41), die Zwischenschicht (42) sowie die Abschlussschicht (43) sind paarweise aus verschiedenen Materialsystemen hergestellt.

公开(公告)号：WO2023016987A1

公开(公告)日：2023-02-16

申请号：PCT/EP2022/072239

申请日：2022-08-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS, Peter ,  EICHLER, Christoph ,  EBBECKE, Jens

IPC: H01S5/125

Abstract: Es wird ein Spiegel (20) für einen Laser (21) angegeben, der Spiegel (20) umfassend einen Schichtenstapel (22) mit mindestens einer ersten Schicht (23), die ein erstes Material aufweist, und mindestens einer zweiten Schicht (24), die ein zweites Material aufweist, wobei das erste Material einen ersten Brechungsindex aufweist und das zweite Material einen zweiten Brechungsindex aufweist, der erste Brechungsindex und der zweite Brechungsindex sich um mindestens 0,2 unterscheiden, und die Reflektivität (R) des Spiegels (20) in dem Fall, dass ein erstes Austrittsmedium (25), welches zumindest stellenweise transluzent für elektromagnetische Strahlung einer vorgebbaren Wellenlänge ist, an den Spiegel (20) angrenzt sich um weniger als 10 % von der Reflektivität (R) des Spiegels (20) in dem Fall, dass ein vom ersten Austrittsmedium (25) verschiedenes zweites Austrittsmedium (26), welches zumindest stellenweise transluzent für elektromagnetische Strahlung der vorgebbaren Wellenlänge ist, an den Spiegel (20) angrenzt, unterscheidet für einen Wellenlängenbereich von mindestens ± 20 nm um die vorgebbare Wellenlänge herum. Des Weiteren werden ein Laser (21) und ein Laserbauteil (40) angegeben.

公开(公告)号：WO2021165095A1

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：PCT/EP2021/053059

申请日：2021-02-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SWIETLIK, Tomasz ,  VIERHEILIG, Clemens ,  ROTH, Michael ,  LAUER, Christian ,  FUCHS, Peter

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/028 ,  H01S5/00

Abstract: Es wird ein Halbleiterlaser (10) beschrieben, umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer aktiven Schicht (4), die in einem Laserresonator (14) angeordnet ist, wobei der Laserresonator (14) durch einen ersten Resonatorspiegel (11) und einen zweiten Resonatorspiegel (12) begrenzt ist und eine Temperaturabhängigkeit der Emissionswellenlänge (λ) einer von dem Halbleiterlaser (10) emittierten Laserstrahlung (13) durch eine Einstellung der optischen Verluste des Laserresonators (14) minimiert ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterlasers (10) beschrieben.

公开(公告)号：WO2021214174A1

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：PCT/EP2021/060440

申请日：2021-04-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS, Peter ,  JENTZSCH, Bruno ,  HALBRITTER, Hubert ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  LAUER, Christian ,  SCHOKE, Dean Maximilian ,  SWIETLIK, Tomasz

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/18 ,  H01S5/30 ,  H01S5/40 ,  H01S5/10

Abstract: Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Halbleiterlaser (10) eine Halbleiterschichtanordnung (112), die eine aktive Zone (115) zur Strahlungserzeugung aufweist. Der Halbleiterlaser (10) weist ferner einen ersten Resonatorspiegel (125), einen zweiten Resonatorspiegel (130) und einen zwischen dem ersten und dem zweiten Resonatorspiegel (125, 130) angeordneten optischen Resonator (131) auf, der sich in einer Richtung parallel zu einer Hauptoberfläche (111) der Halbleiterschichtanordnung (112) erstreckt. Ein Reflexionsvermögen R1 des ersten Resonatorspiegels ist wellenlängenabhängig, so dass R1 oder ein Produkt R aus R1 und dem Reflexionsvermögen R2 des zweiten Resonatorspiegels in einem Wellenlängenbereich von einer Zielwellenlänge λ0 des Lasers bis λ0 + ∆λ von einem Wert R0 abnimmt, wobei ∆λ in Abhängigkeit von einer temperaturabhängigen Verschiebung einer Emissionswellenlänge ausgewählt wird.

公开(公告)号：WO2021144377A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/EP2021/050722

申请日：2021-01-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS, Peter ,  RUSSELL, Ann ,  FALCK, Thomas ,  HALBRITTER, Hubert ,  JENTZSCH, Bruno ,  LAUER, Christian

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/42 ,  H01S5/185 ,  H01S5/02257 ,  H01S5/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/028 ,  H01S5/30 ,  H01S5/183 ,  H01S3/10061 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18386 ,  H01S5/18397 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/423

Abstract: An optoelectronic semiconductor device comprises a plurality of laser devices. Each of the laser devices is configured to emit electromagnetic radiation. The laser devices are horizontally arranged. A first laser device of the plurality of laser devices is configured to emit electromagnetic radiation having a first wavelength different from the wavelength of a further laser device of the plurality of laser devices. A difference between the first wavelength and the wavelength of the further laser device is less than 20 nm.

公开(公告)号：WO2022012988A1

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：PCT/EP2021/068481

申请日：2021-07-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG, Harald ,  FUCHS, Peter ,  NÄHLE, Lars ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01S5/026

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (31) mit den folgenden Merkmalen angegeben: - einem Halbleiterkörper (1) umfassend einen aktiven Bereich (2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt und in einem Resonator (30) angeordnet ist, - zumindest einer Ausnehmung (4) in dem Halbleiterkörper (1), die den aktiven Bereich (2) vollständig durchdringt, wobei - die Ausnehmung (4) eine erste Seitenfläche (6) und eine zweite, der erste Seitenfläche (6) gegenüber liegende Seitenfläche (7) aufweist, und - die erste Seitenfläche (6) eine erste Beschichtung (10) aufweist, die eine Reflektivität für die elektromagnetische Strahlung des aktiven Bereichs (2) vorgibt, und/oder - die zweite Seitenfläche (7) eine zweite Beschichtung (13) aufweist, die eine Reflektivität für die elektromagnetische Strahlung des aktiven Bereichs (2) vorgibt. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.