公开(公告)号：WO2019091830A1

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：PCT/EP2018/079710

申请日：2018-10-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG, Jörg Erich ,  WAGNER, Konrad ,  FÖRSTER, Michael ,  HIRN, Josef

IPC: H01L33/64 ,  H05K1/02 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H05K1/03

Abstract: Träger (100) mit einem elektrisch isolierenden Grundmaterial (30), elektrisch leitenden Durchkontaktierungen (10) und einem thermischen Anschlusselement (20). Die Durchkontaktierungen (10) und das thermische Anschlusselement (20) sind in lateraler Richtung jeweils vollständig von dem Grundmaterial (30) umgeben, wobei das thermische Anschlusselement (20) und die Durchkontaktierungen (10) das Grundmaterial (30) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (100) vollständig durchdringen, und das thermische Anschlusselement (20) mit einem Material gebildet ist, welches eine thermische Leitfähigkeit von zumindest 200W/(mK) aufweist.

公开(公告)号：WO2022223370A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：PCT/EP2022/059738

申请日：2022-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRN, Josef ,  NÖMER, Martin ,  WALTHER, Hannes ,  RÜGHEIMER, Tilman ,  HÜTTINGER, Roland ,  BAUR, Elmar ,  WOMBACHER, Ralf

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) angegeben, das zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (10) in einem Innenraum (29) eines Gehäuses (20) aufweist, wobei das Gehäuse einen Bodenteil (21) und einen Deckelteil (22) aufweist, der Bodenteil als Keramikträger ausgebildet ist, der Deckelteil aus einem oder mehreren Glasmaterialien gebildet ist, zwischen dem Bodenteil und dem Deckelteil eine Verbindungsschicht (23) aus einem Glaslot angeordnet ist und der Keramikträger einen Verbindungsbereich (210) mit einer Nickel-haltigen Oberfläche (211) aufweist, die in direktem Kontakt mit dem Glaslot steht.