公开(公告)号：CN101803002B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200880106202.7

申请日：2008-09-11

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·苏利耶布歇 ,  S·凯尔迪勒 ,  W·施瓦岑巴赫

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种通过将施主衬底(30)的层(32)转移到接受衬底(10)来制造半导体结构的方法，所述方法包括如下步骤：(a)在施主衬底(30)中生成脆化区(31)，以便限定前述层(32)，(b)处理施主衬底(30)和/或接受衬底(10)的表面，以便增大两个衬底之间的键合强度，(c)使施主衬底(30)直接晶片键合到接受衬底(10)，(d)在脆化区(31)中分离施主衬底(30)，以便形成所述半导体结构，其中接受衬底的表面除周边的冠以外均被转移层(32)覆盖。所述方法的特征在于，在步骤(b)中控制衬底表面的处理，从而施主衬底与接受衬底之间的键合强度在这些衬底的周边区域中的增大低于键合强度在所述衬底的中心区域中的增大，并且所述周边区域的宽度至少等于冠的宽度且低于10mm。

公开(公告)号：CN102446809A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110309281.5

申请日：2011-10-10

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： S·凯尔迪勒 ,  D·德尔普拉

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/02 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明提供了一种用于分子键合硅衬底和玻璃衬底的方法。本发明涉及一种用于将具有第一表面(2a)的第一衬底(1a)键合到具有第二表面(2b)的第二衬底(1b)的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：通过至少两个支撑点(S1，S2)来保持所述第一衬底(1a)，将所述第一衬底(1a)和所述第二衬底(1b)放置成第一表面(2a)和第二表面(2b)彼此相对，通过在至少一个压力点(P1)和两个支撑点(S1，S2)之间朝向所述第二衬底(1b)施加应变(F)，使所述第一衬底(1a)变形，使变形的第一表面(2a)与所述第二表面(2b)相接触，逐渐释放应变(F)。

公开(公告)号：CN105374666A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510836412.3

申请日：2011-10-10

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： S·凯尔迪勒 ,  D·德尔普拉

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/02 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明提供了一种用于分子键合硅衬底和玻璃衬底的方法。本发明涉及一种用于将具有第一表面(2a)的第一衬底(1a)键合到具有第二表面(2b)的第二衬底(1b)的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：通过至少两个支撑点(S1，S2)来保持所述第一衬底(1a)，将所述第一衬底(1a)和所述第二衬底(1b)放置成第一表面(2a)和第二表面(2b)彼此相对，通过在至少一个压力点(P1)和两个支撑点(S1，S2)之间朝向所述第二衬底(1b)施加应变(F)，使所述第一衬底(1a)变形，使变形的第一表面(2a)与所述第二表面(2b)相接触，逐渐释放应变(F)。

公开(公告)号：CN101803002A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106202.7

申请日：2008-09-11

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·苏利耶布歇 ,  S·凯尔迪勒 ,  W·施瓦岑巴赫

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种通过将施主衬底(30)的层(32)转移到接受衬底(10)来制造半导体结构的方法，所述方法包括如下步骤：(a)在施主衬底(30)中生成脆化区(31)，以便限定前述层(32)，(b)处理施主衬底(30)和/或接受衬底(10)的表面，以便增大两个衬底之间的键合强度，(c)使施主衬底(30)直接晶片键合到接受衬底(10)，(d)在脆化区(31)中分离施主衬底(30)，以便形成所述半导体结构，其中接受衬底的表面除周边的冠以外均被转移层(32)覆盖。所述方法的特征在于，在步骤(b)中控制衬底表面的处理，从而施主衬底与接受衬底之间的键合强度在这些衬底的周边区域中的增大低于键合强度在所述衬底的中心区域中的增大，并且所述周边区域的宽度至少等于冠的宽度且低于10mm。

公开(公告)号：CN101027769A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200480044032.6

申请日：2004-09-21

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： S·凯尔迪勒 ,  C·马勒维尔 ,  F·勒泰特 ,  O·雷萨克

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种用于将一层材料从顶施主晶片10转移到接收操作晶片20上的方法，该顶晶片和接收晶片包含各自的要键合的表面，该方法包括：用于处理要键合的至少一个表面的处理步骤，对晶片的给定表面的该处理在所述晶片的相反表面上产生污染；用于直接键合顶晶片和操作晶片的要键合的表面的键合步骤，以形成中间多层晶片30；用于从顶晶片移除多余材料的移除步骤，该方法的特征在于，在处理步骤期间，仅处理顶晶片的要键合的表面。