公开(公告)号：FR3018627A1

公开(公告)日：2015-09-18

申请号：FR1452130

申请日：2014-03-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ZOLL STEPHANE ,  GARNIER PHILIPPE ,  GOURHANT OLIVIER ,  JOSEPH VINCENT

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/336

Abstract: Procédé de formation d'au moins deux régions métalliques de grilles différentes d'au moins deux transistors MOS comprenant : a) une formation d'une couche métallique sur une couche de diélectrique de grille (GHK), b) une formation d'un masque dur métallique sur la couche métallique, le masque dur ayant une composition différente de celle de la couche métallique, recouvrant une première région (GM1) de la couche métallique et laissant découverte une deuxième région (GM2) de la couche métallique c) un recuit de diffusion de la structure obtenue à l'étape b) de façon à faire diffuser des atomes métalliques du masque dur dans la première région (GM1), d) un retrait du masque dur.