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1.发明专利
公开(公告)号：DE102016103328A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：DE102016103328
申请日：2016-02-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHREDER STEFAN , RAFAEL CHRISTINE
IPC: H01L25/075 , G09F9/33 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L33/64
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips, die jeweils eine Strahlungsemissionsseite und eine Kontaktseite aufweisen, wobei an der Kontaktseite jeweils mindestens zwei elektrische Kontaktflächen angeordnet sind, zum Einbetten der optoelektronischen Halbleiterchips in einen ersten Formkörper, wobei die Strahlungsemissionsseiten und die Kontaktseiten zumindest teilweise unbedeckt durch den ersten Formkörper bleiben, und zum Anordnen einer Verschaltungsstruktur an einer Rückseite des ersten Formkörpers, wobei die Verschaltungsstruktur Leiterbahnen umfasst, die elektrisch leitend mit den elektrischen Kontaktflächen der optoelektronischen Halbleiterchips verbunden werden.
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公开(公告)号：DE112020000567A5
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：DE112020000567
申请日：2020-01-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUMHEINRICH THORSTEN , BEHRINGER MARTIN , BIEBERSDORF ANDREAS , BOSS RUTH , BRANDL MICHAEL , BRICK PETER , DROLET JEAN-JAQUES , HALBRITTER HUBERT , KREINER LAURA , LANG ERWIN , LEBER ANDREAS , MEYER TOBIAS , PFEUFFER ALEXANDER , PHILIPPENS MARC , RICHTER JENS , SCHWARZ THOMAS , TA PAUL , VARGHESE TANSEN , WANG XUE , WITTMANN SEBASTIAN , STOLZ JULIA , DIEKMANN KARSTEN , ENGL KARL , HERRMANN SIEGFRIED , HAHN BERTHOLD , ILLEK STEFAN , JENTZSCH BRUNO , PERZLMAIER KORBINIAN , PIETZONKA INES , RAUSCH ANDREAS , REGAU KILIAN , RUEGHEIMER TILMAN , SCHWALENBERG SIMON , SOELL CHRISTOPHER , STAUSS PETER , SUNDGREN PETRUS , VU HOA , WIESMANN CHRISTOPHER , BOGNER GEORG , HÖRNER PATRICK , KLEMP CHRISTOPH , MÜLLER JENS , NEVELING KERSTIN , PARK JONG , RAFAEL CHRISTINE , SINGER FRANK , CHAND KANISHK , FEIX FELIX , MÜLLER CHRISTIAN , RUMMEL EVA-MARIA , HEITZER NICOLE , ASSMANN MARIE , BERGER CHRISTIAN , KANEVCE ANA
IPC: H01L33/62 , G09F9/33 , H01L25/075 , H01L33/60
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公开(公告)号：DE102015117198A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：DE102015117198
申请日：2015-10-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÖPPEL LUTZ , PERZLMAIER KORBINIAN , RAFAEL CHRISTINE , KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA
Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Halbleiterkörper (2), einem Träger (1) und einer in vertikaler Richtung zwischen dem Halbleiterkörper und dem Träger angeordneten Stabilisierungsschicht (3) angegeben, wobei – der Halbleiterkörper eine dem Träger abgewandte erste Halbleiterschicht (21), eine dem Träger zugewandte zweite Halbleiterschicht (22) und eine zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht (23) aufweist, – der Träger einen ersten Durchkontakt (41) und einen durch einen Zwischenbereich (40) von dem ersten Durchkontakt lateral beabstandeten zweiten Durchkontakt (42) aufweist, wobei der erste Durchkontakt mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist und der zweite Durchkontakt mit der zweiten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist, und – die Stabilisierungsschicht zusammenhängend ausgebildet ist, in Draufsicht Überlappungen mit den Durchkontakten (41, 42) aufweist und den Zwischenbereich lateral überbrückt, wobei die Stabilisierungsschicht von den Durchkontakten sowie von dem Halbleiterkörper elektrisch isoliert ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben, bei dem der Träger (1) schrittweise am Halbleiterkörper (2) ausgebildet wird.
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公开(公告)号：DE112020005645A5
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：DE112020005645
申请日：2020-11-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BINDER MICHAEL , RÜCKERL ANDREAS , ZEISEL ROLAND , MEYER TOBIAS , NEVELING KERSTIN , RAFAEL CHRISTINE , RICHTER MOSES , HARTMANN RAINER , VIERHEILIG CLEMENS
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公开(公告)号：DE102018123932A1
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：DE102018123932
申请日：2018-09-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LEBER ANDREAS , HERRMANN SIEGFRIED , RAFAEL CHRISTINE
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) weist eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromverteilungsschicht (120, 130), eine dielektrische Spiegelschicht (115) sowie eine Vielzahl erster elektrischer Verbindungselemente (125) auf. Die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halbleiterschicht (150) sind übereinandergestapelt. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip (11) emittierte elektromagnetische Strahlung (15) wird über eine erste Hauptoberfläche (110) der zweiten Halbleiterschicht (150) ausgegeben. Die erste Stromverteilungsschicht (120) und die zweite Stromverteilungsschicht (130) sind auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet. Die dielektrische Spiegelschicht (115) ist zwischen der ersten Halbleiterschicht (140) und der ersten Stromverteilungsschicht (120) angeordnet. Die Vielzahl erster elektrischer Verbindungselemente (125) erstrecken sich durch die dielektrische Spiegelschicht (115) und sind geeignet, die erste Halbleiterschicht (140) mit der ersten Stromverteilungsschicht (180) elektrisch zu verbinden. Die zweite Stromverteilungsschicht (130) ist mit der zweiten Halbleiterschicht elektrisch verbunden.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102018118824A1
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：DE102018118824
申请日：2018-08-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STEINER ANDRÉ , RAFAEL CHRISTINE , ALTIERI-WEIMAR PAOLA
Abstract: Ein Halbleiterbauelement (10, 15) umfasst eine leitfähige Schicht (130) über einem Halbleiterkörper (100, 125) und eine an die leitfähige Schicht (130, 220, 312) angrenzende erste Stresskompensationsschicht (170). Die Stresskompensationsschicht weist eine definierte erste Verspannung auf.
