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公开(公告)号：DE112015004324T5
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：DE112015004324
申请日：2015-09-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LENEF ALAN , SORG JÖRG ERICH , KUNDALIYA DARSHAN , FRISCHEISEN JÖRG , MALM NORWIN VON
Abstract: Die Erfindung betrifft einen strukturierten Dünnfilm-Wellenlängenkonverter (100, 200), der ein Substrat (104) mit einer ersten strukturierten Oberfläche mit einer ersten Struktur aufweist, und einen auf der ersten strukturierten Oberfläche abgeschiedenen Dünnfilm (106, 206). Der Dünnfilm besteht aus wellenlängenkonvertierendem Material und weist eine zweite strukturierte Oberfläche auf, die vom Substrat entfernt angeordnet ist. Die zweite strukturierte Oberfläche weist eine zweite Struktur auf, die im Wesentlichen die gleiche ist wie die erste Struktur des Substrats. Ein Vorteil des strukturierten Dünnfilm-Wellenlängenkonverters besteht darin, dass nach Abscheidung keine Nachverarbeitung zur Erzeugung einer strukturierten Oberfläche auf dem wellenlängenkonvertierenden Material erforderlich ist. Die Erfindung betrifft ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung des strukturierten Dünnfilm-Wellenlängenkonverters.
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公开(公告)号：DE112015004324B4
公开(公告)日：2022-08-11
申请号：DE112015004324
申请日：2015-09-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KUNDALIYA DARSHAN , FRISCHEISEN JÖRG , MALM NORWIN VON , LENEF ALAN , SORG JÖRG ERICH
Abstract: Verfahren, bei dem ein strukturierter Dünnfilm-Wellenlängenkonverter hergestellt wird, und das folgende Schritte umfasst:(a) Erzeugen eines Substrats (104) mit einer ersten strukturierten Oberfläche mit einer ersten Struktur aus Elementen;(b) Abscheiden einer Zwischenschicht (220) auf der ersten strukturierten Oberfläche des Substrats,(c) Abscheiden eines Dünnfilms (206) aus wellenlängenkonvertierendem Material auf der strukturierten Oberfläche des Substrats, so dass eine vom Substrat entfernt angeordnete Oberfläche (212) des Dünnfilms eine Struktur aufweist, die im Wesentlichen die gleiche ist wie die Struktur des Substrats,(d) Entfernen des Dünnfilms vom Substrat mittels einer laserbasierten oder chemischen Lift-Off-Technik, wobei der Dünnfilm nach der Abscheidung Tempern unterzogen wird.
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3.发明专利
公开(公告)号：DE112019004137T5
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：DE112019004137
申请日：2019-08-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PIQUETTE ALAN , TCHOUL MAXIM N , KUNDALIYA DARSHAN , SCOTCH ADAM , KRÄUTER GERTRUD
Abstract: Die Anmeldung bezieht sich auf ein optoelektronisches Bauelement, das einen Halbleiterchip mit einer Vielzahl von Pixeln umfasst, wobei jedes Pixel elektromagnetische Primärstrahlung aus einer Strahlungsaustrittsfläche emittiert, wobei auf mindestens einem Teil der Strahlungsaustrittsflächen Konversionsschichten aufgebracht sind,wobei die Konversionsschichten eine quervernetzte Matrix mit einem dreidimensionalen Netzwerk auf Siloxanbasis und mindestens einen in die Matrix eingebetteten Leuchtstoff umfassen. Die Konversionsschichten haben eine Dicke von ≤ 30 µm.
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公开(公告)号：DE112019002164T5
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：DE112019002164
申请日：2019-03-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TCHOUL MAXIM N , DREEBEN THOMAS , SCOTCH ADAM , PIQUETTE ALAN , KRÄUTER GERTRUD , KUNDALIYA DARSHAN
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, umfassend einen Halbleiterchip, der in der Lage ist, Strahlung mit einem Wellenlängenbereich von 400 nm bis 490 nm zu emittieren, ein Konversionselement, das ein reaktives Polysiloxan-Matrixmaterial, einen wellenlängenkonvertierenden Leuchtstoff und Füllstoff-Nanopartikel umfasst, wobei die Füllstoff-Nanopartikel einen Durchmesser von weniger als 15 nm aufweisen und zur Modifizierung des Brechungsindex dienen und bei Zugabe zu dem reaktiven Polysiloxan-Matrixmaterial eine Mischung ergeben.
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5.发明专利
公开(公告)号：DE112017004049T5
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：DE112017004049
申请日：2017-08-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KUNDALIYA DARSHAN , O'BRIEN DAVID , GÖÖTZ BRITTA
IPC: H01L33/50
Abstract: Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den Schritten:A) Bereitstellen eines Hilfsträgers ;B) Aufbringen einer Opferschicht auf den Hilfsträger ;C) Aufbringen einer Konverterschicht auf die Opferschicht , die Quantenpunkte umfasst, die in ein Matrixmaterial oder in ein lumineszierendes Polymer eingebettet sind;D) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge;E) optionales Aufbringen einer Klebeschicht auf die Halbleiterschichtenfolge;F) optionales Bonden der Konverterschicht auf die Halbleiterschichtenfolge mittels einer Klebeschicht , wobei die Halbleiterschichtenfolge dazu konfiguriert ist, Strahlung zu emittieren;G) Entfernen des Hilfsträgers mittels optischer, mechanischer und/oder chemischer Behandlung und zumindest teilweise Zerstörung der Opferschicht.
