公开(公告)号：CN100557785C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN03820053.8

申请日：2003-08-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉斯兰 ,  C·奥伦特 ,  B·奥斯特努德 ,  Y·勒瓦扬 ,  T·阿卡苏

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C30B33/00 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259

Abstract: 提供一种在移去至少一个有用层之后再循环施主晶片(10)的方法，该施主晶片(10)依次包括衬底(1)、缓冲结构(I)和移去之前的有用层。该方法包括采用机械手段除去发生移去的一侧上的施主晶片(10)的一部分，从而在除去物质之后，保留至少一部分缓冲结构(I)，这部分缓冲结构(I)能在后来的有用层移去期间被再用作至少一部分缓冲结构(I)。本文献还涉及：a)从根据本发明能再循环的施主晶片(10)上除去薄层的方法；b)根据本发明可以再循环的施主晶片(10)。

公开(公告)号：CN1679158A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03820053.8

申请日：2003-08-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： B·吉斯兰 ,  C·奥伦特 ,  B·奥斯特努德 ,  Y·勒瓦扬 ,  T·阿卡苏

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C30B33/00 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259

Abstract: 提供一种在移去至少一个有用层之后再循环施主晶片(10)的方法，该施主晶片(10)依次包括衬底(1)、缓冲结构(I)和移去之前的有用层。该方法包括采用机械手段除去发生移去的一侧上的施主晶片(10)的一部分，从而在除去物质之后，保留至少一部分缓冲结构(I)，这部分缓冲结构(I)能在后来的有用层移去期间被再用作至少一部分缓冲结构(I)。本文献还涉及：a)从根据本发明能再循环的施主晶片(10)上除去薄层的方法；b)根据本发明可以再循环的施主晶片(10)。