公开(公告)号：FR3012258A1

公开(公告)日：2015-04-24

申请号：FR1360303

申请日：2013-10-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BARGE DAVID ,  GARNIER PHILIPPE ,  CAMPIDELLI YVES

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/335 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/12

Abstract: Circuit intégré comprenant au moins un transistor du type NMOS (TRN) et au moins un transistor du type PMOS (TRP) sur respectivement des zones différentes (10, 11) d'un substrat du type silicium sur isolant, chaque transistor (TRP, TRN) comprenant au dessus du substrat une région de grille (RGP, RGN) deux régions isolantes latérales multicouches (40-42, 50-52) s'appuyant respectivement sur deux flancs de la région de grille, reposant sur le substrat et comportant chacune une portion inclinée (44, 54) s'évasant en s'éloignant du substrat, une région de source et une région de drain comportant chacune un bloc semiconducteur (6, 8) reposant sur le substrat, séparé du flanc correspondant de la région de grille par la région isolante latérale correspondante et possédant une portion inclinée (60, 80) s'appuyant sur la portion inclinée (44, 54) de ladite région latérale isolante.

公开(公告)号：FR3018627A1

公开(公告)日：2015-09-18

申请号：FR1452130

申请日：2014-03-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ZOLL STEPHANE ,  GARNIER PHILIPPE ,  GOURHANT OLIVIER ,  JOSEPH VINCENT

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/336

Abstract: Procédé de formation d'au moins deux régions métalliques de grilles différentes d'au moins deux transistors MOS comprenant : a) une formation d'une couche métallique sur une couche de diélectrique de grille (GHK), b) une formation d'un masque dur métallique sur la couche métallique, le masque dur ayant une composition différente de celle de la couche métallique, recouvrant une première région (GM1) de la couche métallique et laissant découverte une deuxième région (GM2) de la couche métallique c) un recuit de diffusion de la structure obtenue à l'étape b) de façon à faire diffuser des atomes métalliques du masque dur dans la première région (GM1), d) un retrait du masque dur.

公开(公告)号：FR2978866A1

公开(公告)日：2013-02-08

申请号：FR1157083

申请日：2011-08-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GARNIER PHILIPPE

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation et de gravure d'une couche d'isolant de grille sur une plaquette de silicium, comprenant les étapes suivantes : dans un premier équipement, former (31-33) une couche d'oxyde de silicium nitruré sur la plaquette ; immédiatement après, déposer (34) une couche d'un promoteur d'adhérence sur la couche d'oxyde de silicium nitruré ; puis, dans un deuxième équipement : a) déposer (38) une couche de résine photosensible sur la couche de promoteur d'adhérence ; b) insoler et développer (39) la couche de résine photosensible ; c) si le résultat des étapes a) et b) n'est pas satisfaisant, enlever (40) la couche de résine photosensible mais pas la couche de promoteur d'adhérence et recommencer les étapes a) et b) ; d) si le résultat des étapes a) et b) est satisfaisant, éliminer par gravure (41-42) la couche de promoteur d'adhérence et la couche d'oxyde de silicium nitruré.