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Patent Agency Ranking6.发明专利
公开(公告)号：DE112015003506B4
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：DE112015003506
申请日：2015-07-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KUNDALIYA DARSHAN , MISHRA KAILASH
Abstract: Verfahren zur Bildung eines Wellenlängenkonverters, umfassend:Bilden einer Konversionsschicht (204) auf einem Träger (205), wobei der Träger (205) ein Substrat (201) mit einer darauf gebildeten Opferschicht (202) aufweist, wobei die Konversionsschicht (204) in der Lage ist, ein primäres Licht in ein sekundäres Licht zu konvertieren;Wärmebehandeln zumindest der Konversionsschicht (204) bei einer ersten Temperatur T1, um zumindest eine Eigenschaft der Konversionsschicht (204) einzustellen;Bestrahlen der Opferschicht (202) durch das Substrat (201) mit von einer Lichtquelle emittiertem Licht mit einer Wellenlänge λ1, um die Trennung des Substrats (201) von der Opferschicht (202) zu erleichtern; undTrennen des Substrats (201) von der Opferschicht (202); wobei:die Opferschicht (202) ein Opfermaterial mit einer Schmelztemperatur größer als T1 und einer thermischen Zersetzungstemperatur von größer als T1 aufweist.
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公开(公告)号：DE112017002467T5
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：DE112017002467
申请日：2017-05-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TCHOUL MAXIM N , LENEF ALAN , KUNDALIYA DARSHAN
Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung mit einer Kompositverkapselung und einer optischen Komponente beschrieben. Die Beleuchtungseinrichtungen umfassen eine erste Grenzfläche zwischen der Kompositverkapselung und einer Lichtaustrittsfläche einer Lichtquelle und eine zweite Grenzfläche zwischen der Kompositverkapselung und der optischen Komponente. In verschiedenen Ausführungsformen ist die Kompositverkapselung dazu eingerichtet, einen kritischen Winkel an der ersten Grenzfläche zu erhöhen, um eine Totalreflexion an der ersten Grenzfläche zu begrenzen. Darüber hinaus können die Eigenschaften und/oder andere Merkmale der Kompositverkapselung gesteuert werden, um auch an der zweiten Grenzfläche eine Totalreflexion zu begrenzen. Ferner werden Verfahren zur Herstellung solcher Beleuchtungsvorrichtungen offenbart.
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公开(公告)号：DE112020003257T5
公开(公告)日：2022-03-24
申请号：DE112020003257
申请日：2020-07-09
Inventor： KUNDALIYA DARSHAN , LI XINHAO , MARIA ANC , FANG NICHOLAS
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , H01L27/15
Abstract: Es werden Verfahren, Systeme und Materialien zur Herstellung von mikropixelierten LEDs bereitgestellt, die durch Stereolithografietechniken ein Vollfarbspektrum erreichen können. Die Verfahren umfassen das Aufbringen einer fotohärtbaren Nanoleuchtstoff-Tintenzusammensetzung auf ein Substrat, das Projizieren eines Musters auf das Substrat und die Tintenzusammensetzung und das anschließende Aushärten mindestens eines Teils der Tintenzusammensetzung auf der Grundlage des projizierten Musters. Die Tintenzusammensetzung enthält mindestens ein fotohärtbares Polymer, eine Vielzahl von Nanoleuchtstoffen (z.B. QDs) und mindestens ein lichtstreuendes Additiv. Die resultierende ausgehärtete Tintenzusammensetzung und Substratkomponente kann eine pixelierte LED sein, die so konfiguriert ist, dass sie blaues Licht emittierende Pixel vollständig in rotes und grünes Licht emittierende Pixel umwandelt. Drucksysteme zur Durchführung dieser Verfahren und zur Herstellung dieser LEDs sind ebenfalls offengelegt, ebenso wie verschiedene, nicht einschränkende Beispiele von Formulierungen für Tintenzusammensetzungen.
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9.发明专利
公开(公告)号：DE112019005876T5
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：DE112019005876
申请日：2019-11-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ANC MARIA J , KUNDALIYA DARSHAN , RAUKAS MADIS , O'BRIEN DAVID
Abstract: Es wird ein lichtemittierendes Bauelement beschrieben, wobei das lichtemittierende Bauelement einen lichtemittierenden Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge, die zumindest eine lichtemittierende Halbleiterschicht und eine Lichtauskopplungsfläche aufweist, und eine auf der Lichtauskopplungsfläche angeordnete Wellenlängenkonversionsschicht umfasst, wobei die Wellenlängenkonversionsschicht Quantenpunkte umfasst.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements beschrieben.
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公开(公告)号：DE112019005803T5
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：DE112019005803
申请日：2019-11-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KUNDALIYA DARSHAN , MALM NORWIN VON , SERRE JEFFERY J
IPC: H01L33/50
Abstract: Ein keramisches Konversionselement, eine lichtemittierende Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements sind angegeben. In einer Ausführungsform umfasst ein keramisches Konversionselement einen zentralen Bereich mit einer strukturierten Deckfläche, die eine Vielzahl von Strukturelementen und einen Rahmen umfasst, der den zentralen Bereich umgibt, wobei der Rahmen eine ebene Deckfläche aufweist, wobei der zentrale Bereich und der Rahmen einstückig ausgebildet sind, und wobei das keramische Konversionselement dazu ausgebildet ist, Primärstrahlung in Sekundärstrahlung eines anderen Wellenlängenbereichs zu konvertieren.
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