公开(公告)号：CN101401199B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200780006928.9

申请日：2007-02-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·阿斯帕尔 ,  C·拉加赫-布朗夏尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/12674

Abstract: 本发明涉及一种用于生产包含表面层(20’)，至少一个埋入层(36，46)，以及支撑(30)的半导体结构的方法，该方法包括：采用第一材料在第一支撑上形成图形(23)的步骤；在所述图形之间和之上形成半导体层的步骤；组装所述半导体层与第二支撑(30)的步骤。

公开(公告)号：CN102017074A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115478.6

申请日：2009-04-30

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： M·布鲁卡特 ,  B·阿斯帕尔 ,  C·拉加和 ,  T·巴尔热

IPC: H01L21/18 ,  H01L27/146 ,  H01L25/065 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L21/76256 ,  C03C27/00 ,  H01L21/187 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/146 ,  H01L27/1464 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种通过分子键合来键合两个晶片(20，30)的方法，其中从施加到两个晶片的至少其中之一(30)上的压力点(43)引发第一键合波传播，之后在涵盖压力点(43)的区域上引发第二键合波传播。可以通过在两个晶片之间嵌入分隔元件(41)以及通过至少在开始第一键合波传播之后抽出该元件来获得第二键合波传播。