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公开(公告)号：DE102016116460A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：DE102016116460
申请日：2016-09-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN , RAFAEL CHRISTINE , KASPRZAK ZABLOCKA ANNA , LEIRER CHRISTIAN
IPC: H01L33/54
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, wobei in einem Verfahrensschritt A) ein Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2) mit einer darauf angeordneten Halbleiterschichtenfolge (10) erfolgt, welche zur Emission von Licht geeignet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) zumindest einen Trenngraben (3) umfasst, welcher sich zumindest teilweise durch die Halbleiterschichtenfolge (10) von einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite (10a) der Halbleiterschichtenfolge (10) in Richtung des Aufwachssubstrats (2) erstreckt. In einem Verfahrensschritt B) erfolgt ein Anordnen einer Lackstruktur (4) im Trenngraben (3). In einem Verfahrensschritt C) erfolgt ein Anordnen eines Vergusses (6) auf der dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite (10a) der Halbleiterschichtenfolge (10), so dass der Verguss (6) mit zumindest einem Teil der Lackstruktur (4) seitlich in Kontakt ist.
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公开(公告)号：DE102018119438A1
公开(公告)日：2020-02-13
申请号：DE102018119438
申请日：2018-08-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LEBER ANDREAS , HERRMANN SIEGFRIED , RAFAEL CHRISTINE
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, mit- einem Substrat (11), das strahlungsdurchlässig ist,- einer Halbleiterschichtenfolge (12) mit einem ersten Bereich (12a) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einem zweiten Bereich (12b) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einem aktiven Bereich (12c) zwischen dem ersten Bereich (12a) und dem zweiten Bereich (12b),- einem ersten Kontaktsteg (14a) zur Bestromung des ersten Bereichs (12a),- einem zweiten Kontaktsteg (14b) zur Bestromung des zweiten Bereichs (12b),- einer ersten Anschlussstelle (17a) zur Kontaktierung des ersten Kontaktstegs (14a) von außerhalb des optoelektronischen Halbleiterchips (10), und- einer zweiten Anschlussstelle (17b) zur Kontaktierung des zweiten Kontaktstegs (14b) von außerhalb des optoelektronischen Halbleiterchips (10), wobei- sich der erste Kontaktsteg (14a) und der zweite Kontaktsteg (14b) jeweils über wenigstens 50 % der Länge des Halbleiterchips (10) erstrecken.
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公开(公告)号：DE102017106508A1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：DE102017106508
申请日：2017-03-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN , RAFAEL CHRISTINE , TÅNGRING IVAR
Abstract: In einer Ausführungsform beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) einen Leuchtdiodenchip (2) zur Erzeugung von Strahlung und eine Füllung (3), die für die Strahlung durchlässig ist. Ferner weist das Halbleiterbauteil (1) einen Reflektor (4) für die Strahlung auf. Der Leuchtdiodenchip (2) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (21) zur Erzeugung der Strahlung, elektrische Kontaktstellen (23, 24) an einer Montageseite (26), einen Trägerkörper (22) sowie eine Antibenetzungsschicht (5). Die Antibenetzungsschicht (5) wirkt für ein Material des Reflektors (4) und der Füllung (3) abweisend. Die Antibenetzungsschicht (5) liegt seitlich an dem Leuchtdiodenchip (2) frei und befindet sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (21) und dem Trägerkörper (22) und/oder in lateraler Richtung (L) neben der Halbleiterschichtenfolge (21). Die Füllung (3) und der Reflektor (4) stoßen an der freiliegenden Antibenetzungsschicht (5) aneinander. Die Füllung (3) verbreitert sich in Richtung weg von der Montageseite (26), so dass an einer Grenzfläche (34) zwischen der Füllung (3) und dem Reflektor (4) eine Reflexion der Strahlung in Richtung weg von dem Trägerkörper (22) erfolgt.
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公开(公告)号：DE102015120642A1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：DE102015120642
申请日：2015-11-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RAFAEL CHRISTINE , PERZLMAIER KORBINIAN
IPC: H01L33/62 , H01L23/04 , H01L31/0203 , H01L31/0224 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60
Abstract: Es wird eine Vorrichtung mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (2), das auf einem Anschlussträger (9) angeordnet ist, angegeben, wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper (20) mit einem zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement weist einen Formkörper (4) auf, durch den sich ein erster elektrischer Kontakt (55) und ein zweiter elektrischer Kontakt (56) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers hindurch erstrecken. Der Formkörper weist eine Seitenfläche (40) auf, die das Halbleiterbauelement in einer lateralen Richtung begrenzt. Der Anschlussträger und die Seitenfläche des Formkörpers sind zumindest bereichsweise von einer strahlungsundurchlässigen Deckschicht (7) bedeckt.
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