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公开(公告)号：CN102088163A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010508579.4
申请日：2010-10-13
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
Inventor： F·勒泰特
CPC classification number: H01S5/183 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/12
Abstract: 本发明涉及具有InGaN层的半导体器件。本发明还涉及一种制造垂直光电结构的方法，包括以下步骤：a)提供第一衬底和形成在第一衬底上的InGaN晶种层的堆叠；b)在InGaN晶种层上生长InGaN层，以便获得衬底上InGaN结构；c)形成覆盖InGaN层的表面的第一反光镜层；d)分离第一衬底；以及e)形成覆盖InGaN的相对表面的第二反光镜层。
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公开(公告)号：CN101027769A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200480044032.6
申请日：2004-09-21
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种用于将一层材料从顶施主晶片10转移到接收操作晶片20上的方法，该顶晶片和接收晶片包含各自的要键合的表面，该方法包括：用于处理要键合的至少一个表面的处理步骤，对晶片的给定表面的该处理在所述晶片的相反表面上产生污染；用于直接键合顶晶片和操作晶片的要键合的表面的键合步骤，以形成中间多层晶片30；用于从顶晶片移除多余材料的移除步骤，该方法的特征在于，在处理步骤期间，仅处理顶晶片的要键合的表面。
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公开(公告)号：CN1734718A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510084283.3
申请日：2001-11-26
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0445 , H01L21/76254 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供了一种衬底的制造方法，所述方法是用于制造光学器件、电子器件或光电器件的衬底，该方法的特征在于它包括以下步骤：在粘合界面中通过分子粘合把籽晶层(2)迁移到支撑(12)上；在该籽晶层上外延地生长工作层(16)；将加强的支撑直接粘合在所述工作层(16)上；删除所述支撑(12)；该支撑(12)由热膨胀系数是工作层(16)的系数0.7到3倍的材料构成，而且籽晶层适合于调节支撑(12)和工作层(16)的热膨胀。
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公开(公告)号：CN101355013B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200810098657.0
申请日：2008-06-05
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
CPC classification number: H01L21/76254 , Y10T117/10 , Y10T156/1044
Abstract: 本发明涉及一种制备无排除区的外延用结构的工艺，外延用复合结构包括支撑衬底上的至少一层半导体材料的晶体生长籽晶层，支撑衬底和晶体生长籽晶层各自在其结合面的外围包括倒角或边缘倒圆区。该工艺包含至少一步的将晶体生长籽晶层直接结合到支撑衬底的的晶片结合步骤和至少一步的晶体生长籽晶层的减薄步骤，所述的晶体生长籽晶层在减薄后具有与其初始直径相同的直径。
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公开(公告)号：CN100442439C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN01820799.5
申请日：2001-11-26
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/302 , H01L29/165 , H01L29/205 , H01L29/267
CPC classification number: H01L21/3148 , H01L21/318 , H01L21/76254 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/2003 , H01L29/267 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明涉及一种加工基片的方法，该基片包括一构成机械支承的一层来承载的薄层；这一加工方法特别适用于光学、电子学或光电子学器件。根据本发明的方法包括以下步骤：自源基片(6)上分离一层材料，以形成薄层(2)；而后在薄层(2)上沉积材料制备一厚层(4)，以形成构成机械支承的所述层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100343424C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN03804278.9
申请日：2003-01-21
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
CPC classification number: H01L21/76254 , Y10S438/977
Abstract: 本发明涉及一种用于制造由单晶半导体材料制得的无支撑衬底的方法。本方法的特征在于如下步骤，包括：通过在两层之间创造一个可去除的粘合界面的方法，将一薄成核层(5，5′)转移到支撑物(7)上；在所述薄成核层上，通过外延生长的方法，生长一个旨在组成所述衬底的材料的微晶层(10)，直到其达到足以无需支撑的厚度，同时保持粘合界面(9)可去除的特性；选择厚质层(10)的材料和支撑材料(7)的热膨胀系数，使其彼此不同，由此使得在冷却组合件的时候，因支撑材料(7)与厚质层(10)之间热膨胀系数不同而诱发应力，导致所述成核层(5，5′)和所述单晶厚质层(10)从在所述可去除粘合界面(9)处的所述支撑物(7)上被去除。
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公开(公告)号：CN101147253B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200680009219.1
申请日：2006-03-23
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/76251
Abstract: 本发明涉及一种制造包括至少一种半导体材料的，应用于微电子学、光电子学、光学等领域的结构的工艺。本发明的方法包括下列步骤：向第一材料构成的承载(10)上配备由与第一材料不同的第二材料制成的单晶薄层(22)，该层被转移到承载上；并执行至少强化薄层和承载之间的结合界面(12)的预定热处理。本方法特征在于，作为第一和第二材料的热膨胀系数的差的函数，以及上述预定热处理参数的函数来选择薄膜厚度(e1)，使得热处理在承载/转移薄层组件上施加的应力不使组件受到影响。本发明的特征还在于，包括在薄层上以单晶态沉积第二材料的附加厚度(22’)的附加步骤。本发明适用于生产包括厚的有用层的异质衬底。
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公开(公告)号：CN101147253A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009219.1
申请日：2006-03-23
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/76251
Abstract: 本发明涉及一种制造包括至少一种半导体材料的，应用于微电子学、光电子学、光学等领域的结构的工艺。本发明的方法包括下列步骤：向第一材料构成的承载(10)上配备由与第一材料不同的第二材料制成的单晶薄层(22)，该层被转移到承载上；并执行至少强化薄层和承载之间的结合界面(12)的预定热处理。本方法特征在于，作为第一和第二材料的热膨胀系数的差的函数，以及上述预定热处理参数的函数来选择薄膜厚度(e1)，使得热处理在承载/转移薄层组件上施加的应力不使组件受到影响。本发明的特征还在于，包括在薄层上以单晶态沉积第二材料的附加厚度(22’)的附加步骤。本发明适用于生产包括厚的有用层的异质衬底。
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公开(公告)号：CN1636087A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03804278.9
申请日：2003-01-21
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
CPC classification number: H01L21/76254 , Y10S438/977
Abstract: 本发明涉及一种用于制造由单晶半导体材料制得的无支撑衬底的方法。本方法的特征在于如下步骤，包括：通过在两层之间创造一个可去除的粘合界面的方法，将－薄成核层(5，5′)转移到支撑物(7)上；在所述薄成核层上，通过外延生长的方法，生长一个旨在组成所述衬底的材料的微晶层(10)，直到其达到足以无需支撑的厚度，同时保持粘合界面(9)可去除的特性；选择厚质层(10)的材料和支撑材料(7)的热膨胀系数，使其彼此不同，由此使得在冷却组合件的时候，因支撑材料(7)与厚质层(10)之间热膨胀系数不同而诱发应力，导致所述成核层(5，5′)和所述单晶厚质层(10)从在所述可去除粘合界面(9)处的所述支撑物(7)上被去除。
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公开(公告)号：CN1541405A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN01820799.5
申请日：2001-11-26
Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/302 , H01L29/165 , H01L29/205 , H01L29/267
CPC classification number: H01L21/3148 , H01L21/318 , H01L21/76254 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/2003 , H01L29/267 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明涉及一种加工基片的方法，该基片包括一构成机械支承的一层来承载的薄层；这一加工方法特别适用于光学、电子学或光电子学器件。根据本发明的方法包括以下步骤：自源基片(6)上分离一层材料，以形成薄层(2)；而后在薄层(2)上沉积材料制备一厚层(4)，以形成构成机械支承的所述层。
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