公开(公告)号：WO2015059204A3

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/EP2014072674

申请日：2014-10-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H04B10/502 ,  H05B33/0815 ,  H05B33/089

Abstract: The invention relates to a circuit arrangement for actuating an optoelectronic component comprising a first node, a second node, a third node, and a fourth node. A supply voltage can be connected between the first node and the fourth node. The first node is connected to the second node. An optoelectronic component can be arranged between the second node and the third node. A first transistor for switching a channel between the third node and the fourth node is arranged between the third node and the fourth node. A series circuit having a first resistor and a coil is arranged between the first node and the third node.

Abstract translation: 用于驱动光电子器件的电路装置包括第一节点，第二节点，第三节点和第四节点。 电源电压可以施加在第一节点和第四节点之间。 第一个节点连接到第二个节点。 在第二节点和第三节点之间，可以布置光电子器件。 在第三节点和第四节点之间，用于切换信道的第一晶体管被布置在第三节点和第四节点之间。 在第一节点和第三节点之间，布置具有第一电阻器和线圈的串联电路。

公开(公告)号：WO2014029839A2

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/EP2013067449

申请日：2013-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT

IPC: H01L31/167

CPC classification number: G01S17/08 ,  G01S7/481 ,  G01S7/4813 ,  G01S17/026 ,  G02B5/10 ,  H01L25/167 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/167 ,  H01L2224/48091 ,  H03K17/941 ,  H03K2217/94108 ,  H01L2924/00014

Abstract: The invention relates to an optoelectronic device (1) comprising a detector for receiving radiation and a frame (3). Said frame is provided with an opening (30), in which the detector is located. The frame extends vertically between a radiation penetration face (300) and a rear face (301). The opening has a lateral face (4) running obliquely to the vertical direction. The oblique lateral face from the top view of the radiation penetration face has a first sub-section (41) and a second sub-section (42). The first sub-section is designed as a reflector for the radiation that is to be received by the detector and the second sub-section guides radiation that is incident on the second sub-section in the vertical direction away from the detector.

Abstract translation: 存在具有用于接收辐射检测器提供了一种光电器件（1），和一个框架（3）， - 一个开口设置在所述框架，其中，所述检测器位于（30）形成; - 所述框架中的一个辐射通路侧（300）和一后侧（301）之间的垂直方向上延伸; - 所述开口具有倾斜延伸到垂直方向上的侧表面（4）; - 在平面倾斜侧面查看辐射穿透面（41）和第二部分（42）的第一部分; - 作为反射器的所述第一部分区域由检测器形成为被接收的辐射; 以及 - 沿所述第二部分入射辐射的垂直方向上的第二部分远离探测器偏转。

公开(公告)号：WO2014029733A2

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/EP2013067238

申请日：2013-08-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  MUELLER CHRISTIAN

IPC: H01L25/16

CPC classification number: G01J3/513 ,  G01J2001/4247 ,  H01L31/02162 ,  H05B33/0869

Abstract: Disclosed is an optoelectronic sensor (5) for detecting a change in the performance and/or the wavelength of a light source (10) in at least one wavelength range (lambda1 ,min, lambda1,max), said sensor comprising a first photodetector (1) and a second photodetector (2), the first photodetector (1) having a spectral sensitivity S1(lambda) and the second photodetector (2) having a spectral sensitivity S2(lambda). The spectral sensitivities differ from one another and a quotient S1(lambda)/S2(lambda) of the spectral sensitivities in the at least one wavelength range (lambda1,min, lambda1,max) increases monotonically or decreases monotonically. Also disclosed are an optoelectronic component (12) comprising the optoelectronic sensor (5) and a method for operating the optoelectronic sensor (5).

Abstract translation: 它是在至少一个波长范围内进行检测（lambda1，分钟，lambda1，最大），包括第一光检测器（1）和一个第二光电检测器的光电传感器（5）中的功率和/或光源（10）的波长的变化 （2），其中，所述第一光电检测器（1）的光谱灵敏度S1（拉姆达）和所述第二光电检测器（2）的光谱灵敏度S2（拉姆达）了。 光谱感光度彼此，其中比值S1（拉姆达）在至少一个波长范围内的光谱感光度的/ S2（拉姆达）（lambda1，分钟，lambda1，最大值）单调增加或单调减少不同。 此外，光电子器件（12）到所述光电传感器（5）和用于操作该光电传感器（5）的方法，可以给出。

