公开(公告)号：DE102011000752B3

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：DE102011000752

申请日：2011-02-15

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： CONWAY NEIL ,  GIEBELER CARSTEN DR

IPC: C23C14/08 ,  C04B35/491 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen des Dünnfilms aus Blei-Zirkonat-Titanat in 111-orientierter Perovskit-Struktur weist die Schritte auf: Bereitstellen eines Substrats mit einer Substrattemperatur von über 450°C und eines Blei-Targets, eines Zirkon-Targets und eines Titan-Targets; Aufbringen des Dünnfilms durch Sputtern von Blei, Zirkon und Titan von den jeweiligen Targets auf das Substrat, wobei die gesamte Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan größer als 10 nm/min ist, die Abscheiderate von Zirkon derart gewählt wird, dass die atomare Konzentration von Zirkon bezogen auf die atomare Konzentration von Zirkon zusammen mit Titan im Dünnfilm zwischen 0,2 und 0,3 liegt, und die Abscheiderate von Blei in Abhängigkeit der Substrattemperatur und der gesamten Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan so niedrig gewählt wird, dass ein Röntgendiffraktometerdiagramm des 111-orientierten Blei-Zirkonat-Titanats im Bereich des Beugungswinkels von 33 bis 35,5° einen signifikanten Spitzenwert (19) hat; und Fertigstelle des Dünnfilms.

公开(公告)号：DE102009037111B4

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：DE102009037111

申请日：2009-08-11

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  CONWAY NEIL ,  CHAMBERLAIN TIM

IPC: G01J5/34

Abstract: Infrarotlichtdetektor mit einem Sensorchip (4), der ein aus einem pyroelektrisch sensitiven Material hergestelltes Dünnschichtelement (5) aufweist, mit einem elektrischen Isolator, mindestens einem elektronischen Bauteil (17, 18) in Dünnschichtbauweise, das einen Teil einer Ausleseelektronik bildet, und einer Dünnschichtmembran (2), auf dessen einen Oberfläche der Sensorchip (4) und das elektronische Bauteil (17, 18) unmittelbar aufgebracht und somit nebeneinander liegend integriert angebaut sind, sodass das elektronische Bauteil (17, 18) mit dem Dünnschichtelement (5) elektrisch leitend gekoppelt ist, und an das elektronische Bauteil (17, 18) ein Signalverstärker (22) anschließbar ist, mit dem unter Zusammenwirken mit dem elektronischen Bauteil (17, 18) ein vom Sensorchip (4) abgegebenes elektrisches Signal verstärkbar ist.

公开(公告)号：DE102013108280B3

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：DE102013108280

申请日：2013-08-01

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  CONWAY NEIL

IPC: H01L37/00 ,  B81C1/00 ,  G01J5/34 ,  H01L27/16

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Mikrosystems (1) mit Pixel, weisend die Schritte auf: Bereitstellen eines Siliziumwafers; Herstellen einer thermischen Siliziumoxidschicht an der Oberfläche des Siliziumwafers als eine Basisschicht (5) mit einer Dicke zwischen 200 nm und 1000 nm durch Oxidation des Siliziumwafers; Herstellen einer Siliziumoxiddünnschicht unmittelbar auf der Basisschicht (5) als eine Trägerschicht (6) mit einer Dicke von 100 nm bis 700 nm durch ein thermisches Abscheideverfahren; Herstellen einer Platinschicht unmittelbar auf der Trägerschicht (6) mit einem thermischen Abscheideverfahren mit einer Dicke von 40 nm bis 200 nm, wodurch ein Zwischenprodukt aufweisend den Siliziumwafer, die Basisschicht (5), die Trägerschicht (6) und die Platinschicht hergestellt wird; Abkühlen des Zwischenprodukts auf Raumtemperatur; pixelartige Strukturierung der Platinschicht durch Abtragen von überflüssigen Bereichen der Platinschicht, wodurch auf der Trägerschicht (5) von den verbleibenden Bereichen der Platinschicht pixelförmig Bodenelektroden (8, 12) der Pixel (7, 8) ausgebildet werden; Materialabtragung an der der Basisschicht (5) abgewandten Seite des Siliziumwafers, so dass ein Rahmen (3) verbleibt und von dem Rahmen (3) eine Membran (4) gebildet von der Basisschicht (5) und der Trägerschicht (6) aufgespannt wird; Fertigstellen des Mikrosystems (1).

公开(公告)号：DE102009037111A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：DE102009037111

申请日：2009-08-11

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  CONWAY NEIL ,  CHAMBERLAIN TIM

IPC: G01J5/34

Abstract: Ein Infrarotlichtdetektor weist einen Sensorchip (4), der ein aus einem pyroelektrisch sensitiven Material hergestelltes Schichtelement (5) auf, mindestens ein elektronisches Bauteil (17, 18), das eine Ausleseschaltung bildet, und eine Trägermembran (2) auf, an der der Sensorchip (4) befestigt sowie das elektronische Bauteil (17, 18) derart integriert angebaut ist, dass das elektronische Bauteil (17, 18) mit dem Schichtelement (5) elektrisch leitend gekoppelt ist und an das elektronische Bauteil (17, 18) ein Signalverstärker (22) anschließbar ist, mit dem unter Zusammenwirken mit dem elektronischen Bauteil (17, 18) ein vom Sensorchip (4) abgegebenes elektrisches Signal verstärkbar ist.