公开(公告)号：CN102136448A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010613517.X

申请日：2010-12-24

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： N·苏斯比 ,  B·阿斯帕 ,  T·巴尔热 ,  C·拉加荷布朗夏

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/187

Abstract: 本发明涉及一种对结构进行退火的退火过程，所述结构包括至少一个晶片，所述退火过程包括在氧化气氛中对所述结构进行退火以便在所述结构的至少一部分暴露表面上形成氧化层(310)的第一步骤，所述结构在第一位置与保持器(312)接触。所述过程还包括：将所述保持器上的所述结构移位到在第一退火步骤中所述结构和所述保持器之间的一个或多个接触区域(314)露出的第二位置的移位步骤、以及在氧化气氛中对处于第二位置的所述结构进行退火的第二退火步骤。

公开(公告)号：CN102017074A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115478.6

申请日：2009-04-30

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： M·布鲁卡特 ,  B·阿斯帕尔 ,  C·拉加和 ,  T·巴尔热

IPC: H01L21/18 ,  H01L27/146 ,  H01L25/065 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L21/76256 ,  C03C27/00 ,  H01L21/187 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/146 ,  H01L27/1464 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种通过分子键合来键合两个晶片(20，30)的方法，其中从施加到两个晶片的至少其中之一(30)上的压力点(43)引发第一键合波传播，之后在涵盖压力点(43)的区域上引发第二键合波传播。可以通过在两个晶片之间嵌入分隔元件(41)以及通过至少在开始第一键合波传播之后抽出该元件来获得第二键合波传播。