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    Verfahren bei dem ein strukturierter Dünnfilm-Wellenlängenkonverter hergestellt wird
    1.
    发明专利
    Verfahren bei dem ein strukturierter Dünnfilm-Wellenlängenkonverter hergestellt wird 未知

    公开(公告)号：DE112015004324B4

    公开(公告)日：2022-08-11

    申请号：DE112015004324

    申请日：2015-09-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KUNDALIYA DARSHAN ,  FRISCHEISEN JÖRG ,  MALM NORWIN VON ,  LENEF ALAN ,  SORG JÖRG ERICH

    IPC: H01L33/50 ,  C09K11/08 ,  H01L33/44

    Abstract: Verfahren, bei dem ein strukturierter Dünnfilm-Wellenlängenkonverter hergestellt wird, und das folgende Schritte umfasst:(a) Erzeugen eines Substrats (104) mit einer ersten strukturierten Oberfläche mit einer ersten Struktur aus Elementen;(b) Abscheiden einer Zwischenschicht (220) auf der ersten strukturierten Oberfläche des Substrats,(c) Abscheiden eines Dünnfilms (206) aus wellenlängenkonvertierendem Material auf der strukturierten Oberfläche des Substrats, so dass eine vom Substrat entfernt angeordnete Oberfläche (212) des Dünnfilms eine Struktur aufweist, die im Wesentlichen die gleiche ist wie die Struktur des Substrats,(d) Entfernen des Dünnfilms vom Substrat mittels einer laserbasierten oder chemischen Lift-Off-Technik, wobei der Dünnfilm nach der Abscheidung Tempern unterzogen wird.

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
    2.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102017104133A1

    公开(公告)日：2018-08-30

    申请号：DE102017104133

    申请日：2017-02-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： FRISCHEISEN JÖRG ,  EBERHARDT ANGELA ,  PESKOLLER FLORIAN ,  HUCKENBECK THOMAS ,  SCHMIDBERGER MICHAEL ,  BAUER JÜRGEN

    IPC: H01L33/50 ,  C03C27/00

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einer Glasmatrix (221) eingebettet ist, wobei die Glasmatrix (221) einen Anteil von 50 bis 80 Vol.-% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von der Glasmatrix (221) und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient, wobei die erste Schicht (22) eine Schichtdicke von kleiner als 200 µm aufweist.

    Optoelektronisches Bauteil
    6.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauteil 未知

    公开(公告)号：DE102015105897A1

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：DE102015105897

    申请日：2015-04-17

    Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： FRISCHEISEN JÖRG ,  HILLING BURKHARD ,  THOMA JUTTA ,  KOCH CHRISTIAN

    IPC: H01L33/50 ,  G02F1/01 ,  H01L51/52

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil (1) eine Lichtquelle (3) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P). Durch ein Konversionselement (4) wird ein Teil der Primärstrahlung (P) in eine langwelligere Sekundärstrahlung (S) umgewandelt, so dass das Bauteil eine Mischstrahlung (M) emittiert, die aus der Primärstrahlung (P) und der Sekundärstrahlung (S) besteht. Ein Filterverhalten eines Filterelements (5) ändert sich abhängig von der Temperatur im Spektralbereich der Primärstrahlung (P), innerhalb eines Betriebstemperaturbereichs des optoelektronischen Bauteils (1). Hierdurch ist eine Farbortverschiebung der Mischstrahlung (M) bei einer Temperaturänderung reduziert.

    Lumineszenzkonversionselement und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einem solchen Lumineszenzkonversionselement
    7.
    发明专利
    Lumineszenzkonversionselement und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einem solchen Lumineszenzkonversionselement 未知

    公开(公告)号：DE102013113188A1

    公开(公告)日：2015-05-28

    申请号：DE102013113188

    申请日：2013-11-28

    Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  CUI HAILING ,  WINDISCH REINER ,  FRISCHEISEN JÖRG ,  LANGE STEFAN