公开(公告)号：DE102017012399B4

公开(公告)日：2025-04-24

申请号：DE102017012399

申请日：2017-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WOJCIK ANDREAS ,  HALBRITTER HUBERT ,  MARIC JOSIP

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40

Abstract: Halbleiterstrahlungsquelle (1) mit- mehreren Halbleiterchips (2) zur Strahlungserzeugung,- einer Ansteuereinheit (4) mit mehreren Schaltelementen (41) zum gepulsten Betrieb der Halbleiterchips (2), und- einem Kondensatorkörper (3), wobei- die Halbleiterchips (2) gemeinsam auf dem genau einen Kondensatorkörper (3) angeordnet sind,- die Halbleiterchips (2) jeweils flächig direkt elektrisch mit dem Kondensatorkörper (3) verbunden sind,- die Ansteuereinheit (4) elektrisch je mit einer dem Kondensatorkörper (3) gegenüberliegenden Seite des betreffenden Halbleiterchips (2) verbunden ist,- die Ansteuereinheit (4), der Kondensatorkörper (3) und die Halbleiterchips (2) übereinander gestapelt angeordnet sind, sodass sich der Kondensatorkörper (3) zwischen der Ansteuereinheit (4) und den Halbleiterchips (2) befindet,- die Halbleiterchips (2) jeweils vollständig innerhalb einer Grundfläche des Kondensatorkörpers (3) liegen, in Draufsicht gesehen,- die Halbleiterchips (2) jeweils oberflächenemittierende Halbleiterlaser mit einer vertikalen Resonatorstruktur sind, und- der Kondensatorkörper (3) monolithisch als Chip mit einer Kapazität von mindestens 10 nF gestaltet ist.

公开(公告)号：DE112020005209T5

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE112020005209

申请日：2020-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBNER ANDREAS ,  HILLER ULI ,  BRICK PETER ,  HALBRITTER HUBERT ,  SCHWARZ THOMAS ,  WITTMANN MICHAEL ,  GRÖTSCH STEFAN ,  SCHWALENBERG SIMON ,  WITTMANN SEBASTIAN

IPC: F21K9/60 ,  B60Q1/00 ,  B60Q3/00 ,  B60Q3/20 ,  B60Q3/208 ,  F21K9/00 ,  F21K9/65 ,  F21K9/68 ,  G02B5/02 ,  G09F9/33 ,  H01L25/075 ,  H01L33/60

Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung, insbesondere eine Anzeigevorrichtung, umfasst:mindestens eine optoelektronische Lichtquelle (101),eine zumindest teilweise transparente Frontschicht (133),eine zumindest teilweise transparente Trägerschicht (103),wobei die Lichtquelle (101) zwischen der Frontschicht (133) undder Trägerschicht (103) angeordnet ist,wobei eine Vorderseite der Lichtquelle (101) der Frontschicht (133) und eine Rückseite der Lichtquelle (101) der Trägerschicht (103) zugewandt ist, undwobei in Umfangsrichtung um die Lichtquelle (101) herum eine Begrenzungsvorrichtung (107) vorgesehen ist, wobei die Begrenzungsvorrichtung (107) einen räumlichen Bereich, in den die Lichtquelle (101) Licht abstrahlt, so begrenzt, dass eine innere Totalreflexion des abgestrahlten Lichts, insbesondere an einer Grenzfläche (143) zwischen der Frontschicht (133) und der Umgebung, vermieden oder zumindest reduziert wird.

