公开(公告)号：DE102016101719A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE102016101719

申请日：2016-02-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOEMAKER STEFAN ,  GEBUHR TOBIAS ,  BOSS MARKUS

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/48

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einer einen Kontaktbereich aufweisenden Oberseite, zum Anordnen einer den Kontaktbereich zumindest abschnittsweise umgrenzenden Platzhalterstruktur aus einem ersten Material an der Oberseite des Leiterrahmens, zum Ausbilden eines Gehäusekörpers aus einem zweiten Material, wobei der Leiterrahmen und die Platzhalterstruktur zumindest teilweise in das zweite Material eingebettet werden, wobei der Gehäusekörper mit einer Kavität ausgebildet wird, wobei der Kontaktbereich und ein Abschnitt der Platzhalterstruktur im Bereich der Kavität unbedeckt durch das zweite Material bleiben, und zum Entfernen zumindest eines Teils der Platzhalterstruktur.

公开(公告)号：DE102015111656A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：DE102015111656

申请日：2015-07-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOEMAKER STEFAN

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/56

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) aufweisend einen optoelektronischen Halbleiterchip (10), der zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, eine Oberfläche (1) aufweisend ein erstes Metall (Me1) oder ein erstes Metalloxid (Me1O), die in Gegenwart einer schwefelhaltigen Umgebung (S) in ein erstes Metallsulfid (Me1S) umgewandelt werden kann, ein Schutzmaterial (2) aufweisend ein zweites Metall (Me2) oder ein zweites Metalloxid (Me2O), das zumindest teilweise durchlässig für die von dem Halbleiterchip (10) emittierte Strahlung (101) ist, wobei das Schutzmaterial (2) in Gegenwart einer schwefelhaltigen Umgebung (S) zu einem zweiten Metallsulfid (Me2S) reagiert, wobei das Schutzmaterial (2) sulfophiler als die Oberfläche (1) ist, so dass die Bildung des ersten Metallsulfids (Me1S) vermindert oder verhindert ist.