Abstract:
Eine optoelektronische Anordnung umfasst eine erste Leiterplatte und eine zweite Leiterplatte. Auf der ersten Leiterplatte ist ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. An einer Oberfläche der ersten Leiterplatte sind eine erste elektrische Kontaktfläche und eine zweite elektrische Kontaktfläche ausgebildet. An einer Oberfläche der zweiten Leiterplatte sind eine erste Gegenkontaktfläche und eine zweite Gegenkontaktfläche ausgebildet. Die erste Leiterplatte und die zweite Leiterplatte sind dazu vorgesehen, so miteinander verbunden zu werden, dass die Oberfläche der ersten Leiterplatte der Oberfläche der zweiten Leiterplatte zugewandt, die erste Gegenkontaktfläche elektrisch leitend mit der ersten Kontaktfläche und die zweite Gegenkontaktfläche elektrisch leitend mit der zweiten Kontaktfläche verbunden ist.
Abstract:
Es wird ein Anschlussträger (1) angegeben, der zumindest eine Aussparung (30) für eine Befestigung des Anschlussträgers (1) an einem Montageträger (61) und zumindest zwei elektrisch voneinander isolierte Kontaktflächen (20) aufweist, angegeben. Die Kontaktflächen sind dafür vorgesehen, bei der Befestigung des Anschlussträgers (1) mittels eines sich durch die Aussparung (30) hindurch erstreckenden Befestigungsmittels (51) elektrisch leitend miteinander verbunden zu werden. Weiterhin wird eine Bauelementanordnung (4) mit einem Anschlussträger (1) und eine Beleuchtungsvorrichtung (6) mit einer Bauelementanordnung (4) angegeben.
Abstract:
Ein Träger (100) weist auf: - einen Hauptkörper (101) aus einem Material (102), das eine thermische Leitfähigkeit von zumindest 380 W/ (m K) aufweist, wobei - der Hauptkörper (101) eine Montagefläche (103) aufweist zur mechanischen und thermischen Verbindung mit einem Bauteil (300), wobei - der Hauptkörper (101) eine Ausnehmung (105) aufweist, die den Hauptkörper (101) entlang einer ersten Richtung (x) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (131) des Hauptkörpers durchdringt, - in der Ausnehmung (105) eine elektrisch isolierende Füllung (107) angeordnet ist, die eine weitere Ausnehmung (108) aufweist, die die Füllung (107) entlang der ersten Richtung (x) durchdringt, - eine die weitere Ausnehmung (108) umgebende Innenwand (109) der Füllung (107) mit einer elektrisch leitfähigen Beschichtung (110) versehen ist, um eine Durchkontaktierung (111) durch den Hauptkörper (101) zu bilden.
Abstract:
Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips (100), bei dem A) die Halbleiterchips (100) in einem Verbund (10) bereitgestellt werden, B) eine Stoffschlüssige, mechanische erste Verbindung zwischen den Halbleiterchips (100) und einer Trägerfolie (500) erzeugt wird, C) die Halbleiterchips (100) vereinzelt werden, wobei die Trägerfolie (500) die Halbleiterchips (100) nach dem Vereinzeln mechanisch miteinander verbindet, D) die erste Verbindung zwischen manchen vereinzelten Halbleiterchips (100) und der Trägerfolie (500) selektiv geschwächt wird, E) die Halbleiterchips (100), deren erste Verbindung selektiv geschwächt ist, von der Trägerfolie (500) entfernt werden.
Abstract:
Es werden ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips (10), ein solcher Halbleiterchip (10) und ein Modul (100) mit einem solchen Halbleiterchip angegeben. Das Verfahren umfasst dabei die folgenden Schritte: - Bereitstellen einer Anordnung (12) umfassend einen Träger (1) und einen Halbleiterkörper (2), - Ausbilden einer Vielzahl von Ausnehmungen (4) in der Anordnung (12), wobei im Bereich der Ausnehmungen (4) ein Teil des Trägers (1) entfernt wird, - zumindest teilweises Befüllen der Ausnehmungen (4) mit einem elektrisch leitenden Kontaktmaterial (6), und - Trennen der Anordnung (12) entlang einer Vielzahl von Trennlinien (11) in die Vielzahl von Halbleiterchips (10), wobei das Trennen stellenweise durch das elektrisch leitende Kontaktmaterial (6) erfolgt.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben, mit - zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, - einer Beschichtung (3), die den zumindest einen Halbleiterchip (2) in lateralen Richtungen umgibt, - einer magnetische Struktur (4), die von der Beschichtung (3) bedeckt ist, wobei - die magnetische Struktur (4) eine Identifikation des Bauteils ermöglicht. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauteils angegeben.
