公开(公告)号：WO2011120709A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/EP2011/001645

申请日：2011-03-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HARTMANN, David ,  HERDER, Sabine ,  KANITZ, Andreas ,  MALTENBERGER, Anna ,  SARFERT, Wiebke ,  SCHMID, Günter ,  WEMKEN, Jan Hauke

Inventor： HARTMANN, David ,  HERDER, Sabine ,  KANITZ, Andreas ,  MALTENBERGER, Anna ,  SARFERT, Wiebke ,  SCHMID, Günter ,  WEMKEN, Jan Hauke

IPC: C09K11/06 ,  H01L31/0256 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0091 ,  C09B57/008 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/188 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/504 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  Y02E10/549

Abstract: Die Erfindung betrifft neuartige metallorganische Materialien für Lochinjektionsschichten bei organischen elektronischen Bauelementen, insbesondere bei Licht emittierenden Bauelementen wie organischen Leuchtdioden (OLED) oder organischen Licht emittierenden elektrochemischen Zellen (OLEEC) oder organischen Feldeffekttransistoren oder organischen Solarzellen oder organischen Photodetektoren. Lumieszenz (cd/m 2 ), Effizienz (cd/A) und Lebensdauer (h) organischer elektronische Bauelemente wie insbesondere von organischen Leuchtdioden (Fig.1) hängen stark von der Exzitonendichte in der lichtemittierenden Schicht und der Qualität der Ladungsträgerinjektion ab und werden unter anderem auch durch diese limitiert. Diese Erfindung beschreibt eine Lochinjektionsschicht, bestehend aus quadratisch-planaren einkernigen Übergangsmetall -Komplexen, wie beispielsweise von Kupfer 2+-Komplexen, die in eine lochleitende Matrix eingebettet werden.

Abstract translation: 本发明涉及用于有机电子器件的空穴注入层，特别是在发光器件新颖的有机金属材料，如有机发光二极管（OLED）或有机发光电化学电池（OLEEC），或有机场效应晶体管或有机太阳能电池或有机光电检测器。 Lumieszenz（cd / m2的），有机电子元件的效率（cd / A）和寿命（h），例如特别是有机发光二极管（图1）在很大程度上依赖于在发光层中的激子密度和载流子注入的质量，并且是特别 限于此。 本发明描述了由正方形平面单核过渡金属配合物，如铜+ 2种复合物嵌入在一个空穴传导基质的空穴注入层。

公开(公告)号：WO2013139775A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/EP2013/055665

申请日：2013-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LANG, Erwin ,  SCHWAMB, Philipp ,  HARTMANN, David ,  SCHMID, Günter ,  EDER, Florian ,  SZYSZKOWSKI, Sabine ,  SARFERT, Wiebke

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/44 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/5234 ,  H01L51/102 ,  H01L51/441 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303 ,  Y02E10/549

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird eine elektronische Struktur (100) bereitgestellt, welche mindestens eine organische Schicht (112) und mindestens eine auf die organische Schicht (112) aufgewachsene Metall-Aufwachsschicht (114) und mindestens eine auf der Metall-Aufwachsschicht (114) aufgewachsene Metallschicht (116) aufweist, wobei die mindestens eine Metall-Aufwachsschicht (114) Germanium enthält.

Abstract translation: 在各种实施例中，电子结构（100）设置上生长至少一个有机层（112）和所述有机层中的至少一个（112）生长的金属生长层（114）和所述金属生长层上的至少一个（114）的金属层 （116），其中所述至少一个金属 - 生长层（114）包含锗。

公开(公告)号：WO2011039277A2

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：PCT/EP2010/064494

申请日：2010-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PHILIPPENS, Marc ,  PÄTZOLD, Ralph ,  SARFERT, Wiebke ,  HARTMANN, David ,  HUNZE, Arvid ,  KRAUSE, Ralf

Inventor： PHILIPPENS, Marc ,  PÄTZOLD, Ralph ,  SARFERT, Wiebke ,  HARTMANN, David ,  HUNZE, Arvid ,  KRAUSE, Ralf

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5206 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5228 ,  H01L2251/552

