公开(公告)号：CN100444318C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN03805027.7

申请日：2003-01-21

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·吉斯伦 ,  O·雷萨克

IPC: H01L21/18 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/187 ,  H01L21/7602 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/0029

Abstract: 本发明提供一种制备以包括第一层如薄层(22)的半导体为基础的组件(10、12、22、30)的工艺。该工艺包括以下步骤：只在两层之一(22)上形成界面层(26)，使其上形成界面层的层与另一暴露层彼此接触，选择所述界面层(26)作为暴露层中的材料的函数，以便形成键合界面，可以在暴露于预定范围内的温度之后在应力作用下分离该键合界面。本发明还可以应用于电子、光电或光学领域的可与支座分离的衬底的制造。

公开(公告)号：CN1771583A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN03805027.7

申请日：2003-01-21

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·吉斯伦 ,  O·雷萨克

IPC: H01L21/18 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/187 ,  H01L21/7602 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/0029

Abstract: 本发明提供一种制备以包括第一层如薄层(22)的半导体为基础的组件(10、12、22、30)的工艺。该工艺包括以下步骤：只在两层之一(22)上形成界面层(26)，使其上形成界面层的层与另一暴露层彼此接触，选择所述界面层(26)作为暴露层中的材料的函数，以便形成键合界面，可以在暴露于预定范围内的温度之后在应力作用下分离该键合界面。本发明还可以应用于电子、光电或光学领域的可与支座分离的衬底的制造。