公开(公告)号：DE102010012602A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：DE102010012602

申请日：2010-03-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WITTMANN MICHAEL DR

IPC: H01L33/62 ,  H01S5/02

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit – einem Chip-Anschlussbereich (3), – einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), – und einem Licht absorbierendem Material (4), wobei – der strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) am Chip-Anschlussbereich (3) befestigt ist, – der Chip-Anschlussbereich (3) an Stellen, an denen er vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) unverdeckt ist, mit dem Licht absorbierendem Material (4) bedeckt ist, und – der strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) stellenweise frei vom Licht absorbierendem Material (4) ist.

公开(公告)号：DE102010046254A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：DE102010046254

申请日：2010-09-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHNEIDER MARKUS DR ,  RAMCHEN JOHANN ,  WITTMANN MICHAEL DR

IPC: H01L33/44 ,  H01S5/022

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, mit – einem Träger (1), der eine Oberseite (11) und eine der Oberseite (11) gegenüberliegende Unterseite (12) aufweist; – zumindest ein an der Oberseite (11) angeordnetes strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (2) mit einer Strahlungsaustrittsfläche (6), durch die zumindest ein Teil der im Betrieb des Halbleiterbauteils (3) erzeugten elektromagnetischen Strahlung das Halbleiterbauteil (2) verlässt, – eine strahlungsabsorbierende Schicht (3), die dazu eingerichtet ist, auf das Bauelement (100) auftreffendes Umgebungslicht derart zu absorbieren, dass eine dem Träger (1) abgewandte Außenfläche (101) des Bauelements (100) zumindest stellenweise schwarz erscheint, wobei – die strahlungsabsorbierende Schicht (3) das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil (2) in lateraler Richtung (L) vollständig umrandet und mit Seitenflächen (23) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils (2) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist, und – die Strahlungsaustrittsfläche (6) frei von der strahlungsabsorbierenden Schicht (3) ist.