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公开(公告)号：FR3083362B1
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：FR1855927
申请日：2018-06-29
Inventor： VALENCIA RISSETTO LEONARDO , LE ROUX ELISE , FOREL CHRISTOPHE
Abstract: Procédé de programmation d'un groupe de N cellules-mémoire d'un dispositif de mémoire non volatile sur une fenêtre de programmation ayant une durée supérieure à la durée de programmation d'une cellule-mémoire , comprenant une subdivision de ladite fenêtre de programmation en M intervalles temporels, M étant supérieur à deux, une détermination par simulation (S1), en tenant compte d'un critère de référence, d'un profil de programmation (PRP) comportant pour chaque intervalle temporel, un nombre maximum de cellules-mémoires dont la programmation peut être déclenchée au sein de cet intervalle temporel, un stockage (S2) du profil de programmation dans le dispositif de mémoire (1), et une programmation du dispositif de mémoire sur ladite fenêtre de programmation, par intervalle, en utilisant ledit profil de programmation (PRP).
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公开(公告)号：FR3083362A1
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：FR1855927
申请日：2018-06-29
Inventor： VALENCIA RISSETTO LEONARDO , LE ROUX ELISE , FOREL CHRISTOPHE
Abstract: Procédé de programmation d'un groupe de N cellules-mémoire d'un dispositif de mémoire non volatile sur une fenêtre de programmation ayant une durée supérieure à la durée de programmation d'une cellule-mémoire , comprenant une subdivision de ladite fenêtre de programmation en M intervalles temporels, M étant supérieur à deux, une détermination par simulation (S1), en tenant compte d'un critère de référence, d'un profil de programmation (PRP) comportant pour chaque intervalle temporel, un nombre maximum de cellules-mémoires dont la programmation peut être déclenchée au sein de cet intervalle temporel, un stockage (S2) du profil de programmation dans le dispositif de mémoire (1), et une programmation du dispositif de mémoire sur ladite fenêtre de programmation, par intervalle, en utilisant ledit profil de programmation (PRP).
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公开(公告)号：FR2966304B1
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：FR1058475
申请日：2010-10-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： MAZET ROLAND , FOREL CHRISTOPHE
IPC: H03F1/30
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2979173B1
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：FR1102545
申请日：2011-08-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： GICQUEL HUGO , LAFIANDRA BEATRICE , FOREL CHRISTOPHE
IPC: H03K17/687
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公开(公告)号：FR2966304A1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：FR1058475
申请日：2010-10-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： MAZET ROLAND , FOREL CHRISTOPHE
IPC: H03F1/30
Abstract: L'invention concerne un étage de sortie d'un amplificateur classe AB intégré dans une technologie adaptée à une première tension (V ) et destiné à être alimenté sous une seconde tension (V ) supérieure à la première, comportant : au moins un premier transistor (P25, P'25) d'un premier type de canal (P) entre une première borne (8) d'application de la seconde tension et une borne (9) de sortie de l'étage, dont la grille est reliée à une première borne d'entrée de l'étage ; au moins un premier transistor (N25) d'un deuxième type de canal (N) entre cette borne de sortie (9) et une deuxième borne (7) d'application de la seconde tension, dont la grille est reliée à une seconde borne d'entrée de l'étage ; et au moins un deuxième (N41) et un troisième (N42) transistors du deuxième type de canal en série entre la borne de sortie et le premier transistor du deuxième type de canal, la grille du deuxième transistor étant connectée au point milieu d'un pont diviseur résistif (R1N, R2N) entre ladite borne de sortie et la grille du troisième transistor du second type de canal, et la grille du troisième transistor étant polarisée à un potentiel fixe (VGN42
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公开(公告)号：FR2950208B1
公开(公告)日：2011-10-14
申请号：FR0956407
申请日：2009-09-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： FOREL CHRISTOPHE , MAZET ROLAND
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公开(公告)号：FR2979173A1
公开(公告)日：2013-02-22
申请号：FR1102545
申请日：2011-08-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： GICQUEL HUGO , LAFIANDRA BEATRICE , FOREL CHRISTOPHE
IPC: H03K17/687
Abstract: L'invention est relative à un commutateur pour un signal analogique comprenant un transistor MO S principal (MN1) dont la source forme une borne d'entrée (V1) du commutateur et le drain une borne de sortie (V2) du commutateur ; un condensateur (Cb) ayant une première borne reliée en permanence à la source du transistor principal ; un circuit (R) de charge du condensateur ; et un premier transistor auxiliaire (S3) connecté pour relier la deuxième borne du condensateur à la grille du transistor principal en réponse à un signal de commande (CK). Le circuit de charge comprend une résistance (R) reliant en permanence la deuxième borne du condensateur (Cb) à une ligne d'alimentation (Vdd), le condensateur et la résistance formant un filtre passe-haut ayant une fréquence de coupure inférieure à la fréquence du signal analogique.
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公开(公告)号：FR2950208A1
公开(公告)日：2011-03-18
申请号：FR0956407
申请日：2009-09-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： FOREL CHRISTOPHE , MAZET ROLAND
Abstract: L'invention concerne un étage de sortie d'un amplificateur classe A intégré dans une technologie adaptée à une première tension (V ) et destiné à être alimenté sous une deuxième tension (V ) supérieure à la première, comportant : un ou plusieurs transistors (P41, DP42) d'un premier type de canal (P) entre une première borne (8) d'application de la deuxième tension et une borne (9) de sortie de l'étage ; des transistors (N25, N31, N32, N33) d'un deuxième type de canal (N) entre cette borne de sortie (9) et une deuxième borne (7) d'application de la deuxième tension, dans lequel : un premier transistor (N25) du deuxième type de canal a sa grille directement connectée à une borne (24) d'entrée de l'étage ; au moins un deuxième (N31) et un troisième (N32) transistors du deuxième type de canal sont en série entre la borne de sortie et ledit premier transistor, la grille du deuxième transistor étant connectée au point milieu d'un pont diviseur résistif (R1, R2) entre ladite borne de sortie et la grille du troisième transistor, et la grille du troisième transistor étant polarisée à un potentiel fixe (V ).
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