Abstract: Optoelektronisches organisches Bauelement, umfassend: eine erste Elektrode, eine erste Planarisierungsschicht, welche auf der ersten Elektrode angeordnet ist, eine erste Injektionsschicht, welche auf der Planarisierungsschicht angeordnet ist, eine organische Funktionsschicht, welche auf der Injektionsschicht angeordnet ist, eine zweite Elektrode, welche auf der organischen Funktionsschicht angeordnet ist, wobei für den Fall, dass es sich bei der ersten Elektrode um eine Anode handelt für die Energieniveaus gilt: E F -E HOMO,Inj. ≤ E F - EHOMO,Plan. und E F -E HOMO,Inj. F -E HOMO,Funk . Oder für den Fall, dass es sich bei der ersten Elektrode um eine Kathode handelt für die Energieniveaus gilt: E LUM0,Inj. -E F ≤ E LUM0,Plan. -E F und E LUMO,inj. -E F LUMO,Funk. -E F , wobei E F für die Fermienergie, E HOMO für die Energie des höchsten besetzen Energieniveaus der jeweiligen Schicht und E LUMO für die Energie des niedrigsten unbesetzten Energieniveaus der jeweiligen Schicht steht.

Abstract translation: 光电子有机成分，包括：第一电极，设置在所述第一电极上的第一平坦化层，其被布置在所述平坦化层，设置在所述注入层上的有机功能层，在第二电极上的第一注入层 有机功能层被布置，其中，对于不存在用于能级的第一电极的阳极的情况下：EF-EHOMO，注射液。 = EF-E HOMO，计划。 和EF-E HOMO，注射。 F-èHOMO，收音机。 适用，或在于它是在第一电极上的事件是用于能级的阴极：ELUM0，Inj.-EF = ELUM0，Plan.-EF和ELUMO，注射EF-LUMO，Funk.-EF，EF其中。 是费米能量，E HOMO为每个层和相应的层的最低未占能级的能量电子LUMO的最高占有能级的能量。

公开(公告)号：EP2553047A1

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：EP11714935.1

申请日：2011-03-31

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh

Inventor： HARTMANN, David ,  SZYSZKOWSKI, Sabine ,  KANITZ, Andreas ,  MALTENBERGER, Anna ,  SARFERT, Wiebke ,  SCHMID, Günter ,  WEMKEN, Jan Hauke

IPC: C09K11/06 ,  H01L31/0256 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0091 ,  C09B57/008 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/188 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/504 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  Y02E10/549

Abstract: The invention relates to novel metal-organic materials for hole injection layers in organic electronic components, in particular in light-emitting components such as organic light diodes (OLED) or organic light-emitting electrochemical cells (OLEEC) or organic field effect transistors or organic solar cells or organic photo detectors. Luminescence (cd/m
2 ), efficiency (cd/A), and service life (h) of organic electronic components such as from organic light diodes (fig. 1) in particular are highly dependent on the exciton thickness in the light-emitting layer and on the quality of the charge carrier injection and are also limited by same, among other things. Said invention relates to a hole injection layer consisting of quadratic planar mononuclear transition metal complexes such as copper 2+ complexes, for example, which are embedded into a hole-conducting matrix.

公开(公告)号：EP2483943A2

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：EP10760674.1

申请日：2010-09-29

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： PHILIPPENS, Marc ,  PÄTZOLD, Ralph ,  SARFERT, Wiebke ,  HARTMANN, David ,  HUNZE, Arvid ,  KRAUSE, Ralf

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5206 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5228 ,  H01L2251/552

Abstract: The invention relates to an optoelectronic organic component, comprising: a first electrode (1), a first planarization layer (2), which is disposed on the first electrode, a first injection layer (3), which is disposed on the planarization layer, an organic functional layer (4), which is disposed on the injection layer, and a second electrode (5), which is disposed on the organic functional layer, where in the event that the first electrode is an anode, the following applies for the energy level: E
F -E
HOMO,Inj. ≤ E
F -E
HOMO,Plan. and E
F -E
HOMO,Inj. F -E
HOMO,Funk. . Or in the event that the first electrode is a cathode, the following applies for the energy level: E
LUM0,Inj. -E
F ≤ E
LUMO,Plan. -E
F and E
LUMO,inj. -E
F LUMO,Funk. -E
F , where E
F denotes the Fermi energy, E
HOMO denotes the energy of the highest occupied energy level of the respective layer, and E
LUMO denotes the energy of the lowest unoccupied energy level of the respective layer.