公开(公告)号：FR3066038B1

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：FR1753985

申请日：2017-05-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MORIN PIERRE ,  BRUN PHILIPPE ,  CHAPELON LAURENT-LUC

IPC: G11C13/02 ,  H01L23/485

Abstract: L'invention concerne une mémoire à changement de phase comprenant : une bande (2) de matériau à changement de phase revêtue d'une bande conductrice (4) et entourée d'un isolant (10), la bande (2) de matériau à changement de phase étant en contact par sa face inférieure avec des pointes d'un élément résistif (8) ; et un réseau de connexion composé de plusieurs niveaux de métallisation couplés entre eux par des vias conducteurs, au moins un élément (26) du niveau de métallisation inférieur étant en contact direct avec la face supérieure de la bande conductrice (4).

公开(公告)号：FR3073319A1

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：FR1760543

申请日：2017-11-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： ARNAUD FRANCK ,  GALPIN DAVID ,  ZOLL STEPHANE ,  HINSINGER OLIVIER ,  FAVENNEC LAURENT ,  ODDOU JEAN-PIERRE ,  BROUSSOUS LUCILE ,  BOIVIN PHILIPPE ,  WEBER OLIVIER ,  BRUN PHILIPPE ,  MORIN PIERRE

IPC: H01L21/822 ,  G11C13/02

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique comportant des points mémoire à matériau à changement de phase (134) et des transistors (110, 112), comprenant : a) former les transistors et des premiers et deuxièmes vias (120B, 120A) s'étendant depuis des bornes (122A, 122B) des transistors et atteignant une même hauteur ; b) former un premier niveau de métal comprenant des premières pistes d'interconnexion (202) en contact avec les premiers vias (120B) ; c) former des éléments de chauffage (132) des matériaux à changement de phase sur les deuxièmes vias (120A) ; d) former les matériaux à changement de phase (134) sur les éléments de chauffage (132) ; et e) former un deuxième niveau de métal comprenant des deuxièmes pistes d'interconnexion et situé au-dessus des matériaux à changement de phase, et former des troisièmes vias (204) s'étendant des matériaux à changement de phase jusqu'aux deuxièmes pistes.

公开(公告)号：FR3066038A1

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：FR1753985

申请日：2017-05-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MORIN PIERRE ,  BRUN PHILIPPE ,  CHAPELON LAURENT-LUC

IPC: G11C13/02 ,  H01L23/485

Abstract: L'invention concerne une mémoire à changement de phase comprenant : une bande (2) de matériau à changement de phase revêtue d'une bande conductrice (4) et entourée d'un isolant (10), la bande (2) de matériau à changement de phase étant en contact par sa face inférieure avec des pointes d'un élément résistif (8) ; et un réseau de connexion composé de plusieurs niveaux de métallisation couplés entre eux par des vias conducteurs, au moins un élément (26) du niveau de métallisation inférieur étant en contact direct avec la face supérieure de la bande conductrice (4).