公开(公告)号：DE102010008605A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：DE102010008605

申请日：2010-02-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WIENER DANIEL ,  NINZ PATRICK

IPC: H01L33/48 ,  H01L23/10 ,  H01S5/022

Abstract: Es wird eine optoelektronisches Bauteil angegeben, mit – einem Anschlussträger (1), – zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip (4), und – einer strahlungsdurchlässigen Abdeckung (2), wobei – der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip (4) an einer Oberseite (1a) des Anschlussträgers (1) angeordnet ist, – die Abdeckung (2) mit dem Anschlussträger (1) eine Kavität (21) ausbildet, in der der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip (4) angeordnet ist, und – die Abdeckung (2) mittels eines Klebstoffes (3) zerstörungsfrei lösbar am Anschlussträger (1) befestigt ist.

公开(公告)号：DE112017003623A5

公开(公告)日：2019-04-11

申请号：DE112017003623

申请日：2017-07-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REESWINKEL THOMAS ,  NINZ PATRICK

IPC: H01L33/44

公开(公告)号：DE102010023343A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：DE102010023343

申请日：2010-06-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRUNNER HERBERT ,  NINZ PATRICK

IPC: H01L33/36 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (14) angegeben, der neben einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Zone (4), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, eine Trägerschicht (1) aufweist, die dazu vorgesehen ist, die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) mechanisch zu stabilisieren. Weiterhin weist der Halbleiterkörper (14) Kontaktstrukturen (9, 91) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (14) auf, die jeweils einen Volumenbereich (12) und einen Oberflächenfügebereich (13) aufweisen, wobei der Oberflächenfügebereich aus einem Material gebildet ist, das von dem Material des Volumenbereichs (12) verschieden ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterkörpers (14) und ein Bauelement mit einem solchen Halbleiterkörper (14) angegeben.

公开(公告)号：DE102018113305A1

公开(公告)日：2019-12-05

申请号：DE102018113305

申请日：2018-06-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LERMER MATTHIAS ,  SCHNEIDER ALBERT ,  BECKER DIRK ,  NINZ PATRICK

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/67

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils weist folgende Verfahrensschritte auf: Ein erstes Bauelement wird mittels eines Werkzeugs aufgenommen. Das Werkzeug wird an eine Montagefläche eines Trägers angenähert, bis ein Anschlagsbereich des Werkzeugs mit einer Referenzfläche in Kontakt kommt. Das erste Bauelement wird vom Werkzeug abgelöst.

公开(公告)号：DE102016113490A1

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：DE102016113490

申请日：2016-07-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REESWINKEL THOMAS ,  NINZ PATRICK

IPC: H01L33/56 ,  C08J7/12 ,  H01L23/29 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Plättchen (1) für ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das ein Silikon aufweist, wobei auf zumindest einer Oberfläche des Plättchens (1) chemische Verbindungen umfassend jeweils eine Ankergruppe (3) und eine Kopfgruppe (4) vorhanden sind, und die chemischen Verbindungen mit der Ankergruppe (3) an das Silikon gebunden sind, und wobei die Adhäsion auf der zumindest einen Oberfläche durch die Kopfgruppe (4) der chemischen Verbindungen vermindert ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, welches ein solches Plättchen (1) enthält. Es wird weiterhin das optoelektronische Bauelement angegeben.

公开(公告)号：DE112014004194A5

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：DE112014004194

申请日：2014-09-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NINZ PATRICK

IPC: H05K1/02 ,  H01L33/48

公开(公告)号：DE102013218404A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102013218404

申请日：2013-09-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NINZ PATRICK

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/58 ,  H01L31/18 ,  H01L33/44 ,  H01S5/02

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Träger mit einer Oberseite. Ein lateraler Abschnitt der Oberseite ist durch einen ersten Lack bedeckt. Der laterale Abschnitt umfasst einen ersten Teilbereich und einen zweiten Teilbereich. Der erste Teilbereich und der zweite Teilbereich weisen unterschiedliche optische Eigenschaften auf.

公开(公告)号：DE102009004724A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：DE102009004724

申请日：2009-01-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NINZ PATRICK ,  BRUNNER HERBERT

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/02 ,  H01S5/022

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils umfasst dieses die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines Trägers, - Aufbringen mindestens einer ersten Metallschicht auf dem Träger, - Bereitstellen zumindest einer optischen Komponente, - Aufbringen mindestens einer zweiten Metallschicht auf der zumindest einen optischen Komponente, und - mechanisches Verbinden des Trägers mit der zumindest einen optischen Komponente über die mindestens eine erste und die mindestens eine zweite Metallschicht.