公开(公告)号：DE102016103328A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102016103328

申请日：2016-02-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHREDER STEFAN ,  RAFAEL CHRISTINE

IPC: H01L25/075 ,  G09F9/33 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips, die jeweils eine Strahlungsemissionsseite und eine Kontaktseite aufweisen, wobei an der Kontaktseite jeweils mindestens zwei elektrische Kontaktflächen angeordnet sind, zum Einbetten der optoelektronischen Halbleiterchips in einen ersten Formkörper, wobei die Strahlungsemissionsseiten und die Kontaktseiten zumindest teilweise unbedeckt durch den ersten Formkörper bleiben, und zum Anordnen einer Verschaltungsstruktur an einer Rückseite des ersten Formkörpers, wobei die Verschaltungsstruktur Leiterbahnen umfasst, die elektrisch leitend mit den elektrischen Kontaktflächen der optoelektronischen Halbleiterchips verbunden werden.