-
公开(公告)号:FR3025051A1
公开(公告)日:2016-02-26
申请号:FR1457942
申请日:2014-08-22
Inventor: DI CIOCCIO LEA , BEILLIARD YANN , COUDRAIN PERCEVAL
IPC: H01L21/50 , H01L23/532 , H01L23/538
Abstract: Procédé de réalisation d'un circuit intégré par collage direct d'un premier (201) et d'un second (301) substrats, comprenant les étapes suivantes consistant à a) former un premier et un second substrats munis chacun d'une surface comportant au moins une portion d'un premier matériau (205, 305) et des portions d'au moins un deuxième matériau (203, 303), une région de barrière (209, 309) en un troisième matériau étant disposée en surface entre chaque portion du premier matériau et le deuxième matériau; et b) mettre en contact la surface du premier substrat avec la surface du second substrat avec un désalignement maximum donné, la largeur de la région de barrière formée à l'étape a) étant choisie de sorte qu'elle soit supérieure au désalignement maximum.
-
公开(公告)号:FR3006807A1
公开(公告)日:2014-12-12
申请号:FR1355220
申请日:2013-06-06
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: BAR PIERRE , GOUSSEAU SIMON , BEILLIARD YANN
Abstract: Procédé de réalisation d'au moins une liaison traversante électriquement conductrice (LTE) au sein d'un support (SUP), comprenant : - une formation d'une cavité (CV) dans le support depuis une première face (BF) du support jusqu'à déboucher sur une portion électriquement conductrice (POR), - une formation d'une couche électriquement conductrice (CEE) au fond et sur les parois de la cavité et au moins partiellement sur la première face à l'extérieur de la cavité, Le procédé comprend en outre un remplissage au moins partiel de ladite cavité par au moins un matériau à changement de phase (MAT). L'invention vise également une structure intégrée tridimensionnelle.
-
公开(公告)号:FR3011679B1
公开(公告)日:2017-01-27
申请号:FR1359591
申请日:2013-10-03
Inventor: DI CIOCCIO LEA , BEILLIARD YANN
Abstract: Procédé d'assemblage par collage direct d'un premier (I) et deuxième (II) éléments munis chacun d'une surface d'assemblage, l'une au moins des surfaces d'assemblage comprenant des portions métalliques (6, 106) en retrait entourées de matériaux diélectriques (4, 104) comportant : A) une étape de mise en contact des deux surfaces d'assemblage sans application de pression de sorte qu'un collage direct soit obtenu entre les surfaces d'assemblage, lesdits premier et deuxième ensembles (I, II) formant un empilement présentant une épaisseur donnée (e), B) une étape de traitement thermique dudit empilement, pendant lequel, les faces arrière (10, 110) des premier (I) et deuxième (II) éléments sont immobilisées de sorte qu'elles soient maintenues à distance fixe (E) comprise entre l'épaisseur donnée de l'empilement +/- 2 nm.
-
公开(公告)号:FR3011679A1
公开(公告)日:2015-04-10
申请号:FR1359591
申请日:2013-10-03
Inventor: DI CIOCCIO LEA , BEILLIARD YANN
Abstract: Procédé d'assemblage par collage direct d'un premier (I) et deuxième (II) éléments munis chacun d'une surface d'assemblage, l'une au moins des surfaces d'assemblage comprenant des portions métalliques (6, 106) en retrait entourées de matériaux diélectriques (4, 104) comportant : A) une étape de mise en contact des deux surfaces d'assemblage sans application de pression de sorte qu'un collage direct soit obtenu entre les surfaces d'assemblage, lesdits premier et deuxième ensembles (I, II) formant un empilement présentant une épaisseur donnée (e), B) une étape de traitement thermique dudit empilement, pendant lequel, les faces arrière (10, 110) des premier (I) et deuxième (II) éléments sont immobilisées de sorte qu'elles soient maintenues à distance fixe (E) comprise entre l'épaisseur donnée de l'empilement +/- 2 nm.
-
-
-