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公开(公告)号：WO2012038483A2
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：PCT/EP2011066458
申请日：2011-09-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHNEIDER MARKUS , RAMCHEN JOHANN , WITTMANN MICHAEL
Inventor： SCHNEIDER MARKUS , RAMCHEN JOHANN , WITTMANN MICHAEL
CPC classification number: H01L33/08 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48227 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2224/48091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: An optoelectronic semiconductor device is provided, comprising - a substrate (1), which has an upper side (11) and, opposite from the upper side (11), an underside (12); - at least one radiation-emitting semiconductor component (2) which is arranged on the upper side (11) and has a radiation-exiting area (6), through which at least part of the electromagnetic radiation of the semiconductor component (2) generated during the operation of the semiconductor component (2) leaves, and - a radiation-absorbing layer (3), which is designed to absorb ambient light impinging on the device (100) in such a way that an outer surface (101) of the device (100) that is facing away from the substrate (1) appears black, at least in certain places, wherein - the radiation-absorbing layer (3) completely encloses the radiation-emitting semiconductor component (2) in the lateral direction (L) and is in direct contact, at least in certain places, with side faces (23) of the radiation-emitting semiconductor component (2), and - the radiation-exiting area (6) is free from the radiation-absorbing layer (3).
Abstract translation: 一种光电子半导体元件被指定，包括具有上侧（11）和与上侧（11）相对的下侧（12）的支撑件（1）; - 至少一个在顶部（11），其设置（2），其具有辐射出射表面（6），通过该产生的电磁辐射的至少所述半导体元件的操作的一个部分发射辐射的半导体元件（3）离开所述半导体部件（2），以及 - 一个辐射吸收层 （3），其适于将所述部件，以吸收（100）入射的环境光，使得（1）的面向载体离部件（100）的外表面（101）出现在至少在某些地方，黑，其特征在于， - 所述辐射吸收层（3 ）发射辐射的半导体部件（2）（在横向方向L）被完全包围和（侧至少发射辐射的半导体部件（2）的面23）的地方是在直接接触，以及 - 所述辐射出射面（6）是自由的辐射吸收层（3）是 ，
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公开(公告)号：DE102010049961A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：DE102010049961
申请日：2010-10-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： AHLSTEDT MAGNUS , RAMCHEN JOHANN
Abstract: Es ist ein Halbleiterbauelement (100) mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), einem Trägersubstrat (2) und einer Folie (3) vorgesehen. Das Trägersubstrat (2) weist auf einer Oberseite (20) elektrisch leitfähige Kontaktbahnen (21a, 21b) auf. Die Folie (3) ist auf einer vom Trägersubstrat (2) abgewandten Strahlungsaustrittsseite (10) des Chips (1) und auf der Oberseite (20) des Trägersubstrats (2) angeordnet und weist elektrisch leitfähige erste Leiterbahnen (31a) auf. Zudem weist die Folie (3) Durchbrüche (32a, 32b) auf, die derart angeordnet sind, dass der Halbleiterchip (1) über die erste Leiterbahn (31a) der Folie (3) mit der ersten Kontaktbahn (21a) des Trägersubstrats (2) elektrisch kontaktierbar ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements angegeben.
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公开(公告)号：DE102010046254A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：DE102010046254
申请日：2010-09-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHNEIDER MARKUS DR , RAMCHEN JOHANN , WITTMANN MICHAEL DR
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, mit – einem Träger (1), der eine Oberseite (11) und eine der Oberseite (11) gegenüberliegende Unterseite (12) aufweist; – zumindest ein an der Oberseite (11) angeordnetes strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (2) mit einer Strahlungsaustrittsfläche (6), durch die zumindest ein Teil der im Betrieb des Halbleiterbauteils (3) erzeugten elektromagnetischen Strahlung das Halbleiterbauteil (2) verlässt, – eine strahlungsabsorbierende Schicht (3), die dazu eingerichtet ist, auf das Bauelement (100) auftreffendes Umgebungslicht derart zu absorbieren, dass eine dem Träger (1) abgewandte Außenfläche (101) des Bauelements (100) zumindest stellenweise schwarz erscheint, wobei – die strahlungsabsorbierende Schicht (3) das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil (2) in lateraler Richtung (L) vollständig umrandet und mit Seitenflächen (23) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils (2) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist, und – die Strahlungsaustrittsfläche (6) frei von der strahlungsabsorbierenden Schicht (3) ist.
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4.发明专利
公开(公告)号：DE102010047156A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：DE102010047156
申请日：2010-09-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： AHLSTEDT MAGNUS , RAMCHEN JOHANN , RACZ DAVID , KRAEUTER GERTRUD DR
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Licht emittierenden Chip und ein dem Licht emittierenden Chip seitlich umgebendes Gehäuse angegeben. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, bei dem ein flüssiges Gehäusematerial auf einem Substrat aufgebracht wird.
