公开(公告)号：FR2995133A1

公开(公告)日：2014-03-07

申请号：FR1258149

申请日：2012-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： EUVRARD CHRISTOPHE ,  GAY LAURENT ,  GUYADER FRANCOIS ,  GOURVEST EMMANUEL

IPC: H01L21/302

Abstract: L'invention concerne un procédé d'amincissement d'une tranche semiconductrice (W1) comprenant les étapes suivantes : former des composants et des niveaux d'interconnexion (IL) sur la face avant de la tranche ; creuser une rainure à partir de la face avant à la périphérie de la tranche et déposer une couche de protection (14) au moins sur les flancs de la rainure ; coller la tranche (W1) sur un support (W2) de mêmes dimensions ; et amincir la tranche (W1) à partir de sa face arrière au moins jusqu'à atteindre le fond de ladite rainure.