公开(公告)号：CN100393922C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200480021175.5

申请日：2004-07-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·富尔

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/762 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种制造外延生长层(6)的方法、外延生长支承体(9，9’)及其制造方法。该方法的非凡之处在于其包括下列步骤：1)在支承衬底(1)中注入原子种类以便在其中划定一个脆弱区域，该区域将薄支承层(13)与所述衬底的剩余部分(11)划分开；b)将薄成核层(23)转移到所述薄支承层(13)上；c)沿所述脆弱区域分离所述剩余部分(11)，但同时使薄支承层(13)与所述剩余部分(11)保持接触；d)在所述成核层(23)上通过外延生长形成所述外延生长层(6)；和e)从薄支承层(13)上移除剩余部分(11)。应用于光学、光电子学或电子学领域。

公开(公告)号：CN1723553A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200480001944.5

申请日：2004-01-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉瑟朗 ,  C·奥尔内特 ,  B·奥斯特诺德 ,  T·赤津 ,  B·富尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/76254

Abstract: 在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片(10)的一种方法。施主晶片(10)依次包含衬底(1)和剥离结构(I)，在剥离之前剥离结构(I)包括待剥离的有用层；该方法包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于除去物质包括使用机械方法，以便在除去物质之后保留剥离结构的至少一部分(I’)，该剥离结构的至少一部分(I’)包含至少一层在重复利用之后可以剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。本文献还涉及：从根据本发明可以重复利用的施主晶片(10)剥离薄层的方法；根据本发明可以重复利用的施主晶片(10)。

公开(公告)号：CN100580903C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200480001944.5

申请日：2004-01-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉瑟朗 ,  C·奥尔内特 ,  B·奥斯特诺德 ,  T·赤津 ,  B·富尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/76254

Abstract: 在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片(10)的一种方法。施主晶片(10)依次包含衬底(1)和剥离结构(I)，在剥离之前剥离结构(I)包括待剥离的有用层；该方法包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于除去物质包括使用机械方法，以便在除去物质之后保留剥离结构的至少一部分(I’)，该剥离结构的至少一部分(I’)包含至少一层在重复利用之后可以剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。本文献还涉及：从根据本发明可以重复利用的施主晶片(10)剥离薄层的方法；根据本发明可以重复利用的施主晶片(10)。

公开(公告)号：CN1779950A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510117253.8

申请日：2005-10-31

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： A·布萨戈尔 ,  B·富尔

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/36 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明公开了一种应用于光学、光电子学或电子学的合成结构(40)，该合成结构(40)包含支撑晶片(20)、由选自单晶材料的材料制成的层和由介电材料制成的层(13)，其特征在于，选择支撑晶片(20)的制备材料、由单晶材料制成的层(11)和介电层(13)，并调整每层的厚度，使得在环境温度和600°K之间，合成结构(40)的热阻抗低于或等于具有与合成结构相同尺寸的单晶块SiC晶片的热阻抗的大约1.3倍。本发明还涉及用于制备该合成结构(40)的工艺。

公开(公告)号：CN100415947C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200480021387.3

申请日：2004-07-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·富尔 ,  L·迪乔奇欧

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/762 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明涉及制造外延生长层(6)的方法。该方法的显著之处在于其包括下列步骤：a)在支撑衬底(1)中注入原子种类以在其中划定弱区(12)，该弱区(12)将薄支撑层(13)从所述衬底的剩余部分(11)划分开；b)通过直接在所述薄支撑层(13)上或在转移到其上的插入层(5、23、31、32)上进行的外延生长来生长所述外延层(6)；c)通过谨慎地供应外能而沿弱区(12)将所述剩余部分(11)从薄支撑层(13)分离。本发明适用于光学、光电子学或电子学领域。

公开(公告)号：CN1826434A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480021387.3

申请日：2004-07-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·富尔 ,  L·迪乔奇欧

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/762 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明涉及制造外延生长层(6)的方法。该方法的显著之处在于其包括下列步骤：a)在支撑衬底(1)中注入原子种类以在其中划定弱区(12)，该弱区(12)将薄支撑层(13)从所述衬底的剩余部分(11)划分开；b)通过直接在所述薄支撑层(13)上或在转移到其上的插入层(5、23、31、32)上进行的外延生长来生长所述外延层(6)；c)通过谨慎地供应外能而沿弱区(12)将所述剩余部分(11)从薄支撑层(13)分离。本发明适用于光学、光电子学或电子学领域。

公开(公告)号：CN1826433A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480021175.5

申请日：2004-07-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·富尔

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/762 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种制造外延生长层(6)的方法、外延生长支承体(9，9’)及其制造方法。该方法的非凡之处在于其包括下列步骤：1)在支承衬底(1)中注入原子种类以便在其中划定一个脆弱区域，该区域将薄支承层(13)与所述衬底的剩余部分(11)划分开；b)将薄成核层(23)转移到所述薄支承层(13)上；c)沿所述脆弱区域分离所述剩余部分(11)，但同时使薄支承层(13)与所述剩余部分(11)保持接触；d)在所述成核层(23)上通过外延生长形成所述外延生长层(6)；和e)从薄支承层(13)上移除剩余部分(11)。应用于光学、光电子学或电子学领域。