公开(公告)号：WO2014029733A2

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/EP2013067238

申请日：2013-08-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  MUELLER CHRISTIAN

IPC: H01L25/16

CPC classification number: G01J3/513 ,  G01J2001/4247 ,  H01L31/02162 ,  H05B33/0869

Abstract: Disclosed is an optoelectronic sensor (5) for detecting a change in the performance and/or the wavelength of a light source (10) in at least one wavelength range (lambda1 ,min, lambda1,max), said sensor comprising a first photodetector (1) and a second photodetector (2), the first photodetector (1) having a spectral sensitivity S1(lambda) and the second photodetector (2) having a spectral sensitivity S2(lambda). The spectral sensitivities differ from one another and a quotient S1(lambda)/S2(lambda) of the spectral sensitivities in the at least one wavelength range (lambda1,min, lambda1,max) increases monotonically or decreases monotonically. Also disclosed are an optoelectronic component (12) comprising the optoelectronic sensor (5) and a method for operating the optoelectronic sensor (5).

Abstract translation: 它是在至少一个波长范围内进行检测（lambda1，分钟，lambda1，最大），包括第一光检测器（1）和一个第二光电检测器的光电传感器（5）中的功率和/或光源（10）的波长的变化 （2），其中，所述第一光电检测器（1）的光谱灵敏度S1（拉姆达）和所述第二光电检测器（2）的光谱灵敏度S2（拉姆达）了。 光谱感光度彼此，其中比值S1（拉姆达）在至少一个波长范围内的光谱感光度的/ S2（拉姆达）（lambda1，分钟，lambda1，最大值）单调增加或单调减少不同。 此外，光电子器件（12）到所述光电传感器（5）和用于操作该光电传感器（5）的方法，可以给出。

公开(公告)号：DE102010003055A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：DE102010003055

申请日：2010-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER CHRISTIAN

IPC: G01J1/42

Abstract: Es handelt sich um eine Einheit (1) zur Bestimmung der Art der dominierenden Lichtquelle in einer auf die Einheit (1) einfallenden elektromagnetischen Strahlung (2), die aus einer Vielzahl von Lichtquellen verschiedener Art erzeugt wird. Die Einheit weist mindestens eine erste Fotodiode (10) auf, ausgebildet, um elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Spektralbereich zu detektieren und ein erstes Ausgangssignal (11) zu erzeugen. Die Einheit weist mindestens eine zweite Fotodiode (20) auf, ausgebildet, um elektromagnetische Strahlung im infraroten Spektralbereich zu detektieren und ein zweites Ausgangssignal (21) zu erzeugen. Die Einheit weist mindestens eine Berechnungseinheit (30) auf, ausgebildet, um ein Quotientenergebnis (23) und ein Frequenzergebnis (13) aus dem ersten (11) und dem zweiten (21) Ausgangssignal abzuleiten. Das Frequenzergebnis (13) gibt Informationen über das Vorhandensein oder das Nichtvorhandensein von in der elektromagnetischen Strahlung enthaltenen Signalanteilen in einem vorgegebenen Frequenzbereich an. Die Einheit weist mindestens einer Auswerteeinheit (40) auf, ausgebildet, um aus dem Quotientenergebnis (23) und dem Frequenzergebnis (13) die Art der dominierenden Lichtquelle abzuleiten.

公开(公告)号：DE102009012755A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：DE102009012755

申请日：2009-03-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER CHRISTIAN ,  KUHLMANN WERNER

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232

Abstract: Es wird ein strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der mit Silizium gebildet ist und eine Strahlungseintrittsfläche (1a) sowie eine Absorptionszone (2) aufweist, in der durch die Strahlungseintrittsfläche (1a) in den Halbleiterkörper (1) tretende elektromagnetische Strahlung (10) absorbiert wird, wobei die Absorptionszone (2) eine Dicke (d) von höchstens 10 µm aufweist, - einer Filterschicht (3), die mit einem dielektrischen Material gebildet ist, wobei die Filterschicht (3) die Strahlungseintrittsfläche (1a) des Halbleiterkörpers (1) bedeckt, und - einem Vergusskörper (4), der den Halbleiterkörper (1) zumindest an seiner Strahlungseintrittsfläche (1a) überdeckt, wobei der Vergusskörper (4) ein strahlungsabsorbierendes Material (5) enthält.

公开(公告)号：DE102012107743A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE102012107743

申请日：2012-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER CHRISTIAN ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: G01J1/42 ,  G01J3/50 ,  H05B44/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Sensor (5) zur Detektion einer Änderung der Leistung und/oder der Wellenlänge einer Lichtquelle (10) in mindestens einem Wellenlängenbereich (λ1,min, λ1,max) angegeben, umfassend einen ersten Fotodetektor (1) und einen zweiten Fotodetektor (2), wobei er erste Fotodetektor (1) eine spektrale Empfindlichkeit S1(λ) und der zweite Fotodetektor (2) eine spektrale Empfindlichkeit S2(λ) aufweist. Die spektralen Empfindlichkeiten sind voneinander verschieden, wobei ein Quotient S1(λ)/S2(λ) der spektralen Empfindlichkeiten in dem mindestens einem Wellenlängenbereich (λ1,min, λ1,max) monoton ansteigt oder monoton abnimmt. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (12) mit dem optoelektronischen Sensor (5) und ein Verfahren zum Betrieb des optoelektronischen Sensors (5) angegeben.

公开(公告)号：DE102008030750A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：DE102008030750

申请日：2008-06-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER CHRISTIAN ,  KUHLMANN WERNER

IPC: H01L31/10

Abstract: The detector (1) has a semiconductor body (2) with an active area (20) made of silicon for detecting radiations and side surfaces (23) for limiting the body in a lateral direction. A passive area (6) made of semiconductor material is formed along the side surfaces for controlling addition of the radiations irradiated laterally in the direction of the active area for producing a signal of the detector in the active area. The passive area runs between the active area and the side surfaces and is formed by a recess in the body, where the recess is filled with a filling material.

公开(公告)号：DE102007007584A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：DE102007007584

申请日：2007-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER CHRISTIAN ,  KUHLMANN WERNER

IPC: H01L27/146

Abstract: The semiconductor detector arrangement (15) has multiple semiconductor structures, particularly photodiodes arranged on the front side of the substrate. The structures are connected with the support layer by electric contact and form multiple detectors (14) together with the substrate. Multiple regions of the semiconductor substrate are spatial assigned to semiconductor structures, and are separated partially from each other by separating grooves (16), so that charge carriers are prevented to reach from a region to another region of the substrate. An independent claim is also included for a manufacturing method for a semiconductor detector arrangement.