公开(公告)号：FR3039925B1

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：FR1557609

申请日：2015-08-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GUYADER FRANCOIS ,  GOURVEST EMMANUEL ,  GROS DAILLON PATRICK

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/146

公开(公告)号：FR2995133A1

公开(公告)日：2014-03-07

申请号：FR1258149

申请日：2012-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： EUVRARD CHRISTOPHE ,  GAY LAURENT ,  GUYADER FRANCOIS ,  GOURVEST EMMANUEL

IPC: H01L21/302

Abstract: L'invention concerne un procédé d'amincissement d'une tranche semiconductrice (W1) comprenant les étapes suivantes : former des composants et des niveaux d'interconnexion (IL) sur la face avant de la tranche ; creuser une rainure à partir de la face avant à la périphérie de la tranche et déposer une couche de protection (14) au moins sur les flancs de la rainure ; coller la tranche (W1) sur un support (W2) de mêmes dimensions ; et amincir la tranche (W1) à partir de sa face arrière au moins jusqu'à atteindre le fond de ladite rainure.

公开(公告)号：FR3056826B1

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：FR1659175

申请日：2016-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GOURVEST EMMANUEL ,  LE FRIEC YANNICK ,  FAVENNEC LAURENT

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/21 ,  H01L45/00

Abstract: L'invention concerne un ensemble de deux cellules mémoire à changement de phase comprenant : deux premiers vias (32, 33) en un premier métal tel que le tungstène ; un via central (34) situé entre les premiers vias (32, 33), la partie inférieure du via central (34) étant en le premier métal et sa partie supérieure (44) en un second métal tel que le cuivre ; un élément résistif (48) sur chacun des premiers vias (32, 33) ; et une couche de matériau à changement de phase en contact avec des sommets des éléments résistifs (48).

公开(公告)号：FR3056826A1

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：FR1659175

申请日：2016-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GOURVEST EMMANUEL ,  LE FRIEC YANNICK ,  FAVENNEC LAURENT

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/21 ,  H01L45/00

Abstract: L'invention concerne un ensemble de deux cellules mémoire à changement de phase comprenant : deux premiers vias (32, 33) en un premier métal tel que le tungstène ; un via central (34) situé entre les premiers vias (32, 33), la partie inférieure du via central (34) étant en le premier métal et sa partie supérieure (44) en un second métal tel que le cuivre ; un élément résistif (48) sur chacun des premiers vias (32, 33) ; et une couche de matériau à changement de phase en contact avec des sommets des éléments résistifs (48).

公开(公告)号：FR3057395A1

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：FR1659700

申请日：2016-10-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BENOIT DANIEL ,  HINSINGER OLIVIER ,  GOURVEST EMMANUEL

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image à éclairement par la face arrière, comprenant des régions mémoire formées dans une plaquette semiconductrice, chaque région mémoire (9) étant située entre deux murs opaques (80) qui s'étendent dans la plaquette et sont en contact avec un écran opaque (96) disposé en face arrière de la région mémoire.