公开(公告)号：DE102013111918B4

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102013111918

申请日：2013-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HARTUNG GEORG ,  ZENGER MARCUS ,  TAUTZ BARBARA

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: Optoelektronisches Bauelement (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Anschlussschicht (4), einer Isolierungsschicht (5) und einer zweiten Anschlussschicht (6), bei dem der Halbleiterkörper einen aktiven Bereich (23) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung (S) aufweist, und die zweite Anschlussschicht eine erste Teilschicht (61) und eine zweite Teilschicht (62) umfasst, wobei- die Isolierungsschicht die erste Anschlussschicht von der zweiten Anschlussschicht elektrisch isoliert,- die erste Teilschicht in einer vertikalen Richtung zwischen der zweiten Teilschicht und dem Halbleiterkörper angeordnet ist,- in Draufsicht auf den Halbleiterkörper die erste Anschlussschicht mit der ersten Teilschicht überlappt und in einer lateralen Richtung von der zweiten Teilschicht beabstandet ist,- die erste Anschlussschicht eine erste Schichtdicke (D1) aufweist und die zweite Teilschicht eine zweite Schichtdicke (D2) aufweist, wobei sich die erste Schichtdicke und die zweite Schichtdicke höchstens um 20 % voneinander unterscheiden, und- die erste Anschlussschicht zumindest einen Abschnitt (40) aufweist und ein Graben (43) in lateraler Richtung zwischen der Isolierungsschicht und dem zumindest einen Abschnitt der ersten Anschlussschicht ausgebildet ist, wobei in Draufsicht auf den Halbleiterkörper der Graben vollständig mit der ersten Teilschicht überlappt.

公开(公告)号：DE102013111918A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102013111918

申请日：2013-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HARTUNG GEORG ,  ZENGER MARCUS ,  TAUTZ BARBARA

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Anschlussschicht (4), eine Isolierungsschicht (5) und einer zweiten Anschlussschicht (6) angegeben, bei dem der Halbleiterkörper einen aktiven Bereich (23) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung (S) aufweist, und die zweite Anschlussschicht eine erste Teilschicht (61) und eine zweite Teilschicht (62) umfasst, wobei – die Isolierungsschicht die erste Anschlussschicht von der zweiten Anschlussschicht elektrisch isoliert, – die erste Teilschicht in einer vertikalen Richtung zwischen der zweiten Teilschicht und dem Halbleiterkörper angeordnet ist, – in Draufsicht auf den Halbleiterkörper die erste Anschlussschicht mit der ersten Teilschicht überlappt und in einer lateralen Richtung von der zweiten Teilschicht beabstandet ist, und – die erste Anschlussschicht eine erste Schichtdicke (D1) aufweist und die zweite Teilschicht eine zweite Schichtdicke (D2) aufweist, wobei sich die erste Schichtdicke und die zweite Schichtdicke höchstens um 20 % voneinander unterscheiden.