公开(公告)号：DE102017107957A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE102017107957

申请日：2017-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KUA JACKSON PIA PING ,  ECKERT TILMAN ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Halbleiterchip (2) angegeben, der dazu eingerichtet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der Halbleiterchip (2) weist eine Strahlungsaustrittsfläche (A) auf und über der Strahlungsaustrittsfläche (A) ist eine Schutzschicht (5) angeordnet. Die Schutzschicht (5) umfasst- zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid,- zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid oder- zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid.