公开(公告)号：WO2021121943A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：PCT/EP2020/084017

申请日：2020-12-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL, Martin ,  HOFMANN, Clemens ,  RICHTER, Daniel

IPC: F21S41/148 ,  F21S41/19 ,  F21S45/47 ,  F21K9/232 ,  H05K1/03 ,  F21S41/192 ,  F21V29/70 ,  F21Y2107/90 ,  F21Y2115/10 ,  H05K1/053 ,  H05K2201/10106

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halogenlampenersatz, insbesondere für AutomobilScheinwerfer, aufweisend eine Trägerplatte (100), die an deren beiden Hauptoberflächen jeweils mit einer strukturierten elektrisch leitenden Schicht (20) bedeckt ist, an die jeweils mindestens ein Licht emittierendes Bauteil (30), insbesondere mindestens ein Leuchtdiodenchip (30a), angeschlossen ist, wobei die Trägerplatte (100) ausgestaltet ist, von den Licht emittierenden Bauteilen (30) erzeugte Wärme an eine mittels einer KoppelStruktur (40) ausgebildeten Wärmesenke wegzuleiten.

公开(公告)号：WO2011128277A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：PCT/EP2011/055566

申请日：2011-04-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SUNDGREN, Petrus ,  BAUR, Elmar ,  HOHENADLER, Martin ,  HOFMANN, Clemens

Inventor： SUNDGREN, Petrus ,  BAUR, Elmar ,  HOHENADLER, Martin ,  HOFMANN, Clemens

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L31/112 ,  H01L33/02 ,  H01L33/30 ,  H01L33/305 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (5) angegeben, die ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (5) einen p-Typ Halbleiterbereich (2), einen n-Typ Halbleiterbereich (4) und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (2) und dem n-Typ Halbleiterbereich (4) angeordnete aktive Schicht (3) zur Emission elektromagnetischer Strahlung enthält. Der n-Typ Halbleiterbereich (4) ist einer Strahlungsaustrittsfläche (6) des Leuchtdiodenchips zugewandt, und der p-Typ Halbleiterbereich (2) ist einem Träger (7) des Leuchtdiodenchips zugewandt. Zwischen dem Träger (7) und dem p-Typ Halbleiterbereich (2) ist eine weniger als 500 nm dicke Stromaufweitungsschicht (1) angeordnet, die eine oder mehrere p-dotierte Al x Ga 1-x As-Schichten mit 0,5

Abstract translation: 公开的是具有半导体层序列的发光二极管芯片（5），包括磷化合物半导体材料，该半导体层序列（5）具有p型半导体区域（2），n型半导体区域（4）之间的p型半导体区域 （2）和布置在所述n型半导体区域（4）活性层（3）包括电磁辐射的发射。 n型半导体区域（4）是在LED芯片的面的辐射出射表面（6），和p型半导体区域（2）是发光二极管芯片的面的载体（7）。 所述支撑件（7）和（2）位于所述p型半导体区域之间小于500纳米厚的电流扩散层（1），包括用0.5 <一个或多个p型AlxGa1-XAS层X = 1。

公开(公告)号：EP2559076A1

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：EP11714027.7

申请日：2011-04-08

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： SUNDGREN, Petrus ,  BAUR, Elmar ,  HOHENADLER, Martin ,  HOFMANN, Clemens

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L31/112 ,  H01L33/02 ,  H01L33/30 ,  H01L33/305 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A light-emitting diode chip comprising a semiconductor layer sequence (5) comprising a phosphide compound semiconductor material is specified, wherein the semiconductor layer sequence (5) contains a p-type semiconductor region (2), an n-type semiconductor region (4) and an active layer (3) arranged between the p-type semiconductor region (2) and the n-type semiconductor region (4) and serving for emitting electromagnetic radiation. The n-type semiconductor region (4) faces a radiation exit area (6) of the light-emitting diode chip, and the p‑type semiconductor region (2) faces a carrier (7) of the light-emitting diode chip. A current spreading layer (1) having a thickness of less than 500 nm is arranged between the carrier (7) and the p‑type semiconductor region (2), said current spreading layer having one or a plurality of p‑doped Al
x Ga
1-x As layers where 0.5

公开(公告)号：EP2559076B1

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：EP11714027.7

申请日：2011-04-08

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： SUNDGREN, Petrus ,  BAUR, Elmar ,  HOHENADLER, Martin ,  HOFMANN, Clemens

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L31/112 ,  H01L33/02 ,  H01L33/30 ,  H01L33/305 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00