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公开(公告)号：DE102010045783A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：DE102010045783
申请日：2010-09-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RAMCHEN JOHANN , GRUBER STEFAN
Abstract: Es wird ein Trägersubstrat (1) für ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 24) angegeben, das einen Grundkörper (2) aus Aluminium enthält, wobei zumindest Teilbereiche des Grundkörpers (2) mit einer elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht (3) versehen sind und auf Teilbereiche der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht (3) eine elektrisch leitfähige Schicht (4) aufgebracht ist. Das Trägersubstrat (1) weist mindestens einen Durchbruch (5) auf, der sich von einer ersten Hauptfläche (11) zu einer zweiten Hauptfläche (12) des Trägersubstrats (1) erstreckt, wobei die elektrisch leitfähige Schicht (4) mindestens eine Durchkontaktierung ausbildet, die durch den Durchbruch (5) hindurch verläuft und in dem Durchbruch (5) mittels der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht (3) von dem Grundkörper (2) elektrisch isoliert ist. Ferner werden ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des Trägersubstrats (1) und ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 24) mit einem derartigen Trägersubstrat (1) angegeben.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102009015963A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：DE102009015963
申请日：2009-04-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RAMCHEN JOHANN , ZITZLSPERGER MICHAEL
IPC: H01L23/48 , H01L31/0203 , H01L31/0224 , H01L33/00
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), einem Kontaktrahmen (3), einem Kontaktträger (4), einem ersten elektrischen Anschlussbereich (5) und einem von dem ersten elektrischen Anschlussbereich (5) elektrisch isolierten zweiten elektrischen Anschlussbereich (6) angegeben, die jeweils einen Teil des Kontaktrahmens (3) und einen Teil des Kontaktträgers (4) umfassen, wobei der Kontaktrahmen (3) mit einer Vertiefung (7) versehen ist, welche den ersten elektrischen Anschlussbereich (5) zumindest bereichsweise von dem zweiten elektrischen Anschlussbereich (6) trennt und in welche der optoelektronische Halbleiterchip (2) hineinragt, und wobei der Kontaktrahmen (3) mit einem Kontaktelement (30) ausgebildet ist, das den Kontaktrahmen (3) mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) elektrisch verbindet.
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公开(公告)号：DE102021113021A1
公开(公告)日：2022-11-24
申请号：DE102021113021
申请日：2021-05-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RAMCHEN JOHANN , SORG JOERG ERICH
Abstract: Eine Halbleiterlaservorrichtung (10) umfasst ein oberflächenemittierendes Halbleiterlaserelement (105), welches eine GaN-haltige Verbindungshalbleiterschicht aufweist, und einen Konverter (120). Der Konverter ist geeignet, eine Wellenlänge der von dem oberflächenemittierenden Halbleiterlaserelement (105) emittierten Laserstrahlung (107) zu konvertieren.
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公开(公告)号：DE102011115150A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：DE102011115150
申请日：2011-09-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： AHLSTEDT MAGNUS , RAMCHEN JOHANN
IPC: H01L33/58 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L33/56 , H01L33/62
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung mindestens eines strahlungsemittierenden und/oder -empfangenden Halbleiterbauteils (100) angegeben. Bei einem Verfahrensschritt wird ein Trägerkörper (1) mit einer Montagefläche (101) bereitgestellt. Bei einen weiteren Verfahrensschritt wird ein Barriererahmen (6) auf der Montagefläche (101) ausgebildet, derart dass der Barriererahmen (6) einen Montagebereich (110) der Montagefläche (101) lateral umschließt. Bei einem weiteren Verfahrensschritt wird ein strahlungsemittierender und/oder -empfangender Halbleiterchip (4) innerhalb des Montagebereichs (110) auf der Montagefläche (101) montiert. Der Halbleiterchip (4) wird mit einem flüssigen Linsenmaterial vergossen, wobei das Linsenmaterial (7) innerhalb des Montagebereichs (110) auf die Montagefläche (101) aufgebracht wird. Das Linsenmaterial (7) wird gehärtet. Dabei sind die Montagefläche (101), der Barriererahmen (6) und das Linsenmaterial (7) derart aneinander angepasst, dass die Montagefläche (101) innerhalb des Montagebereichs (110) von dem Linsenmaterial (7) benetzbar und der Barriererahmen (6) von dem Linsenmaterial (7) nicht benetzbar ist, so dass sich das Linsenmaterial (7) beim Aufbringen auf die Montagefläche (101) zu einem zumindest stellenweise von dem Barriererahmen (6) begrenzten Tropfen mit konvexer Außenfläche formt und den Barriererahmen (6) frei lässt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauteil (100) angegeben.
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公开(公告)号：DE102010032041A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：DE102010032041
申请日：2010-07-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WEIDNER KARL , RAMCHEN JOHANN , KALTENBACHER AXEL , WEGLEITER WALTER , BARCHMANN BERND , GRUBER STEFAN , BOGNER GEORG
IPC: H01L33/48 , H01L25/075
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben mit – einem Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptfläche (25), eine der ersten Hauptfläche gegenüber liegende zweite Hauptfläche (26) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist; – einem Träger (5), an dem der Halbleiterchip seitens der zweiten Hauptfläche (26) befestigt ist; – einer Auskoppelschicht (4), die auf der ersten Hauptfläche (25) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip (2) beabstandete seitliche Auskoppelflächen (40) bildet, wobei in der Auskoppelschicht (4) eine sich zum Halbleiterchip (2) hin verjüngende Ausnehmung (45) ausgebildet ist, die im Betrieb aus der ersten Hauptfläche (25) austretende Strahlung in Richtung der seitlichen Auskoppelfläche (40) umlenkt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.
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公开(公告)号：DE102010031732A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：DE102010031732
申请日：2010-07-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WEIDNER KARL , KALTENBACHER AXEL , RAMCHEN JOHANN , WEGLEITER WALTER , BARCHMANN BERND , GRUBER STEFAN , BOGNER GEORG
IPC: H01L33/62 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L33/52
Abstract: Es ist ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen, das ein Trägerelement (1), einem auf dem Trägerelement (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise und bildet eine das Bauelement abschließende Hauptfläche (31) aus. In der Vergussmasse (3) ist eine Ausnehmung (4) ausgebildet, in der eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (5) derart angeordnet ist, dass diese die Hauptfläche (31) nicht überragt. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
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