公开(公告)号：CN1734718A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510084283.3

申请日：2001-11-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·吉斯朗

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供了一种衬底的制造方法，所述方法是用于制造光学器件、电子器件或光电器件的衬底，该方法的特征在于它包括以下步骤：在粘合界面中通过分子粘合把籽晶层(2)迁移到支撑(12)上；在该籽晶层上外延地生长工作层(16)；将加强的支撑直接粘合在所述工作层(16)上；删除所述支撑(12)；该支撑(12)由热膨胀系数是工作层(16)的系数0.7到3倍的材料构成，而且籽晶层适合于调节支撑(12)和工作层(16)的热膨胀。

公开(公告)号：CN100399511C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510084283.3

申请日：2001-11-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·吉斯朗

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供了一种衬底的制造方法，所述方法是用于制造光学器件、电子器件或光电器件的衬底，该方法的特征在于它包括以下步骤：在粘合界面中通过分子粘合把籽晶层(2)迁移到支撑(12)上；在该籽晶层上外延地生长工作层(16)；将加强的支撑直接粘合在所述工作层(16)上；删除所述支撑(12)；该支撑(12)由热膨胀系数是工作层(16)的系数0.7到3倍的材料构成，而且籽晶层适合于调节支撑(12)和工作层(16)的热膨胀。