公开(公告)号：CN100419961C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200480019723.0

申请日：2004-07-12

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉斯兰 ,  T·赤津 ,  R·丰塔尼埃

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种在晶片中注入的方法，该晶片包括具有不规则表面的至少一层，由此通过所述不规则表面进行注入。本发明的特征在于，为了增加注入深度的均匀性，在注入步骤之前，进行涂覆步骤，包括用涂覆层涂覆不规则表面。

公开(公告)号：CN1820354A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200480019723.0

申请日：2004-07-12

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉斯兰 ,  T·赤津 ,  R·丰塔尼埃

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种在晶片中注入的方法，该晶片包括具有不规则表面的至少一层，由此通过所述不规则表面进行注入。本发明的特征在于，为了增加注入深度的均匀性，在注入步骤之前，进行涂覆步骤，包括用涂覆层涂覆不规则表面。