公开(公告)号：WO2005059978A3

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：PCT/FR2004050713

申请日：2004-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  BENSAHEL DANIEL ,  CAMPIDELLI YVES ,  KERMARREC OLIVIER

Inventor： BENSAHEL DANIEL ,  CAMPIDELLI YVES ,  KERMARREC OLIVIER

IPC: G02B5/18 ,  G02B27/44 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L29/04 ,  B82Y10/00 ,  G02B1/02 ,  G02B5/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/0352 ,  Y10T428/29

Abstract: The invention relates to a single-crystal layer of a first semiconductor material (5) comprising single-crystal nanostructures of a second semiconductor material (3), said nanostructures being distributed in a regular crystallographic network with a centred tetragonal prism.

Abstract translation: 本发明涉及包括第二半导体材料（3）的单晶纳米结构的第一半导体材料（5）的单晶层，所述纳米结构分布在具有中心四棱柱的规则晶体网络中。

公开(公告)号：FR2896338A1

公开(公告)日：2007-07-20

申请号：FR0600414

申请日：2006-01-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： KERMARREC OLIVIER ,  CAMPIDELLI YVES ,  PIN GUILLAUME

IPC: H01L21/20 ,  C30B33/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/762

Abstract: Le procédé concerne la réalisation d'une couche d'un premier matériau monocristallin sur un deuxième matériau, ledit deuxième matériau présentant au moins une ouverture exposant une portion de surface d'un troisième matériau monocristallin 1. Le procédé comprend ainsi les étapes de :a) formation d'une première couche 4 partiellement cristalline dudit premier matériau sur ladite portion de surface du troisième matériau 1, puisb) formation d'une seconde couche 5 amorphe ou partiellement cristalline du premier matériau sur ladite première couche 4 partiellement cristalline du premier matériau et sur une partie du deuxième matériau située autour de ladite ouverture, etc) recuit de recristallisation du premier matériau.

公开(公告)号：FR2914489A1

公开(公告)日：2008-10-03

申请号：FR0754201

申请日：2007-04-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： KERMARREC OLIVIER ,  BENSAHEL DANIEL ,  CAMPIDELLI YVES

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/861 ,  H01L29/92

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique sur un substrat semiconducteur (1) comprenant les étapes suivantes : réaliser au moins une ouverture (3) dans le substrat (1) ; former dans le fond et sur les parois de l'ouverture (3) et sur le substrat (1) une succession alternée de couches d'un premier matériau (5, 9, 13) et d'un deuxième matériau (7, 11, 15), le deuxième matériau étant gravable sélectivement par rapport au premier matériau et au substrat (1) ; araser les portions de couches du premier matériau (5, 9, 13) et du deuxième matériau (7, 11, 15) qui ne sont pas situées dans ladite ouverture (3) ; graver une partie du premier matériau (5, 9, 13) pour obtenir des tranchées (17) ; et remplir les tranchées (17) d'au moins un troisième matériau (19, 21).

公开(公告)号：FR2896338B1

公开(公告)日：2008-04-18

申请号：FR0600414

申请日：2006-01-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： KERMARREC OLIVIER ,  CAMPIDELLI YVES ,  PIN GUILLAUME

IPC: H01L21/20 ,  C30B33/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/762

公开(公告)号：FR2896337A1

公开(公告)日：2007-07-20

申请号：FR0600413

申请日：2006-01-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： KERMARREC OLIVIER ,  CAMPIDELLI YVES

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  H01L21/762

Abstract: Le procédé concerne la réalisation d'une couche d'un premier matériau monocristallin sur un deuxième matériau, ledit deuxième matériau étant situé entre au moins deux portions 3, 4 de surface d'un troisième matériau monocristallin 1, dans lequel :a) on forme une couche monocristalline dudit premier matériau sur chacune desdites deux portions 3, 4 de surface du troisième matériau 1, puisb) on fait croître par épitaxie la couche monocristalline du premier matériau formée sur chacune desdites deux portions 3, 4 de surface du troisième matériau 1, jusqu'au moins l'obtention d'un recouvrement par le premier matériau, du deuxième matériau 2 situé entre lesdites deux portions 3, 4 de surface du troisième matériau 1, etc) on réalise un recuit.