公开(公告)号：WO2015113926A3

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/EP2015051455

申请日：2015-01-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  LINKOV ALEXANDER ,  GÖÖTZ BRITTA ,  DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L31/173 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0091

Abstract: The invention relates to a light-emitting arrangement, comprising - a radiation-emitting semiconductor chip (5) which, during operation, emits primary radiation (6) at least through one main emission surface (51), - a first conversion element (2), which absorbs part of the primary radiation (6) and emits secondary radiation (7), and - a deflection element (9) that brings about a direction change of at least part of the primary radiation (6), - the first conversion element (2) being arranged next to the radiation-emitting semiconductor chip (5) in a lateral direction, - the deflection element (9) guiding part of the primary radiation (6) onto the first conversion element (2), and - the light-emitting assembly, during operation, emitting mixed light (8) comprising the primary radiation (6) and the secondary radiation (7).

Abstract translation: 它是设置有发光装置 - 发射辐射的半导体芯片（5），其在操作中至少发射从主发射表面（51）的初级辐射（6）， - 第一转换元件（2），其吸收初级辐射的部分（6）和 次级辐射（7）发射的， - 一个偏转元件（9），使至少所述初级辐射（6）在方向上的变化，其中的一部分 - 除了发射辐射的半导体芯片（5）的第1转换元件（2）在横向方向上布置， - 偏转元件（9）引导初级辐射（6）的至少一部分到所述第一转换元件（2），以及 - 在所述操作混合光的发光装置（8）包括初级辐射（6）和次级辐射（7）发射。

公开(公告)号：WO2014029852A3

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：PCT/EP2013067479

申请日：2013-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON ,  SPECHT HOLGER ,  LINKOV ALEXANDER ,  KÖLPER CHRISTOPHER

IPC: G01J1/04 ,  G01J1/42

CPC classification number: G01J1/0425 ,  G01J1/0474 ,  G01J1/42 ,  G01J2001/4252 ,  G01M11/30

Abstract: The invention relates to a method for measuring light radiation (300) emitted by a light-emitting diode (210). In the method, an end (121) of an optical fiber (120), which optical fiber is connected to a measuring apparatus (130), is irradiated with the light radiation (300) emitted by the light-emitting diode (210) through an optical apparatus (140), such that part of the light radiation (300) is coupled into the optical fiber (120) and conducted to the measuring apparatus (130). The optical apparatus (140) causes the light radiation (300) passing through the optical apparatus (140) to be emitted in diffuse form in the direction of the end (121) of the optical fiber (130). The invention further relates to a device (100) for measuring light radiation (300) emitted by a light-emitting diode (210).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量发出的光的发光二极管（210）的光辐射（300）中的一个。 在该方法中的光纤（120），这是通过光学装置连接到测量设备（130）的端部（121）（140）穿过其中与发射的发光二极管（210）的光辐射（300）的被照射，使 的光辐射（300）到所述光纤（120）和测量装置（130）的耦合部分中被引导。 导致的是，在所述光纤（130）的端部（121）的方向上扩散器形式的光学装置（140）是通过使光的辐射（300）分配的光学设备（140）。 本发明还涉及一种设备（100），用于测量发出的光的发光二极管（210）的光辐射（300）中的一个。

公开(公告)号：WO2016146665A3

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：PCT/EP2016055651

申请日：2016-03-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  LINKOV ALEXANDER ,  SABATHIL MATTHIAS ,  KNOERR MATTHIAS

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041

Abstract: The invention relates to a light-emitting component, consisting of a light-emitting chip 110, which emits light of a first wavelength, and with at least one conversion layer 130, which converts light of the first wavelength into light of at least a second wavelength, a homogenizing element 150 being provided between the light-emitting chip 110 and the conversion layer 130, and a surface of the homogenizing element 150 bordering the light-emitting chip 110 and at least one further surface of the homogenizing element 150 bordering the conversion layer 130. The invention also relates to a method for producing a light-emitting component using a photostructurable coating for the homogenizing element and lateral spacers.

Abstract translation: 发光器件从发光芯片110，具有第一波长的光，并且将至少一个转换层130，第一波长的光转换成光具有至少第二波长，其中发射光之间的均匀化元件150芯片110和由...组成发射 提供转换层130，其中，相邻发光芯片110和Homogenisierungselements 150的至少一个其他表面邻近所述转换层第一百三Homogenisierungselements 150的表面 一种用于通过对均化和侧面间隔件的光可成像涂层的手段制造的发光器件的过程。

公开(公告)号：DE102017107957A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE102017107957

申请日：2017-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KUA JACKSON PIA PING ,  ECKERT TILMAN ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Halbleiterchip (2) angegeben, der dazu eingerichtet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der Halbleiterchip (2) weist eine Strahlungsaustrittsfläche (A) auf und über der Strahlungsaustrittsfläche (A) ist eine Schutzschicht (5) angeordnet. Die Schutzschicht (5) umfasst- zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid,- zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid oder- zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid.

