公开(公告)号：JP2014067841A

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：JP2012211648

申请日：2012-09-26

Applicant: Spp Technologies Co Ltd ,  Sppテクノロジーズ株式会社

Inventor： TOMISAKA KENICHI

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heating structure of a chamber capable of equalizing the temperature of a wall material constituting the chamber and consequently the temperature inside the chamber.SOLUTION: The chamber heating structure 200 comprises a heater 7 positioned on a wall material 12 constituting a chamber 1, a heater fixing member 8 for fixing the heater on the wall material and a high thermal conductive metallic foil 14 positioned between the wall material and the heater. The metallic foil is formed so that its surface becomes wrinkled by creping. The heater fixing member fixes the heater on the wall material in a state that the heater is pressed against the wall material until at least one part of the wrinkles on the surface of the metallic foil becomes deformed.

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够使构成室的壁材料的温度均匀的室的加热结构，从而提供室内的温度。解决方案：室加热结构200包括位于壁材料12上的加热器7 构成室1，用于将加热器固定在壁材料上的加热器固定构件8和位于壁材料和加热器之间的高导热金属箔14。 金属箔形成为使其表面起皱起皱。 加热器固定部件在将加热器压靠在墙壁材料上的状态下将加热器固定在壁材料上，直到金属箔表面的至少一部分皱纹发生变形。

公开(公告)号：JP2014197612A

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：JP2013072576

申请日：2013-03-29

Applicant: Sppテクノロジーズ株式会社 ,  Spp Technologies Co Ltd

Inventor： TOMISAKA KENICHI

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

Abstract: 【課題】熱応力による割れが生じ難いフォーカスリングを備えた被処理基板のプラズマ処理用載置台を提供する。【解決手段】本発明に係る載置台100は、プラズマ処理が施される被処理基板Sが載置される静電チャック2と、静電チャックの被処理基板が載置される部位を囲むように静電チャック上に取り付けられたフォーカスリング1とを備える。静電チャックは、金属製の静電チャック本体21と、静電チャック本体の被処理基板が載置される部位211の上面に形成された誘電層22とを具備する。フォーカスリングの静電容量は、被処理基板の静電容量と誘電層の静電容量との合成静電容量以下であり、フォーカスリングの下面1Aと該下面に対向する静電チャック本体の上面との間に空隙が設けられている。【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于等离子体处理的安装台，其包括聚焦环，其中不易发生由于热应力引起的裂纹。解决方案：安装台100包括静电卡盘2，处理基板 安装经受等离子体处理的S，并且将聚焦环1安装在静电卡盘上，以便围绕其上安装有静电卡盘的处理基板的位置。 静电卡盘包括金属静电卡盘主体21和形成在现场211的上表面上的电介质层22，静电卡盘主体的处理基板安装在该位置211的上表面上。 聚焦环的电容不大于复合电容，该复合电容是被处理衬底的电容和电介质层的电容之和。 在聚焦环的下表面1A和静电卡盘体​​的面向下表面的上表面之间设置间隙。

公开(公告)号：JP2015023160A

公开(公告)日：2015-02-02

申请号：JP2013150397

申请日：2013-07-19

Applicant: Sppテクノロジーズ株式会社 ,  Spp Technologies Co Ltd

Inventor： TOMISAKA KENICHI ,  TAKEUCHI NORIKAZU

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

Abstract: 【課題】放電を効果的に抑制するプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置100は、静電チャックベース部22と、被処理基板にHeガスを供給するように静電チャックベース部22を貫通して設けられ、金属の第1のガス流路3と、誘電体の第2のガス流路4と、第1のガス流路3及び第2のガス流路4を覆う金属筐体1と、高周波電力を印加する高周波電源5と、樹脂から形成され、第1のガス流路3と第2のガス流路4との境界近傍を閉塞する閉塞部材6とを備える。金属筐体1は、接地され、閉塞部材6は、第1のガス流路3又は第2のガス流路4の流路軸方向に垂直な閉塞部材6の断面であって閉塞部材6の少なくとも1つの該断面において、第1のガス流路3又は第2のガス流路4の流路軸を中心とする円であって、第1のガス流路3又は第2のガス流路4の内断面積の10%以上の面積を有する該円の内側を閉塞する。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种有效地抑制放电的等离子体处理装置。解决方案：本发明的等离子体处理装置100包括：静电卡盘基部22; 第一气体通道3，其由金属制成，并且穿过静电吸盘基部22，以将He气供应到待加工的基板; 由电介质制成的第二气体通道4; 覆盖第一气体通道3和第二气体通道4的金属壳体1; 施加高频电源的高频电源5; 以及由树脂形成并且阻挡第一气体通道3和第二气体通道4之间的边界附近的阻挡构件6.金属壳体1接地，并且阻挡构件6具有阻挡构件的部分 6，其与第一气体通道3或第二气体通道4的通过轴向方向垂直。阻挡构件6在至少一个区段中具有以第一气体通道3的通道轴为中心的圆 或第二气体通道4，并且阻挡面积为第一气体通道3或第二气体通道4的截面面积的10％以上的圆的内部。

公开(公告)号：EP2541590A4

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：EP10846621

申请日：2010-11-25

Applicant: SPP TECHNOLOGIES CO LTD

Inventor： HAYASHI YASUYUKI ,  TOMISAKA KENICHI

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/321

Abstract: The present invention relates to a plasma processing device capable of positioning a protective member for covering the upper surface of a peripheral edge portion of a substrate, with high accuracy. A plasma processing device 1 has a processing chamber 11, a platen 21 on which a substrate K is placed, a gas supply device 45 supplying a processing gas, a plasma generating device 50 generating plasma from the processing gas, an RF power supply unit 55 supplying RF power to the platen 21, an annular and plate-shaped protective member 31 which is formed in an annular and plate-like shape and is configured to be capable of being placed on a peripheral portion of the platen 21 and which covers the upper surface of a peripheral edge portion of the substrate K with an inner peripheral edge portion thereof when placed on the peripheral portion of the platen 21, support members 35 supporting the protective member 31, and a lifting cylinder 30 lifting up and down the platen 21. At least three first protrusions 33 which are engaged with the peripheral portion of the platen 21 when placed on the platen 21 are formed on a pitch circle on the lower surface of the protective member 31 and the center of the pitch circle is co-axial with the central axis of the protective member 31.