Abstract:
In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung sowie einen Optikkörper (4), der dem Halbleiterchip (3) optisch nachgeordnet ist. Ein Reflektor (5) umgibt den Optikkörper (4) seitlich ringsum formschlüssig und ist zur Reflexion der Primärstrahlung und von sichtbarem Licht eingerichtet. Der Optikkörper (4) weist eine dem Halbleiterchip (4) zugewandte Grundfläche (A) und eine dem Halbleiterchip (2) abgewandte Austrittsfläche (B) auf. In Richtung weg von dem Halbleiterchip (2) verjüngt sich der Optikkörper (4). Ein Quotient aus der Grundfläche (A) und einer Höhe (H) des Optikkörpers (4) liegt zwischen einschließlich 1 mm und 30 mm.
Abstract:
Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben. Das strahlungsemittierende Bauelement (100) umfasst - zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), wobei jeder der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) eine Strahlungsaustrittsfläche (2) aufweist, die zumindest eine Seitenfläche (3) und eine Hauptfläche (4) des strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) umfasst, - zumindest ein Konversionselement (5), wobei jedes der Konversionselemente (5) eine Strahlungsaustrittsfläche (6) aufweist, die zumindest eine Seitenfläche (7) und eine Hauptfläche (8) des Konversionselements (5) umfasst, und - ein dem zumindest einen Konversionselement (5) und dem zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) nachgeordnetes erstes Reflexionselement (9), wobei - das Verhältnis der Summe der Strahlungsaustrittsflächen (2) aller strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) zu der Summe der Strahlungsaustrittsflächen (6) aller Konversionselemente (5) größer 1 ist.
Abstract:
Leuchtzelle (100) zum Einsatz als Bildpunkt, wobei diese eingerichtet ist, um die drei Primärfarben zu erzeugen und um mit diesen unterschiedliche Farbtöne zu bilden, umfassend: - Eine lichtausgebende Vorderseite (102), eine Rückseite (104) und ein zwischen der Vorder- und Rückseite angeordnetes Substrat (106); - Eine Lichtquelle (108), die vom Substrat (106) getragen wird; - Drei Leuchtabschnitte, mit einem blauen Leuchtabschnitt (126), einem licht konvertierenden roten Leuchtabschnitt (128) und einem licht konvertierenden grünen Leuchtabschnitt (130); und - Eine Primärfarbenauswähleinrichtung (110), die eine sich wiederholende Bewegung (B) mit einer bestimmten Frequenz ausführen kann, sodass bei dieser Bewegung (B) abwechselnd einer der Leuchtabschnitte (126, 128, 130) als potentieller Lichtabgabeabschnitt ausgewählt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Primärfarbenauswähleinrichtung (110) ein einzelnes mechanisches Bauteil ist, dass zur Auswahl aller drei Leuchtabschnitte (126, 128, 130) dient.
Abstract:
Träger (100) mit einem elektrisch isolierenden Grundmaterial (30), elektrisch leitenden Durchkontaktierungen (10) und einem thermischen Anschlusselement (20). Die Durchkontaktierungen (10) und das thermische Anschlusselement (20) sind in lateraler Richtung jeweils vollständig von dem Grundmaterial (30) umgeben, wobei das thermische Anschlusselement (20) und die Durchkontaktierungen (10) das Grundmaterial (30) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (100) vollständig durchdringen, und das thermische Anschlusselement (20) mit einem Material gebildet ist, welches eine thermische Leitfähigkeit von zumindest 200W/(mK) aufweist.