公开(公告)号：DE102016103264A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102016103264

申请日：2016-02-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MATHY DAVID ,  LINKOV ALEXANDER ,  ILLEK STEFAN ,  BUTENDEICH RAINER

IPC: F21K9/65 ,  F21K9/61 ,  F21S4/28 ,  F21V5/00 ,  F21V8/00 ,  F21Y103/00 ,  F21Y103/10 ,  F21Y103/30 ,  F21Y115/10 ,  H01L25/075 ,  H01L31/153 ,  H01L33/58 ,  H05B44/00

Abstract: Es umfasst die Lichtquelle (1) einen ersten Halbleiterchip (21) zur Erzeugung von erstem Licht und einen zweiten Halbleiterchip (22) zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist als das erste Licht. In einem Lichtmischkörper (3) werden das erste und das zweite Licht durchmischt, sodass ein Mischlicht entsteht. Ein Detektor (4) befindet sich an dem Lichtmischkörper (3) und ist zur Bestimmung eines Farborts des Mischlichts eingerichtet. Die Lichtquelle (1) umfasst ferner einen Lichtabstrahlkörper (5) zur Abstrahlung des ersten und des zweiten Lichts. Der Lichtmischkörper (3) ist aus einem ersten Material mit einem ersten Brechungsindex und der Lichtabstrahlkörper (5) aus einem zweiten Material mit einem zweiten, niedrigeren Brechungsindex erzeugt. Die Halbleiterchips (21, 22) sind entlang einer Linie (6) angeordnet und weisen unterschiedliche Abstände zu dem Detektor (4) auf. Der Lichtmischkörper (3) bedeckt die Halbleiterchips (21, 22) zumindest teilweise, sodass der Detektor (4) von jedem der Halbleiterchips (21, 22) durch den Lichtmischkörper (3) Licht empfängt.

公开(公告)号：DE102013222702A1

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：DE102013222702

申请日：2013-11-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  LINKOV ALEXANDER ,  ILLEK STEFAN ,  MÖNCH WOLFGANG

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Strahlungsemissionsfläche. Über der Strahlungsemissionsfläche ist ein optisches Element angeordnet. Das optische Element weist ein Material auf, in das lichtstreuende Partikel eingebettet sind. Eine Konzentration der eingebetteten lichtstreuenden Partikel weist einen Gradienten auf, der mit der Strahlungsemissionsfläche einen von 90° abweichenden Winkel einschließt.

公开(公告)号：DE102013105625A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE102013105625

申请日：2013-05-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER FRANK ,  MÖNCH WOLFGANG ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: H01L33/58 ,  G02B1/10 ,  G02B5/08 ,  G02B5/26 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben. Die Beleuchtungsvorrichtung umfasst zumindest ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit einer Strahlungsaustrittsfläche, wobei im Betrieb erzeugtes Licht ausschließlich durch die Strahlungsaustrittsfläche austritt, und eine Schicht, die in einem Abstand dem Halbleiterbauelement nachgeordnet ist, wobei die Schicht Bereiche erster Reflektivität und Bereiche zweiter Reflektivität aufweist, die Bereiche erster Reflektivität das Licht stärker reflektieren als die Bereiche zweiter Reflektivität, eine Reflektivität der Schicht in einer lateraler Richtung variiert, wobei die laterale Richtung parallel zu der Strahlungsaustrittsfläche verläuft und die Schicht die Strahlungsaustrittsfläche in der lateralen Richtung überragt.

公开(公告)号：DE102012109113A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102012109113

申请日：2012-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MARKYTAN ALES ,  GAERTNER CHRISTIAN ,  VARGA HORST ,  MARFELD JAN ,  IHRINGER JANICK ,  SCHEUBECK MANFRED ,  SCHULZ ROLAND ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: F21V5/00

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches Element (1, 1a, 1c), das zur Strahlformung für von einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (8) emittierte Strahlung vorgesehen ist, wobei das optische Element (1, 1a, 1c) eine Strahlungseintrittsfläche (2) und eine von der Strahlungseintrittsfläche (2) verschiedene Grenzfläche (3) mit einem ersten Bereich (4) und einem zweiten Bereich (5) aufweist, wobei der erste und der zweite Bereich (4, 5) so angeordnet und ausgebildet sind, dass ein erster Strahlungsanteil (9) von durch die Strahlungseintrittsfläche (2) in das optische Element (1, 1a, 1c) eintretender Strahlung im ersten Bereich (4) reflektiert wird und nach der Reflektion im ersten Bereich (4) im zweiten Bereich (5) in Richtung einer durch die Strahlungseintrittsfläche (2) definierten Ebene abgelenkt wird.

公开(公告)号：DE102012217643A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012217643

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINKOV ALEXANDER ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (101), umfassend: – eine Halbleiterschichtenfolge (103) aufweisend eine Emitterschicht (105) zum Emittieren von elektromagnetischer Strahlung, – einen Konverter (113) zum Konvertieren von elektromagnetischer Strahlung mit einer ersten Wellenlänge in eine elektromagnetische Strahlung mit einer zweiten Wellenlänge, die von der ersten Wellenlänge verschieden ist, – einen Streukörper (109) zum Streuen zumindest einen Teils der mittels der Emitterschicht (105) emittierten elektromagnetischen Strahlung in Richtung des Konverters (113), um zumindest einen Teil der emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren, wobei der Streukörper (109) einen positiven temperaturabhängigen Streuquerschnitt aufweist, so dass bei zunehmender Temperatur eine Streuung der elektromagnetischen Strahlung in dem Streukörper (109) in Richtung des Konverters zunehmbar ist. Die Erfindung betrifft ferner einen Streukörper (109).

公开(公告)号：DE102008035255A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：DE102008035255

申请日：2008-07-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BINDER MICHAEL ,  LINKOV ALEXANDER ,  ZEILER THOMAS ,  BRICK PETER

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H05B33/00

Abstract: An optoelectronic semiconductor component comprising a connection carrier with a mounting face and an electrically insulating base member. An optoelectronic semiconductor chip is arranged on the mounting face of the connection carrier. A radiation-transmissive body having four side faces is provided. The radiation-transmissive body surrounds the semiconductor chip in such a way that the radiation-transmissive body envelops outer faces of the optoelectronic semiconductor chip not facing the connection carrier in form-fitting manner. The radiation-transmissive body comprises at least one side face which extends at least in places at an angle of between 60° and 70° to the mounting face. The base member has a thickness which amounts to at most 250 μm.