公开(公告)号：DE102012104910B4

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102012104910

申请日：2012-06-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT

IPC: H01L31/167 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232

Abstract: Optoelektronische Vorrichtung (1) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen ersten Bauelement (21), einem zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen zweiten Bauelement (22), einem Anschlussträger (4) und einem Rahmen (3), wobei- das erste Bauelement (21) und das zweite Bauelement (22) auf dem Anschlussträger (4) angeordnet sind;- der Rahmen (3) auf dem Anschlussträger (4) angeordnet ist;- das erste Bauelement (21) in einer ersten Öffnung (31) des Rahmens (3) angeordnet ist;- das zweite Bauelement (22) in einer zweiten Öffnung (32) des Rahmens (3) angeordnet ist;- die erste Öffnung (31) und die zweite Öffnung (32) sich von einer dem Anschlussträger (4) gegenüberliegenden Hauptfläche (30) des Rahmens (3) in Richtung des Anschlussträgers (4) erstrecken;- sich die erste Öffnung (31) und die zweite Öffnung (32) vollständig von der dem Anschlussträger (4) gegenüberliegenden Hauptfläche (30) des Rahmens (3) bis zu dem Anschlussträger (4) durch den Rahmen (3) hindurch erstrecken;- die Hauptfläche (30) zwischen der ersten Öffnung (31) und der zweiten Öffnung (32) einen Zwischenbereich (5) aufweist, in dem eine Reflexion von auf die Hauptfläche (30) auftreffender Strahlung vermindert ist; und- in dem Zwischenbereich (5) eine Strukturierung (50) mit zumindest einer Vertiefung (51) ausgebildet ist und/oder der Zwischenbereich (5) einen schräg zum Anschlussträger (4) verlaufenden Oberflächenbereich (54) der Hauptfläche (30) aufweist.

公开(公告)号：DE112021000569T5

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：DE112021000569

申请日：2021-01-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS PETER ,  RUSSELL ANN ,  FALCK THOMAS ,  HALBRITTER HUBERT ,  JENTZSCH BRUNO ,  LAUER CHRISTIAN

IPC: H01S5/40 ,  G02B27/18 ,  G02B27/48 ,  H01S5/183 ,  H01S5/185 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/42

Abstract: Eine optoelektronische Halbleitervorrichtung umfasst eine Vielzahl von Laservorrichtungen. Jede der Laservorrichtungen ist ausgestaltet, dass sie elektromagnetische Strahlung emittiert. Die Laservorrichtungen sind horizontal angeordnet. Eine erste Laservorrichtung der Vielzahl von Laservorrichtungen ist ausgestaltet, dass sie elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge emittiert, die sich von der Wellenlänge einer weiteren Laservorrichtung der Vielzahl von Laservorrichtungen unterscheidet. Der Unterschied zwischen der ersten Wellenlänge und der Wellenlänge der weiteren Laservorrichtung beträgt weniger als 20 nm.

公开(公告)号：DE112020006527T5

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：DE112020006527

申请日：2020-12-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RUSSELL ANN ,  HALBRITTER HUBERT ,  GOELTNER CHRISTOPH

IPC: G01N21/65 ,  G01N21/64

Abstract: Es werden ein Gerät, eine tragbare elektronische Vorrichtung und ein Verfahren zur Durchführung von Raman-Spektroskopie offenbart. In einer Ausführungsform umfasst eine Vorrichtung mindestens einen optoelektronischen Laser, der so konfiguriert ist, dass er eine Probe mit Anregungsstrahlung versorgt, wobei die Anregungsstrahlung durch einen elektrischen Strom erzeugt wird, der während des Betriebs der Vorrichtung durch den mindestens einen optoelektronischen Laser fließt, und einen Transistor, der so konfiguriert ist, dass er den durch den mindestens einen optoelektronischen Laser fließenden elektrischen Strom moduliert, um dadurch die Erzeugung der Anregungsstrahlung ein- und auszuschalten.

公开(公告)号：DE102021108200A1

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：DE102021108200

申请日：2021-03-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  JENTZSCH BRUNO ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO

IPC: H01L33/20 ,  B60Q1/04 ,  H01L33/30 ,  H01L33/36 ,  H01L33/60

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1)- eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich mindestens eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung (R) befindet, und- eine erste Elektrode (31) und eine zweite Elektrode (32), mit denen die Halbleiterschichtenfolge (2) elektrisch kontaktiert ist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der aktiven Zone (22) mindestens eine schräg verlaufende Facette (41, 42) aufweist, die für eine Strahlumlenkung der Strahlung (R) eingerichtet ist, und- sich die erste Elektrode (31) und die zweite Elektrode (32) an derselben Montageseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) wie die mindestens eine schräg verlaufende Facette (41, 42) befinden und die Montageseite (20) eine Hauptseite der Halbleiterschichtenfolge (2) ist, und- eine Auskopplung der Strahlung (R) an einer der Montageseite (20) gegenüberliegenden Abstrahlseite (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) erfolgt.

公开(公告)号：DE112020005345A5

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE112020005345

申请日：2020-10-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01S5/30 ,  H01S5/42