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    用於生產複數個組件之方法及該組件
    1.
    发明专利
    用於生產複數個組件之方法及該組件 审中-公开
    用于生产复数个组件之方法及该组件

    公开(公告)号：TW201732870A

    公开(公告)日：2017-09-16

    申请号：TW105139439

    申请日：2016-11-30

    Applicant: 歐司朗光電半導體公司 ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： 荷普曼索菲亞 ,  HUPPMANN SOPHIA ,  凱茲西蒙 ,  KATZ SIMEON ,  詹格馬克斯 ,  ZENGER MARCUS ,  史戈茲多米尼克 ,  SCHOLZ DOMINIK

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/822

    CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033

    Abstract: 本發明提供一種用於生產複數個組件之方法，包括下列步驟：- 提供複合載板(10)，該複合載板(10)含有基板本體(13)及包括平坦的連接表面(11)；- 提供複合晶圓(200)，該複合晶圓(200)含有複合半導體本體(20)及包括平坦的接觸表面(31)；- 連接該複合晶圓至該複合載板，用於形成該複合載板及該複合晶圓之複合物，其中該平坦的接觸表面及該平坦的連接表面是接合用以形成該接合邊界表面(1131)；- 減少該複合物中的內部機械應力，其中該複合載板之材料在某位置處移除；以及- 將該複合物切單成為複數個組件。 再者，本發明提供組件，該組件尤其可以藉由此類的方法而生產。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用于生产复数个组件之方法，包括下列步骤：- 提供复合载板(10)，该复合载板(10)含有基板本体(13)及包括平坦的连接表面(11)；- 提供复合晶圆(200)，该复合晶圆(200)含有复合半导体本体(20)及包括平坦的接触表面(31)；- 连接该复合晶圆至该复合载板，用于形成该复合载板及该复合晶圆之复合物，其中该平坦的接触表面及该平坦的连接表面是接合用以形成该接合边界表面(1131)；- 减少该复合物中的内部机械应力，其中该复合载板之材料在某位置处移除；以及- 将该复合物切单成为复数个组件。 再者，本发明提供组件，该组件尤其可以借由此类的方法而生产。

    Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen Bauteilen und Bauelement aus Bauteilen
    3.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen Bauteilen und Bauelement aus Bauteilen 未知

    公开(公告)号：DE102018103431A1

    公开(公告)日：2019-08-22

    申请号：DE102018103431

    申请日：2018-02-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KATZ SIMEON ,  WENDT MATHIAS ,  HUPPMANN SOPHIA ,  ZENGER MARCUS ,  MÜLLER JENS

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/58 ,  H01L21/30 ,  H01L25/075 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2) angegeben, bei dem das erste Bauteil mit einer ersten freiliegenden Isolationsschicht (II) und das zweite Bauteil mit einer zweiten freiliegenden Isolationsschicht (21) bereitgestellt werden, wobei die Isolationsschichten jeweils zumindest eine Öffnung (1IC, 2IC) aufweisen. Die Bauteile werden derart zusammengeführt, dass sich die Öffnung (1IC) der ersten Isolationsschicht und die Öffnung (2IC) der zweiten Isolationsschicht in Draufsicht überlappen, wobei in mindestens einer der Öffnungen (1IC, 2IC) eine Au-Schicht (S1, S2) und eine Sn-Schicht (S1, S2) übereinander angeordnet sind. Die Au-Schicht und die Sn-Schicht werden zur Bildung einer AuSn-Legierung aufgeschmolzen, wobei die AuSn-Legierung nach einer Abkühlung eine Durchkontaktierung (12) bildet, welche das erste Bauteil mit dem zweiten Bauteil elektrisch leitend verbindet. Des Weiteren wird ein Bauelement aus einem ersten Bauteil und einem zweiten Bauteil angegeben, wobei die Bauteile durch eine Durchkontaktierung aus einer AuSn-Legierung miteinander elektrisch leitend verbunden sind.

    Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
    4.
    发明专利
    Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102015114088A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：DE102015114088

    申请日：2015-08-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BEHR BARBARA ,  WEIMAR ANDREAS ,  WENDT MATHIAS ,  ZENGER MARCUS

    IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L33/40

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Bauelement (100) aufweisend eine erste Komponente (1), eine zweite Komponente(2), ein Verbindungselement (3), das zwischen der ersten Komponente (1) und der zweiten Komponente (2) angeordnet ist, wobei das Verbindungselement (3) zumindest eine erste Phase (31) und eine zweite Phase (32) aufweist, wobei die erste Phase (31) ein erstes Metall (Me1) mit einer Konzentration (c11), ein zweites Metall (Me2) mit einer Konzentration (c12) und ein drittes Metall (Me3) mit einer Konzentration (c13) umfasst, wobei die zweite Phase (32) das erste Metall (Me1) mit einer Konzentration (c25), das zweite Metall (Me2) und das dritte Metall (Me3) umfasst, wobei das erste Metall (Me1), das zweite Metall (Me2) und das dritte Metall (Me3) voneinander verschieden sind und geeignet sind, bei einer Verarbeitungstemperatur von kleiner 200 °C zu reagieren, wobei gilt: c11 ≥ c25 und c11 ≥ c13 ≥ c12.

