公开(公告)号：CN101401199B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200780006928.9

申请日：2007-02-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·阿斯帕尔 ,  C·拉加赫-布朗夏尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/12674

Abstract: 本发明涉及一种用于生产包含表面层(20’)，至少一个埋入层(36，46)，以及支撑(30)的半导体结构的方法，该方法包括：采用第一材料在第一支撑上形成图形(23)的步骤；在所述图形之间和之上形成半导体层的步骤；组装所述半导体层与第二支撑(30)的步骤。