公开(公告)号：WO2022058149A1

公开(公告)日：2022-03-24

申请号：PCT/EP2021/073914

申请日：2021-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PAJKIC, Zeljko ,  BOSS, Markus ,  MUELLER, Michael

IPC: H01S5/02257 ,  H01S5/068

Abstract: Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Packages, insbesondere eines spritzgegossenen Schaltungsträgers, MID, wird wenigstens eine spritzgegossene eine Kavität bildende Abdeckplatte mit einer Deckfläche und einer die Deckfläche begrenzenden Umrandung bereitgestellt; wobei die Deckfläche eine Öffnung umfasst. Es werden zwei Leiterbahnen mit einem ersten Abschnitt auf einer Oberkannte der Umrandung, einen zweiten Abschnitt auf einer Seitenfläche der Umrandung und einen dritten Abschnitt auf der Deckfläche erzeugt und dann ein optisches Element in der Öffnung der Deckfläche ausgebildet. Schließlich wird ein schleifenförmiger Interlockschaltkreis auf dem optischen Element in einem Randbereich zwischen Öffnung und Deckfläche aufgebracht, wobei jeweils ein Ende des schleifenförmigen Interlockschaltkreises mit einer der ersten und zweiten Leiterbahn verbunden ist.

公开(公告)号：WO2022074245A1

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：PCT/EP2021/077957

申请日：2021-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PAJKIC, Zeljko ,  BOSS, Markus ,  MUELLER, Michael

IPC: H05K3/32 ,  H05K1/11 ,  H01L25/16 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: Die Erfindung betrifft eine elektrische Kontaktanordnung, umfassend ein erstes Trägersubstrat, auf dessen Oberfläche eine erste Elektrode angelegt ist; ein zweites Trägersubstrat, auf dessen Oberfläche eine zweite Elektrode angelegt ist; und eine elektrische Leitkleberschicht, die die erste Elektrode mit der zweiten Elektrode elektrisch leitend verklebt. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode mindestens eine bis zum jeweiligen Trägersubstrat reichende Konturunterbrechung mit einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen der elektrischen Leitkleberschicht und dem jeweiligen Trägersubstrat aufweist; wobei für mindestens einen Profilschnitt durch die Konturunterbrechung und die erste Elektrode und zweite Elektrode der Bereich der stoffschlüssigen Verbindung zwischen der elektrischen Leitkleberschicht und dem jeweiligen Trägersubstrat auf mindestens zwei Seiten durch eine ununterbrochene Lagenabfolge abgegrenzt ist, für die ein Abschnitt der jeweiligen Elektrode zwischen dem jeweiligen Trägersubstrat und der elektrischen Leitkleberschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2020074664A1

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：PCT/EP2019/077523

申请日：2019-10-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PAJKIC, Zeljko ,  MUELLER, Michael

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/48 ,  H01L33/52

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen Träger (100), einen an einer Oberseite (101) des Trägers (100) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (200) und einen an der Oberseite (101) des Trägers angeordneten Rahmen (300), der den optoelektronischen Halbleiterchip (200) umrahmt. Eine der Oberseite (101) des Trägers (100) zugewandte Unterseite (302) des Rahmens (300) weist mindestens eine Ausnehmung (330) auf. In einem durch den Rahmen (300) umrahmten Raumbereich (320) an der Oberseite (101) des Trägers (100) ist ein Vergussmaterial (400) angeordnet, steht in Kontakt mit dem Rahmen (300) und füllt die Ausnehmung (330) des Rahmens (300) zumindest teilweise.

公开(公告)号：WO2020104514A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/EP2019/081905

申请日：2019-11-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PAJKIC, Zeljko ,  NUETZEL, Florian ,  KNORR, Fabian ,  MUELLER, Michael

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/183 ,  H01S5/026 ,  H01S5/42

Abstract: Beschrieben wird eine Lichtemittereinheit (10) mit wenigstens einem VCSEL-Chip (11), die eine Lichtaustrittsfläche (15), über die vom VCSEL-Chip (11) erzeugtes und senkrecht zur Chipebene abgestrahltes Licht in eine Umgebung (16) emittiert wird, und die Kontakte (17) zur Zuführung der für die Erzeugung des Lichts durch den VCSEL-Chip (11) benötigten elektrischen Energie aufweist. Die beschriebene technische Lösung zeichnet sich dadurch aus, dass zumindest eine senkrecht zur Chipebene angeordnete Seitenfläche (18) des VCSEL-Chips (11) wenigstens abschnittsweise von einem Abdeckelement (12) berührt und überdeckt wird.