    Optoelektronisches Bauelement
    5.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102013111918B4

    公开(公告)日：2020-01-02

    申请号：DE102013111918

    申请日：2013-10-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HARTUNG GEORG ,  ZENGER MARCUS ,  TAUTZ BARBARA

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

    Abstract: Optoelektronisches Bauelement (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Anschlussschicht (4), einer Isolierungsschicht (5) und einer zweiten Anschlussschicht (6), bei dem der Halbleiterkörper einen aktiven Bereich (23) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung (S) aufweist, und die zweite Anschlussschicht eine erste Teilschicht (61) und eine zweite Teilschicht (62) umfasst, wobei- die Isolierungsschicht die erste Anschlussschicht von der zweiten Anschlussschicht elektrisch isoliert,- die erste Teilschicht in einer vertikalen Richtung zwischen der zweiten Teilschicht und dem Halbleiterkörper angeordnet ist,- in Draufsicht auf den Halbleiterkörper die erste Anschlussschicht mit der ersten Teilschicht überlappt und in einer lateralen Richtung von der zweiten Teilschicht beabstandet ist,- die erste Anschlussschicht eine erste Schichtdicke (D1) aufweist und die zweite Teilschicht eine zweite Schichtdicke (D2) aufweist, wobei sich die erste Schichtdicke und die zweite Schichtdicke höchstens um 20 % voneinander unterscheiden, und- die erste Anschlussschicht zumindest einen Abschnitt (40) aufweist und ein Graben (43) in lateraler Richtung zwischen der Isolierungsschicht und dem zumindest einen Abschnitt der ersten Anschlussschicht ausgebildet ist, wobei in Draufsicht auf den Halbleiterkörper der Graben vollständig mit der ersten Teilschicht überlappt.

    Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen und Bauelement
    6.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen und Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102015121056A1

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：DE102015121056

    申请日：2015-12-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HUPPMANN SOPHIA ,  KATZ SIMEON ,  ZENGER MARCUS ,  SCHOLZ DOMINIK

    IPC: H01L21/58 ,  H01L21/302 ,  H01L31/02 ,  H01L33/38

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen mit folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Trägerverbunds (10), der einen Grundkörper (13) enthält und eine planare Verbindungsfläche (11) aufweist; – Bereitstellen eines Waferverbunds (200), der einen Halbleiterkörperverbund (20) enthält und eine planare Kontaktfläche (31) aufweist; – Verbinden des Waferverbunds mit dem Trägerverbund zur Bildung eines Verbunds aus dem Trägerverbund und dem Waferverbund, indem die planare Kontaktfläche und die planare Verbindungsfläche zur Bildung einer gemeinsamen Grenzfläche (1131) zusammengeführt werden; – Reduzieren von inneren mechanischen Spannungen im Verbund, indem Material des Trägerverbunds stellenweise abgetragen wird; und – Vereinzeln des Verbunds zu einer Mehrzahl von Bauelementen. Des Weiteren wird ein Bauelement angegeben, das insbesondere durch ein solches Verfahren herstellbar ist.

    Bauteil mit Pufferschicht und Verfahren zur Herstellung eines Bauteils
    9.
    发明专利
    Bauteil mit Pufferschicht und Verfahren zur Herstellung eines Bauteils 未知

    公开(公告)号：DE102017119346A1

    公开(公告)日：2019-02-28

    申请号：DE102017119346

    申请日：2017-08-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  NEUDECKER INGO ,  PLÖSSL ANDREAS ,  ZENGER MARCUS

    IPC: H01L23/485 ,  H01L21/58 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein Bauteil (100) mit einem Halbleiterchip (10), einer Pufferschicht (3), einer Verbindungsschicht (4) und einem metallischen Träger (9) angegeben. Der Halbleiterchip umfasst ein Substrat (1) und einen darauf angeordneten Halbleiterkörper (2). Der metallische Träger weist einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips, oder umgekehrt. Der Halbleiterchip ist mittels der Verbindungsschicht auf dem metallischen Träger derart befestigt, dass die Pufferschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Verbindungsschicht angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip an die Pufferschicht angrenzt. Bevorzugt weist die Pufferschicht eine Fließspannung auf, die mindestens 10 MPa ist und höchstens 300 MPa beträgt.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.

    Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
    10.
    发明专利
    Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102016104280A1

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：DE102016104280

    申请日：2016-03-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HUPPMANN SOPHIA ,  KATZ SIMEON ,  ZENGER MARCUS

    IPC: H01L33/42 ,  H01L21/58 ,  H01L27/15 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/08 ,  H01L33/38

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (50) mit einem Halbleiterkörper (10a, 10b, 10c), der einen optisch aktiven Bereich (12) aufweist, weiter mit einem Träger (60), und einem Verbindungsschichtenpaar (30a, 30b, 30c), das eine erste Verbindungsschicht (32) und eine zweite Verbindungsschicht (34) aufweist, angegeben, wobei: der Halbleiterkörper auf dem Träger angeordnet ist, die erste Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterkörper und dem Träger angeordnet und mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, die zweite Verbindungsschicht zwischen der ersten Verbindungsschicht und dem Träger angeordnet ist, zumindest eine Schicht ausgewählt aus der ersten Verbindungsschicht und der zweiten Verbindungsschicht ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Oxid enthält, und die erste Verbindungsschicht und die zweite Verbindungsschicht zumindest bereichsweise in einem oder mehreren Verbindungsbereichen direkt miteinander verbunden sind, so dass das Verbindungsschichtenpaar an der mechanischen Anbindung des Halbleiterkörpers an den Träger beteiligt ist. Weiterhin wird ein Herstellungsverfahren angegeben.

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