    IPC: H01L33/50 ,  F21V9/40 ,  H01L33/58

    Abstract: Es wird ein Lumineszenzkonversionselement (6) für die Wellenlängenkonversion von elektromagnetischer Primärstrahlung (41) zu elektromagnetischer Sekundärstrahlung (52) angegeben, umfassend – Leuchtstoffpartikel zumindest einer ersten Art (1), welche bei Anregung durch die elektromagnetische Primärstrahlung (41) eine erste elektromagnetische Strahlung (11) emittieren, deren Peak-Wellenlänge (1p) im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums liegt, – Leuchtstoffpartikel zumindest einer zweiten Art (2), welche bei Anregung durch die elektromagnetische Primärstrahlung (41) eine zweite elektromagnetische Strahlung (21) emittieren, deren Peak-Wellenlänge (2p) im gelb-roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums liegt und – Leuchtstoffpartikel zumindest einer dritten Art (3), welche bei Anregung durch die elektromagnetische Primärstrahlung (41) eine dritte elektromagnetische Strahlung (31) emittieren, deren Peak-Wellenlänge (3p) im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums liegt, wobei – die Peak-Wellenlänge (4p) der Primärstrahlung (41) im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums liegt, – das Lumineszenzkonversionselement (6) bei energetischer Anregung durch die Primärstrahlung (41) Sekundärstrahlung (52), welche die erste, zweite und dritte Strahlung (11, 21, 31) enthält, abstrahlt und – die korrelierte Farbtemperatur einer Mischstrahlung (51), welche aus Teilen der Primärstrahlung (41) und der Sekundärstrahlung (52) besteht, der Farbtemperatur von weißem Licht entspricht.

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
    8.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102017104127A1

    公开(公告)日：2018-08-30

    申请号：DE102017104127

    申请日：2017-02-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： O'BRIEN DAVID ,  MALM NORWIN VON ,  FRISCHEISEN JÖRG ,  EBERHARDT ANGELA ,  PESKOLLER FLORIAN

    IPC: H01L33/50 ,  C08G77/00 ,  H01L51/56

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein Konversionselement (2), das der Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) direkt nachgeordnet ist, wobei das Konversionselement (2) substratfrei ist und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes anorganisches Sol-Gel Material aufweist, das aus folgender Gruppe ausgewählt ist: Wasserglas, Metallphosphat, Aluminiumphosphat, Monoaluminiumphosphat, Alkoxytetramethoxysilan, Tetraethylorthosilikat, Methyltrimethoxysilan, Methyltriethoxysilan, Titanalkoxid, Kieselsol, Metallalkoxid, Metalloxan, Metallalkoxan, Metalloxid, Metallsilikate, Metallsulphate, Wolframate, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht aufweist.

    Strukturierter Dünnfilm-Wellenlängenkonverter und Verfahren zu dessen Herstellung
    9.
    发明专利
    Strukturierter Dünnfilm-Wellenlängenkonverter und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE112015004324T5

    公开(公告)日：2017-06-14

    申请号：DE112015004324

    申请日：2015-09-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LENEF ALAN ,  SORG JÖRG ERICH ,  KUNDALIYA DARSHAN ,  FRISCHEISEN JÖRG ,  MALM NORWIN VON

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/44

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen strukturierten Dünnfilm-Wellenlängenkonverter (100, 200), der ein Substrat (104) mit einer ersten strukturierten Oberfläche mit einer ersten Struktur aufweist, und einen auf der ersten strukturierten Oberfläche abgeschiedenen Dünnfilm (106, 206). Der Dünnfilm besteht aus wellenlängenkonvertierendem Material und weist eine zweite strukturierte Oberfläche auf, die vom Substrat entfernt angeordnet ist. Die zweite strukturierte Oberfläche weist eine zweite Struktur auf, die im Wesentlichen die gleiche ist wie die erste Struktur des Substrats. Ein Vorteil des strukturierten Dünnfilm-Wellenlängenkonverters besteht darin, dass nach Abscheidung keine Nachverarbeitung zur Erzeugung einer strukturierten Oberfläche auf dem wellenlängenkonvertierenden Material erforderlich ist. Die Erfindung betrifft ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung des strukturierten Dünnfilm-Wellenlängenkonverters.

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